Генерирование импульсных сигналов

§1. Мультивибратор на туннельном диоде

В точках 1 и 3 наблюдаются скачки, ;

Учет , в медленном процессе

при скачках из точки 1 в 2

С - ускорение

точка неустойчива

§2. Ждущий мультивибратор на туннельном диоде

§3. Триггер на туннельном диоде

точка - неустойчива

§ 4. ГПН на тиристоре

Заряд:

Разряд:

мало

§5. Мультивибратор на ОУ

Состояние покоя других нет, если

Противоречие

из схемы:

д ля скачка

М едленные процессы

Идеализируем передаточную характеристику:

П усть при

далее

т.о.

§6. Ключевой режим работы транзистора

Транзистор насыщен при и, следовательно - условие насыщения.

В ключевом режиме или вне зависимости от транзистора - стабильно.

§7. Мультивибратор на транзисторах

2 -х каскадный усилитель с положительной обратной связью.

Коэффициент петлевого усиления , когда оба транзистора открыты, когда один или оба заперты или насыщены.

Состояние покоя – разрываем открыты.

Если , а это типичный случай, самовозбуждение будет жёсткое - нужен принудительный толчок для запуска. Например, если - вывести в активную область, тогда один транзистор запирается, а другой уходит в насыщение. Если , то . Уход из состояния покоя быстрый. Скорость определяется паразитными ёмкостями и если вырождается в скачок.

Будем считать, что самовозбуждение произошло. В схеме установился режим периодических колебаний (т.к. состояние равновесия одно и оно неустойчиво). Процесс состоит из чередующихся медленных движений – пока и скачков – когда .

Рассмотрим медленные процессы. Начать можно с любого момента.

Пусть при заперт, а насыщен. заперт за счет заряженного конденсатора . Это предположение, которое мы потом докажем.

разряжается через .

заряжается через . открывается – начало скачка чуть позже, когда выйдет из насыщения за счёт уменьшения .

После опрокидывания закроется, а откроется разряжается, заряжается.

Цепь разряда :

при

Цепь заряда :

Чтобы фронт был коротким д.б. : если условие насыщения не выполняется:

Схема с одним источником.