Классификация основных полупроводниковых устройств памяти

Для классификации используется основные функциональные характеристики микросхем: необходимость внешнего источника энергии при сохранении информации, возможность перезаписи информации и способ доступа к данным. В таблице приведены основные типы полупроводниковых схем памяти в соответствии с этими признаками.

 

Перезаписываемые устройства памяти		Энергонезависимые устройства памяти с электрической перезаписью	Архивные устройства памяти (только считывание)
С произвольной выборкой	Не имеющие произвольной выборки
SRAM	FIFO	EPROM	Масочные
DRAM	LIFO	E 2 PROM	Программируемые (PROM)
	Сдвиговый регистр	FLASH
	CAM

В настоящее время практически все устройства памяти изготавливаются по MOS технологии. На правом рисунке приведена диаграмма, характеризующая взаимоотношение устройств приведенных в таблице. К устройствам памяти, требующим питания (англ. Volatile) относятся RAM (от англ. Random Acess Memory)? которые делятся на статические SRAM (от англ. Static Random Acess Memory) и динамические DRAM (от англ. Dynamic Random Acess Memory). К энергонезависимой памяти относятся схемы, предназначенные преимущественно для считывания информации ROM (от англ. Read Only Memory). Сред них не программируемые пользователем ROM и программируемые электрически EPROM (от англ. Electric programe ROM). Этот тип памяти не допускает перепрограммрования путем стирания информации, что возможно в памяти допускающей стирание информации электрическим путем - EEPROM (от англ. Electic Erase Programe ROM). Этот тип памяти допускает побитовую запись и стирание, в отличие от Flash памяти, которая допускает программирование и стирание только отдельными блоками. Flash в переводе с английского означает кадр, вспышка.

Энергонезвисимые схемы памяти, предназначенные преимущественно для чтения. Rom

Д ля классификации используется основные функциональные характеристики микросхем: необходимость внешнего источника энергии при сохранении информации, возможность перезаписи информации и способ доступа к данным. В таблице приведены основные типы полупроводниковых схем памяти в соответствии с В настоящее время практически все устройства памяти изготавливаются по MOS технологии. На правом рисунке приведена диаграмма, характеризующая взаимоотношение устройств приведенных в таблице. К устройствам памяти, требующим питания (англ. Volatile) относятся RAM (от англ. Random Acess Memory)? которые делятся на статические SRAM (от англ. Static Random Acess Memory) и динамические DRAM (от англ. Dynamic Random Acess Memory). К энергонезависимой памяти относятся схемы, предназначенные преимущественно для считывания информации ROM (от англ. Read Only Memory). Сред них не программируемые пользователем ROM и стираемые ROM - EPROM (от англ. ErasableProgrammable Read-Only Memory ). Этот тип памяти допускает одновременное стирание всей информации с последующим программированием. Более совершенным является память, в которой возможно -программирование и стирание информации электрическим путем - EEPROM (от англ. Electic Erase Programe ROM). Этот тип памяти допускает побитовую запись и стирание, в отличие от Flash памяти, которая допускает программирование и стирание только отдельными блоками. Flash в переводе с английского означает кадр, вспышка.