- •41.Тензометрические полупроводниковые чувствительные элементы. Схемы включения тензорезисторов.
- •42.Тензорезистивные кремниевые датчики. Характеристики и параметры мостовых тензорезисторных преобразователей давления.
- •43.Градуировка, балансировка и компенсация температурной погрешности мостовой схемы тензопреобразователей.
- •47. Магнитоупругие преобразователи (муп). Принцип действия и конструкция муп. Схемы включения муп. Погрешность муп. Магнитоупругий датчик измерения силы.
- •48. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи.
- •49. Датчики Виганда.
- •51.Эффект Холла. Материалы для изготовления датчиков Холла (дх). Основные параметры дх и их связь со свойствами полупроводника.
- •52. Технология изготовления дх.
- •53.Магниторезистивные преобразователи. Основные параметры магниторезисторов.
- •54.Технология изготовления магниторезисторов.
- •55.Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •56.Магнитодиодный эффект. Параметры магнитодиодов.
- •57.Конструкция и технология изготовления магнитодиодов. «Торцевые» и планарные магнитодиоды.
- •59.Основные задачи температурных измерений. Физические основы температурных измерений.
- •60.Погрешности температурных измерений контактными датчиками.
- •61.Полупроводниковые терморезисторы (тр). Основные характеристики тр: температурная зависимость сопротивления, вольт-амперные характеристики, инерционность, стабильность и срок службы.
- •62.Тр с отрицательным и положительным ткс. Кремниевые датчики температуры.
- •63.Применение датчиков температуры: медный, платиновый и марганцевый термометры сопротивления.
- •64.Основные задачи измерений тепловых потоков. Классификация датчиков теплового потока (дтп). Физические модели «тепловых» дтп.
- •65.Тонкопленочные дтп, калориметрические дтп
- •66.Градиентные (с продольным и поперечным градиентом) дтп
- •67. Бесконтактные измерители температуры. Тепловые фотоприемники. Применение пироэлектриков.
- •68. Биосенсоры. Применение биосенсоров: биосенсоры на основе бактерий, микроорганизмов, биологических тканей. Проблемы и перспективы развития.
- •69. Датчики газового состава. Электродные реакции.
- •70.Электрохимические методы анализа: кондуктометрия, потенциометрия, вольтамперометрия, амперометрия, кулонометрия.
- •71. Химические измерения: кислотность, окислительно- восстановительный потенциал, проводимость.
- •73.Особенности «интеллектуальных» датчиков физических величин. Функциональные возможности и требования, предъявляемые к «интеллектуальным» датчикам.
- •74.Микропроцессорные модули для интеллектуальной обработки информации. Измерительный канал «интеллектуальных» датчиков.
- •75.Основные критерии выбора микроконтроллера для «интеллектуального» датчика.
- •76. Универсальный интерфейс преобразователя.
- •77.Стандартизация интерфейсов «интеллектуальных» датчиков (семейство ieee р 1451). Коррекция ошибок в «интеллектуальных» датчиках.
- •79.Исполнение датчиков в зависимости от воздействия климатических факторов внешней среды.
- •80.Исполнение датчиков в зависимости от степени защиты от воздействия твердых тел (пыли) и пресной воды.
- •81. Исполнение датчиков в зависимости от устойчивости к воздействию синусоидальной вибрации.
61.Полупроводниковые терморезисторы (тр). Основные характеристики тр: температурная зависимость сопротивления, вольт-амперные характеристики, инерционность, стабильность и срок службы.
Терморезисторами называются приборы, у которых электрическое сопротивление изменяется при изменении температуры. На использовании этих приборов основан один из распространенных методов электрических измерений температуры. Изменение сопротивления в зависимости от температуры количественно выражается температурным коэффициентом сопротивления (ТКС). Терморезистивный эффект проявляется в металлах и используется в проволочных термометрах сопротивления, однако ТКС в случае металлов мал - 0.4-0.5 %/град. В полупроводниках ТКС в 10-20 раз выше, чем в металлах. Применение полупроводниковых резисторов повышает точность измерений и позволяет использовать более простые вторичные приборы. Терморезисторы находят широкое применение в современной технике. Однако терморезисторы из окислов переходных металлов полностью не удовлетворяют некоторым новым ее требованиям. В частности, слабой стороной таких приборов является временная стабильность, которая оказывается во многих случаях недостаточной, несмотря на проведение искусственного старения в процессе их изготовления. Материалом для изготовления монокристаллических терморезисторов чаще всего служат германий, кремний, их твердые растворы, карбид кремния и другие полупроводники. Терморезисторы для низкотемпературных измерений были разработаны из германия, легированного сурьмой и золотом, кремния, легированного медью, антимонида галлия, арсенида галлия и др. Изготовление терморезисторов из объемных поли- и монокристаллов имеет все те же общие для кристаллических приборов недостатки, заключающиеся в обилии точной механической обработки элементов, высокой себестоимости продукции. Основные характеристики герморезисторов: Полупроводниковые терморезисторы (ТР) широко применяются в технике для измерения и контроля температур. К ТР современных температурных датчиков предъявляют ряд специальных требований: миниатюрность, малая постоянная времени, высокая стабильность, линейность статической характеристики в широком диапазоне температур, взаимозаменяемость. Температурная ’зависимость сопротивления: Величина сопротивления ТР с отрицательным ТКС в рабочем диапазоне температур изменяется в зависимости от температуры по экспоненциальному закону: R = Ае/Т, Для практических расчетов величины сопротивления ТР при различных температурах окружающей среды можно пользоваться формулой: RT2 = Rne vT|T! . При измерениях Rn, Rt2 терморсзистор необходимо помещать в ультратсрмостат. Температуры Т| и Т2 должны поддерживаться и измеряться с точностью не ниже 0.05 °С . Вольт-амперные характеристики: При использовании ТР в ряде случаев существенное значение имеют их статические вольт-амперные характеристики, определяющие зависимость тока, протекающего через чувствительный элемент, от величины приложенного к нему напряжения в условиях теплового равновесия между ТР и внешней средой. Вид вольт-амиериой характеристики ТР, помимо его конструкции и габаритных размеров, определяется величиной электрического сопротивления, параметрами полупроводникового материала, средой, которая окружает ТР, се температурой, а также свойствами тепловой связи ТР с внешней средой. Инерционность: Тепловая инерционность ТР в основном определяется скоростью восприятия им температуры окружающей среды. О степени тепловой инерционности судят по величине постоянной времени. За величину постоянной времени бусинковых ТР принимают время, в течение которого температура ТР, предварительно нагретого электрическим током и находящегося в воздушной среде с температурой 20 °С, уменьшится в е раз (2.718). Инерционность ТР зависит от их конструкции и размеров, а также определяется теплопроводностью окружающей среды. Стабильность и срок службы: Промышленные образцы современных терморезисторов достаточно стабильны, если при эксплуатации их температура не превышает максимально допустимой величины. Характеристики изменения сопротивления некоторых промышленных ТР в результате их длительного пребывания при максимальной рабочей температуре даны на графиках (рис. 4.2). Изменения этой величины при длительном хранении ТР в нормальных условиях. Максимальный срок службы ТР, гарантируемый техническими условиями, обычно составляет не менее 5000 ч. Длительное хранение ТР или их эксплуатация при температурах, не превышающих предельно допустимых значений, улучшает стабильность полупроводникового элемента. Ограничение срока службы техническими условиями обычно связано с возможным появлением дефектов в металлической арматуре или в защитном покрытии. При аккуратном и бережном обращении с ТР и эксплуатации их в нормальных условиях они могут работать значительно дольше, чем указано в технических условиях.
