- •41.Тензометрические полупроводниковые чувствительные элементы. Схемы включения тензорезисторов.
- •42.Тензорезистивные кремниевые датчики. Характеристики и параметры мостовых тензорезисторных преобразователей давления.
- •43.Градуировка, балансировка и компенсация температурной погрешности мостовой схемы тензопреобразователей.
- •47. Магнитоупругие преобразователи (муп). Принцип действия и конструкция муп. Схемы включения муп. Погрешность муп. Магнитоупругий датчик измерения силы.
- •48. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи.
- •49. Датчики Виганда.
- •51.Эффект Холла. Материалы для изготовления датчиков Холла (дх). Основные параметры дх и их связь со свойствами полупроводника.
- •52. Технология изготовления дх.
- •53.Магниторезистивные преобразователи. Основные параметры магниторезисторов.
- •54.Технология изготовления магниторезисторов.
- •55.Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •56.Магнитодиодный эффект. Параметры магнитодиодов.
- •57.Конструкция и технология изготовления магнитодиодов. «Торцевые» и планарные магнитодиоды.
- •59.Основные задачи температурных измерений. Физические основы температурных измерений.
- •60.Погрешности температурных измерений контактными датчиками.
- •61.Полупроводниковые терморезисторы (тр). Основные характеристики тр: температурная зависимость сопротивления, вольт-амперные характеристики, инерционность, стабильность и срок службы.
- •62.Тр с отрицательным и положительным ткс. Кремниевые датчики температуры.
- •63.Применение датчиков температуры: медный, платиновый и марганцевый термометры сопротивления.
- •64.Основные задачи измерений тепловых потоков. Классификация датчиков теплового потока (дтп). Физические модели «тепловых» дтп.
- •65.Тонкопленочные дтп, калориметрические дтп
- •66.Градиентные (с продольным и поперечным градиентом) дтп
- •67. Бесконтактные измерители температуры. Тепловые фотоприемники. Применение пироэлектриков.
- •68. Биосенсоры. Применение биосенсоров: биосенсоры на основе бактерий, микроорганизмов, биологических тканей. Проблемы и перспективы развития.
- •69. Датчики газового состава. Электродные реакции.
- •70.Электрохимические методы анализа: кондуктометрия, потенциометрия, вольтамперометрия, амперометрия, кулонометрия.
- •71. Химические измерения: кислотность, окислительно- восстановительный потенциал, проводимость.
- •73.Особенности «интеллектуальных» датчиков физических величин. Функциональные возможности и требования, предъявляемые к «интеллектуальным» датчикам.
- •74.Микропроцессорные модули для интеллектуальной обработки информации. Измерительный канал «интеллектуальных» датчиков.
- •75.Основные критерии выбора микроконтроллера для «интеллектуального» датчика.
- •76. Универсальный интерфейс преобразователя.
- •77.Стандартизация интерфейсов «интеллектуальных» датчиков (семейство ieee р 1451). Коррекция ошибок в «интеллектуальных» датчиках.
- •79.Исполнение датчиков в зависимости от воздействия климатических факторов внешней среды.
- •80.Исполнение датчиков в зависимости от степени защиты от воздействия твердых тел (пыли) и пресной воды.
- •81. Исполнение датчиков в зависимости от устойчивости к воздействию синусоидальной вибрации.
48. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи.
Гальваномагниторекомбинационные преобразователи (ГМРП) основаны на изменении средней концен трации носителей заряда под действием магнитного тюля, проявляющемся в проводниках, которые имеют поверхности с разной скоростью рекомбинации носителей зарядов [75]. ГМРП обычно представляет собой тонкую полупроводниковую пластинку, у которой одна из боковых поверхностей (1) грубо обработана (пескоструйка, грубая шлифовка), а другая (2) - отполирована. Вследствие этого у поверхности I скорость рекомбинации носителей зарядов на 2-3 порядка больше, чем у поверхности 2. Если ГМРП находиться в магнитном поле так, что вектор магнитной индукции направлен перпендикулярно вектору плотности тока через ГМРП и параллельно плоскостям рекомбинации, то под действием силы Лоренца произойдет смещение носителей к одной из боковых поверхностей. Если направление магнитного поля таково, что заряды перемещаются к поверхности /, то общая концентрация носителей зарядов уменьшается и соответственно возрастает сопротивление ГМРГ1. При обратном направлении вектора магнитной индукции изменяется направление силы Лоренца, что приведет к перемещению зарядов к поверхности 2, у которой малая скорость рекомбинации, и к общему увеличению концентрации зарядов, т.е. к уменьшению сопротивления ГМРГ1. ГМРП обычно включается последовательно с сопротивлением нагрузки в цепь, питаемую от стабилизированного источника постоянного или переменного напряжения.
