- •1. Полупроводники
- •1.1. Основные положения теории твердых тел
- •1.2. Носители заряда в собственных полупроводниках
- •1.3. Электропроводность примесных полупроводников
- •1.4. Основные свойства и характеристики полупроводников
- •Дрейфовое и диффузионное движения носителей заряда.
- •1.5. Электронно-дырочный переход
- •1.6. Прямое и обратное смещение p-n-перехода
- •1.7. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •1.8. Емкости p-n-перехода
- •1.9. Контактные явления на границе раздела полупроводника и металла
- •2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Выпрямительные диоды
- •2.3. Импульсные диоды
- •2.4. Диоды Шоттки
- •2.5. Стабилитроны, или опорные диоды
- •2.6. Туннельные диоды
- •2.7. Излучающие оптоэлектронные приборы
- •3. Биполярные транзисторы
- •3.1. Принцип действия транзистора
- •3.2. Способы включения транзистора в схему
- •3.4. Статические вольт-амперные характеристики транзистора
- •3.4.1. Характеристики транзистора в схеме с об
- •3.4.2. Характеристики транзистора в схеме с оэ
- •3.5. Ключевой режим работы транзистора
- •3.6. Усилительный режим работы транзистора
- •4. Полевые (униполярные) транзисторы
- •4.1. Полевые транзисторы с р-n-переходом
- •4.2. Основные параметры полевых транзисторов
- •4.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •5.1. Аналого-цифровые преобразователи (ацп)
- •5.1.1. Основные принципы, характеристики и параметры ацп
- •5.1.2. Принципы построения ацп
- •5.1.3. Интегральные микросхемы ацп
- •5.2. Цифро-аналоговые преобразователи (цап)
- •5.2.1. Основные характеристики и параметры цап
- •5.2.2. Принципы построения цап
- •5.2.3. Интегральные микросхемы цап
5.2.3. Интегральные микросхемы цап
ЦАП в схемотехническом отношении представляет довольно сложное устройство, включающее в себя элементы цифровой и аналоговой электроники. Аналоговые элементы определяют такие основные показатели ЦАП, как точность и быстродействие. Применение интегральной технологии, широко использующей методы температурной компенсации, замены пассивных элементов (резисторов) активными (транзисторами) обеспечивает улучшение качественных показателей интегральных ЦАП.
В
настоящее время отечественной
промышленностью выпускается несколько
типов интегральных ЦАП, отличающихся
по конструктивному, технологическому
исполнению, функциональному составу,
точностным и скоростным параметрам.
В качестве примера приведем краткую
характеристику интегральной микросхемы
ЦАП К572ПА1.
Рис. 5.11. Упрощенная функциональная схема МС ЦАП К572 ПА1
ЦАП К572 ПА1 – это микросхема 10-разрядного ЦАП умножающего типа. Все элементы ЦАП выполнены на одном кристалле, размещенном в герметичном металлокерамическом корпусе с 16 выводами. Упрощенная функциональная схема ЦАП приведена на рис.5.11. В состав кристалла входят: прецизионная резисторная матрица R – 2R, электронные ключи на МОП-транзисторах и выходные усилители – инверторы, обеспечивающие управление ключами от стандартных уровней цифрового сигнала. Для её функционирования необходимы внешние микросхемы источника опорного напряжения (ИОН) и операционного усилителя А1, а также источники питания выходных усилителей и операционного усилителя.
Микросхема выполнена по КМОП-технологии. Её достоинствами являются: низкая потребляемая мощность, совместимость со стандартными ТТЛ и КМОП-уровнями. К недостаткам относятся умеренное быстродействие и критичность ИС к пробою статическим электричеством в процессе монтажа и наладки.
Микросхема стабильна и надёжна в работе, что обеспечивается малой мощностью потребления и незначительным нагревом кристалла, и является универсальным структурным звеном для построения микроэлектронных ЦАП и АЦП.
В качестве примера микросхемы ЦАП с источниками токов на биполярных транзисторах дадим краткую характеристику ЦАП К594 ПА1. Эта микросхема представляет собой 12-разрядный параллельный ЦАП с суммированием токов. Она изготовлена по биполярной планарно-эпитаксиальной технологии на n-p-n- и p-n-p-транзисторах на кристалле 5,0 х 2,6 мм2 и содержит 153 элемента Тонко-пленочная матрица взвешенных резисторов выполнена на втором кристалле площадью 5,0 х 2,5 мм2 и содержит 24 прецизионных резистора. Оба кристалла конструктивно размещены в одном корпусе с 24 выводами.
Ведущие производители микросхем поставляют на рынок многие десятки моделей как микросхем ЦАП и АЦП соответствующей разрядности, так и микроконтроллеров с АЦП и/или ЦАП на кристалле. Наиболее крупными производителями АЦП в России являются заводы «Микрон» и «Сапфир», а за рубежом – компании: Analog Devices (США), Philips, Maxim, Sony и др.
