К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 1
1. Приведите анализ физических процессов (лавинное умножение носителей заряда, пробой, утечки тока), определяющих форму вольтамперной характеристики реального “p-n” – перехода.
2. Опишите блок схему усилителя. Дать основные параметры, характеристики.
3. Поясните, с какими процессами связаны максимальные электрические параметры полупроводниковых приборов.
4. Рассчитайте и определите параметры для отсчета заданного временного интервала t методом программных циклов и напишите фрагмент программы на языке ассемблера для микроконтроллера MC68HC08GP32.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
|
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 2
1. Приведите анализ физических процессов, происходящих в отражательном клистроне и определяющих его эксплуатационные характеристики (рассмотрев при этом конструктивные особенности прибора и его временные диаграммы).
2. Опишите все виды обратных связей и рассмотреть их влияние на параметры схемы.
3. Поясните, что такое область безопасных режимов полупроводникового прибора, с какими параметрами прибора она связана и как отличается при работе прибора в непрерывном и импульсном режимах.
4. Рассчитайте и определите параметры для отсчета временного интервала t с использованием модуля таймера/счетчика TIM08. Напишите фрагмент программы на языке ассемблера для микроконтроллера MC68HC08GP32.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» |
Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»
Государственный экзамен
Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»
Образовательная программа: «Промышленная электроника»
Билет № 3
1. Приведите анализ физических процессов, происходящих в пролетном клистроне и определяющих его эксплуатационные характеристики (рассмотрев при этом конструктивные особенности прибора и его временные диаграммы).
2. Опишите схему разностного усилителя. Напишите условие, при котором на выход не проходит синфазный сигнал.
3. Поясните, что такое тепловое сопротивление полупроводникового прибора, из каких составляющих складывается и как его можно уменьшить.
4. Рассчитайте и определите параметры для организации программного прерывания по команде swi ( или внешнего прерывания). Напишите фрагмент программы обработки прерывания на языке ассемблера для микроконтроллера MC68HC08GP32.
Утверждаю:
Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов
05.05.2017
К Г Э У |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» |