49. Датчики Виганда.
Новейшей разработкой в области датчиков магнитного поля является датчик Виганда [76]. Он состоит из предварительно обработанной механически проволоки из сплава «Викалой» (10% V, 52% Со, 38% Fe) диаметром
около 0,3 мм, намотанной в виде катушки длиной 15 мм, имеющей около 1300 витков. Если эту катушку поместить в магнитное поле, то при превышении определенной величины напряженности поля направление намагничивания спонтанно изменится. В результате этого изменения возникает импульс напряжения длительностью 20 мке и амплитудой около 2,5 В.
Достоинствами датчика Виганда являются: отсутствие необходимости в источнике питания, большая величина сигнала (несколько вольт), широкий температурный диапазон (минус 196...плюс 175°С), конструктивная защищенность от коротких замыканий, искробезопасность.
Изменение во времени импульса, возникшего в магнитно-бистабильной проволоке. Амплитуда и длительность импульсов не зависит от скорости изменения магнитного поля, гак что датчики указанного типа могут применяться при скоростях, даже близких к нулю. Поэтому индуктивные методы уступают в таких случаях данному способу измерения. применение такого датчика для измерения скорости вращения.
50. Гальваномагнитные явления. Характеристика основных гальваномагнитных эффектов.
Наибольшее техническое применение получили следующие гальваномагнитные явления: эффект Холла, эффект магнитосопротивления (называемый также эффектом Гаусса), магнитодиодный эффект. Другие гальваномагнитные явления - эффект Эттингсгау- зена и эффект Нернста не находят широкого практического приложения. Гальваномагнитные эффекты возникают под действием поперечного магнитного поля при протекании через образец электрического тока. В то же время для термомагнитных эффектов, сопутствующих гальваномаг- нитным, первичными являются тепловой поток и нормальное к нему магнитное поле. Величина продольных эффектов (кроме эффекта Гаусса) по сравнению с напряжением питания пренебрежимо мала. Поэтому кратко рассмотрим лишь поперечные эффекты, сопровождающие эффект Холла. Эффект Эттингсгаузена заключается в появлении поперечной разности температур под влиянием протекающего через образец тока и перпендикулярного к нему магнитного поля. В результате эффекта Эттингсгаузена в холловской пластине возникает термо-ЭДС, которая прибавляется к напряжению Холла. Поперечный эффект Нернста - Эттингсгаузена заключается в появлении поперечного напряжения в пластине под влиянием магнитного поля и теплового потока. Знак напряжения Нернста - Эттингсгаузена зависит от направления магнитного поля и не зависит от направления тока. Эффект Риги-Ледюка заключается в появлении поперечного градиента температуры в полупроводниковой пластине, в которой имеется продольный градиент температуры, при воздействии магнитного поля. В результате этого эффекта на потенциальных электродах датчика Холла (ДХ) появляется термо-ЭДС. Ее знак положительный для полупроводника р-типа и отрицательный для полупроводника п-типа.
Классификация гальвано- и термомагнитных эффектов:
Эффекты |
Поперечный |
Продольный |
Гальваномагнит ные |
Эффект Холла (поперечная разность потенциалов) Эффект Эттингсгаузена (поперечная разность температур) |
Эффект Гаусса (изменение удельного сопротивления в магнитном поле) Эффект Нернста (продольная разность температур) |
Термомагнитные |
Эффект Риги-Ледюка (поперечная разность температур) Эффект Нернста-Эттин- гсгаузена (поперечная разность потенциалов) |
Эффект Маджи-Риги-Ледюка (изменение теплопроводности в магнитном поле) Продольный эффект Нернста-Эттингсгаузена (продольная разность температур) |
