- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 1
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 2
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 3
- •Билет № 5
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 6
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 4
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 7
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 8
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 9
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 10
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 11
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 12
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 13
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 14
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 15
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 16
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 17
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 18
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 19
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 20
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 21
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 22
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 23
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 24
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 25
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 26
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 27
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 28
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 29
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 30
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 31
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 32
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 33
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 34
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 13
1. Приведите классификацию, назначение, основные характеристики различных типов памяти микропроцессорных систем.
2. Опишите физическую суть процессов, протекающих в полупроводниковой структуре полевого транзистора с управляющим р-п-переходом и определяющих вид его статических ВАХ.
3. Поясните работу схемы усилительного каскада с общим коллектором и объяснить назначение всех элементов схемы.
4. Рассчитайте время выключения ключа на биполярном транзисторе с активной нагрузкой в режиме активного запирания.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 14
1. Приведите классификацию, типы архитектур, охарактеризуйте особенности организации, режимы работы современных микроконтроллеров.
2. Опишите физическую суть процессов, протекающих в полупроводниковой структуре полевого транзистора с индуцированным каналом и определяющих вид его статических ВАХ.
3. Поясните проблемы при создании усилителей постоянного тока и методы их решения. Приведите схему параллельно-балансного каскада.
4. Рассчитайте время выключения ключа на биполярном транзисторе с активной нагрузкой в режиме пассивного запирания.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 15
1. Приведите алгоритм генерирования управляющих сигналов на микроконтроллере. Нарисуйте блок-схему алгоритма.
2. Опишите физические процессы, реализующиеся в области в “p-n” – перехода полупроводникового диода, и укажите их связь с его статическими ВАХ.
3. Поясните, что такое операционный усилитель. Приведите основные параметры и нарисовать передаточную характеристику.Опишите назначение цепей коррекции операционного усилителя.
4. Рассчитайте время включения ключа на МДП-транзисторе с активной нагрузкой.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|