- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 1
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 2
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 3
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 4
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 5
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 6
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 7
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 8
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 9
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 10
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 11
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 12
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 13
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 14
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 15
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 16
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 17
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 18
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 19
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 20
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 21
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 22
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 23
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 24
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 25
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 26
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 27
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 28
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 29
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 30
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 31
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 32
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 33
- •Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
- •Билет № 34
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 4
1. Приведите анализ физических процессов, происходящих в магнетроне и определяющих его эксплуатационные характеристики (рассмотрев при этом конструктивные особенности прибора).
2. Опишите работу схемы дифференцирующего усилителя на ОУ. Отметьте ее недостатки.
3. Поясните особенности работы полупроводниковых ключей на комплексную нагрузку, причины, по которым прибор может выйти из строя при коммутации.
4. Рассчитайте данные, запрограммируйте и нарисуйте схему сопряжения светодиода с микроконтроллером, считая, что прямое падение напряжения на светодиоде равно 1,7 В, прямой ток светодиода равен 15 мА.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» |
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 5
1. Приведите анализ физических процессов, происходящих в лампах бегущей и обратной волны и определяющих их эксплуатационные характеристики (рассмотрев при этом конструктивные особенности указанных приборов).
2. Опишите работу усилителя неявного дифференцирования. Приведите необходимость применения усилителя неявного дифференцирования. Постройте ее ЛАЧХ.
3. Поясните принципы защиты полупроводниковых приборов при их работе на RC-нагрузку, приведите схемы защиты и опишите их работу.
4. Рассчитайте и определите данные для организации ветвления по условию «результат больше или равно нулю» на примере вычисления суммы чисел, заданных в формате без знака. Напишите фрагмент программы на языке ассемблера для микроконтроллера MC68HC08GP32.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» |
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 6
1. Приведите анализ физических процессов, происходящих в диоде Ганна и определяющих эксплуатационные характеристики генератора, собранного на его основе (описать также конструкцию генераторного блока).
2. Опишите особенности построения резонансного усилителя.
3. Поясните принципы защиты полупроводниковых приборов при их работе на RL-нагрузку, приведите схемы защиты и опишите их работу.
4. Рассчитайте параметры и запрограммируйте модуль таймера/счетчика TIM08 микроконтроллера MC68HC08GP32 в режиме выходного сравнения для отсчета заданного временного интервала. Напишите фрагмент программы на языке ассемблера для микроконтроллера MC68HC08GP32.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|