- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 1
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 2
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 3
- •Билет № 5
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 6
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 4
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 7
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 8
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 9
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 10
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 11
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 12
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 13
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 14
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 15
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 16
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 17
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 18
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 19
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 20
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 21
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 22
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 23
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 24
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 25
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 26
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 27
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 28
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 29
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 30
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 31
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 32
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 33
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 34
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 10
1. Приведите анализ импульсного режима работы ОУ на примере компаратора. Поясните временные диаграммы работы компаратора.
2. Опишите физическую суть процессов, протекающих в полупроводниковой структуре стабилитрона и определяющих вид его статической ВАХ.
3. Поясните шинную структуру, принципы построения микропроцессорных систем. Охарактеризуйте разновидности архитектур микропроцессорных систем.
4. Рассчитайте длительности этапов переходного процесса переключения диода из прямого направления в обратное при активной нагрузке, опишите явления, происходящие при этом в диоде.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 11
1. Приведите анализ работы релаксационных генераторов на примере работы мультивибратора. Дайте назначение всех элементов схемы.
2. Опишите физическую суть процессов, протекающих в полупроводниковой структуре туннельного диода и определяющих вид его статической ВАХ.
3. Поясните параметры команд микропроцессора, способы адресации операндов на примере микроконтроллера MC68HC08GP32 семейства Motorola.
4. Рассчитайте амплитуду и внутреннее сопротивление источника управляющего напряжения ключа на биполярном транзисторе, необходимого для создания коэффициента насыщения, равного 5.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 12
1. Приведите классификацию и охарактеризуйте цифровые счетные устройства, приведите примеры схем.
2. Опишите физическую суть процессов, протекающих в полупроводниковой структуре биполярного транзистора и определяющих вид его статической ВАХ. 3. Поясните работу схемы усилительного каскада с общим эмиттером и объяснить назначение всех элементов схемы.
4. Рассчитайте время включения ключа на биполярном транзисторе с активной нагрузкой.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|