- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 1
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 2
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 3
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 4
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 5
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 6
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 7
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 8
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 9
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 10
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 11
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 12
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 13
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 14
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 15
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 16
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 17
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 18
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 19
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 20
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 21
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 22
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 23
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 24
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 25
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 26
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 27
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 28
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 29
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 30
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 31
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 32
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 33
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 34
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 19
1. Приведите анализ работы релаксационных генераторов на примере работы мультивибратора. Дайте назначение всех элементов схемы.
2. Опишите физические процессы, реализующиеся в полупроводниковой структуре светоизлучающего диода и укажите их влияние на эффективность работы данного прибора.
3. Поясните организацию стековой памяти в микропроцессорных системах, назначение, принцип работы стека.
4. Проведите расчет постоянной составляющей (среднего значения) выпрямленного напряжения трехфазного мостового неуправляемого выпрямителя при активной нагрузке.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 20
1. Приведите классификацию современных импульсных диодов, дайте сравнительный анализ их преимуществ и недостатков.
2. Опишите особенности построения резонансного усилителя.
3. Поясните причины возникновения в полупроводниках проводимости электронного типа, используя формулу температурной зависимости концентрации свободных носителей и зонную диаграмму.
4. Проведите расчет постоянной составляющей (среднего значения) выпрямленного напряжения трехфазного нулевого управляемого выпрямителя при активной нагрузке.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 21
1. Приведите максимальные параметры биполярного транзистора.
2. Опишите условия, при которых генератор становится усилителем.
Приведите анализ работы LC-генератора. Дайте режимы работы.
3. Поясните причины возникновения в полупроводниках проводимости дырочного типа, используя формулу температурной зависимости концентрации свободных носителей и зонную диаграмму.
4. Рассчитайте, определите данные и запрограммируйте алгоритм опроса двоичных ключей, подключенных к порту ввода/вывода микроконтроллера MC68HC08GP32. Нарисуйте схему подключения.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|