Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:voprosy_po_Banishevu.docx
X
- •1. Понятие активной среды; условия усиления оптического излучения в активной среде, коэффициент усиления. Резонаторы, их роль в работе лазеров.
- •1. Полупроводниковый инжекционный лазер; условия достижения инверсной населенности в области p-n перехода, условия усиления и генерации в лазерах на p-n переходах.
- •1. Лазеры с распределенной обратной связью (рос-лазеры), лазеры с распределенным брэговским отражением (рбо-лазеры).
- •1. Квантовый генератор (лазер); условия генерации оптического излучения в квантовом генераторе- (условия самовозбуждения:-баланс амплитуд, согласование фаз)
- •2. Акустооптический модулятор (аом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •1. Полупроводниковый инжекционный лазер; условия достижения инверсной населенности в области p-n перехода, условия усиления и генерации в лазерах на p-n переходах.
- •2. Электрооптический модулятор (эом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •2. Акустооптический модулятор (аом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •1. Источники излучения в ио – полупроводниковые лазеры, светодиоды (требования к характеристикам излучения)
- •2. Полупроводниковый инжекционный лазер; условия достижения инверсной населенности в области p-n перехода, условия усиления и генерации в лазерах на p-n переходах.
- •2. Лазеры с распределенной обратной связью (рос-лазеры), лазеры с распределенным брэговским отражением (рбо-лазеры).
- •1. Структура активных элементов полупроводниковых ис на мдп (моп) транзисторах: -структура мдп-транзистора (основной активный элемент ис).
- •2. Понятие активной среды; условия усиления оптического излучения в активной среде, коэффициент усиления. Резонаторы, их роль в работе лазеров.
- •2. Электрооптический модулятор (эом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •1. Акустооптический модулятор (аом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •1. Полупроводниковый инжекционный лазер; условия достижения инверсной населенности в области p-n перехода, условия усиления и генерации в лазерах на p-n переходах.
- •2. Акустооптический модулятор (аом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •2. Электрооптический модулятор (эом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •1. Определение интегральной схемы (ис). Критерий оценки сложности ис.
- •2. Лазеры с распределенной обратной связью (рос-лазеры), лазеры с распределенным брэговским отражением (рбо-лазеры).
- •1. Полупроводниковый инжекционный лазер; условия достижения инверсной населенности в области p-n перехода, условия усиления и генерации в лазерах на p-n переходах.
- •2. Источники излучения в ио – полупроводниковые лазеры, светодиоды (принцип работы, требования к характеристикам излучения)
- •1. Понятие активной среды; условия усиления оптического излучения в активной среде, коэффициент усиления. Резонаторы, их роль в работе лазеров.
- •1. Лазеры с распределенной обратной связью (рос-лазеры), лазеры с распределенным брэговским отражением (рбо-лазеры).
- •1. Полупроводниковый инжекционный лазер; условия достижения инверсной населенности в области p-n перехода, условия усиления и генерации в лазерах на p-n переходах.
- •2. Акустооптический модулятор (аом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •1. Полупроводниковый инжекционный лазер; условия достижения инверсной населенности в области p-n перехода, условия усиления и генерации в лазерах на p-n переходах.
- •2. Электрооптический модулятор (эом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •1. Электрооптический модулятор (эом), устройство, требования к используемым материалам, принцип работы и основные характеристики.
- •5.1. Рекомендуемая литература
5.1. Рекомендуемая литература
а) основная литература:
1. Пихтин А.Н., Оптическая и квантовая электроника, Москва, Высшая школа, 2001,-572с.
2. А.А.Щука, Электроника, Санкт-Петербург, БХВ-Петербург, 2005, с.799
3. В.Ф.Дмитриев, Устройства интегральной электроники, Санкт-Петербург, 2006, -168с.
4. И.П.Степаненко, Основы микроэлектроники, Москва, Лаборатория базовых знаний, 2003, с.488
б) дополнительная литература:
1. В.Гуртов, Твердотельная электроника, Москва, 2005, -406с.
2. Морган Д., Устройства обработки сигналов на поверхностных волнах, Пер.с англ. М.Радио и связь, 1990, 416с.
3. Карлов Н.В., Лекции по квантовой электронике, Москва, Наука, 1988, 334с.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]