Лекция 3 Технические данные и маркировка полупроводниковых диодов
Полупроводниковыми называются приборы, действие которых ос-новано на использовании свойств полупроводниковых материалов. Классификация полупроводниковых приборов приведена на рис. 17.
Рис. 17 Классификация полупроводниковых приборов
Полупроводниковые резисторы - приборы с двумя выводами, в которых электрическое сопротивление зависит от приложенного напряжения, температуры, освещенности, механических деформаций и других управляющих параметров. Полупроводниковые резисторы широко используются в качестве датчиков освещенности, в системах регулирования температуры, тепловой защиты, противопожарной безопасности.
Полупроводниковые диоды - приборы с одним р-n-переходом и двумя выводами, в которых используются свойства этого перехода. Полупроводниковые диоды широко применяются в электронике для выпрямления электрического тока, стабилизации на¬пряжения и тока, для генерации высокочастотных сигналов, в качестве быстродействующих переключателей в системах автоматики и т.д.
Полупроводниковые фотоэлектрические приборы - это приборы, в которых используется эффект взаимодействия оптического излучения (видимого инфракрасного или ультрафиолетового) с носителями заряда (электронами или дырками). Эти приборы широко используются в системах автоматики, контрольно-измерительных устройствах, в системах оптоволоконной техники, в качестве элементов солнечных батарей и др.
Биполярные транзисторы - полупроводниковые приборы, имеющие два р-n-перехода и используемые для усиления и генерации электрического сигнала.
Полевые транзисторы - полупроводниковые приборы, в которых используются полупроводниковые материалы с различными типами электропроводности и которые образуют один р-n-переход. Полевые транзисторы применяются в качестве усилителей и генераторов на высоких частотах.
Тиристоры - полупроводниковые приборы, имеющие три или более р-n -переходов и работающие в двух устойчивых состояниях - открытом и закрытом. Тиристоры широко применяются в качестве быстродействующих переключателей.
Полупроводниковые микросхемы - микроэлектронные изделия, предназначенные для преобразования электрического сигнала, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла.
Комбинированные полупроводниковые приборы представляют собой различные полупроводниковые приборы, объединенные в один корпус. Эти приборы широко применяются в системах автоматики и связи, в вычислительной технике и т.д.
Условные обозначения полупроводниковых диодов
Условное обозначение полупроводниковых диодов в соответствии с ГОСТ 10 862-72 состоит из четырех элементов.
Первый элемент - буква или цифра - обозначает исходный полупроводниковый материал: Г или 1 - германий и его соединения; К или 2 - кремний и его соединения; А или 3 - галлий и его соединения. Второй элемент - буква - указывает класс прибора: Д - диоды; Ц - выпрямительные столбы и блоки; А - диоды СВЧ; В - варикапы; И - туннельные и обращенные диоды; Н – диодные тиристоры; У - триодные тиристоры; JI - излучатели (светодиоды); Г - генераторы шума; Б - диоды Ганна; К – стабилизаторы тока; С - стабилитроны и стабисторы. Третий элемент состоит из трех цифр, обозначающих назначение и качественные свойства приборов, а также порядковый номер разработки. Ниже приводятся расшифровка третьего элемента обозначения различных типов диодов (табл. 10) и обозначение третьего элемента стабилитронов в зависимости от их мощности (табл. 11). Четвертый элемент (буква) обозначает классификацию диода внутри технологического типа по одному или нескольким электрическим параметрам. В ряде случаев такая классификация может осуществляться без буквы только с помощью третьего элемента, при этом приборам одного типа, но с различными классификационными параметрами даются разные трехзначные номера в пределах соответствующей сотни. Иногда в конце обозначения ставят две буквы, последняя из которых может обозначать конструктивную модификацию данного диода. Например, КД202К означает кремниевый выпрямительный диод с допустимым средним прямым током до 10 А, разновидность К.
Таблица 10. Условное обозначение третьего элемента полупроводникового диода
Тип прибора |
Обозначение |
Выпрямительные диоды: малой мощности со средним значением силы тока до 0,3 А средней мощности со средним значением силы тока0,3... 10 А универсальные с частотой менее 1 ГГц |
101 ...199 201 ...299 401 ...499 |
Импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления, нс: более 150 от 30 до 150 от 5 до 30 от 1 до 5 менее 1 |
501 ...599 601...699 701 ...799 801 ...899 901 ...999 |
Выпрямительные столбы: малой мощности со средним значением прямого тока до 0,3 А средней мощности со средним значением прямого тока 0,3... 10 А |
101...199 201...299 |
Выпрямительные блоки: малой мощности со средним значением прямого тока до 0,3 А средней мощности со средним значением прямого тока 0,3... 10 А |
301...399 401...499 |
Диоды СВЧ: смесительные детекторные параметрические регулирующие умножительные генераторные |
101...199 201...299 401...499 501...599 601...699 701...799 |
Варикапы: подстроенные умножительные |
101...199 201...299 |
Туннельные диоды. усилительные генераторные переключательные обращенные |
101...199 201...299 301...399 401...499 |
Диодные тиристоры: малой мощности со средним значением прямого тока до 0,3 А средней мощности со средним значением прямого тока 0,3... 10 А |
101...199 201...299 |
Триодные тиристоры: незапираемые малой мощности со средним значением прямого тока до 0,3 А незапираемые средн. мощности со средн. значением прямого тока 0,3... 10 А запираемые малой мощности со средним значением прямого тока до 0,3 А запираемые средней мощности со средним значением прямого тока 0,3... 10 А симметричные незапираемые мал. мощности со сред. значением прям. тока до 0,3 А симметричные незапираемые средн. мощности со средн. знач. прям. тока 0,3... 10 А |
101...199 201...299 301...399 401...499 501...599 601...699 |
Таблица 11. Условное обозначение третьего элемента стабилитронов
Рис. 18 Классификация и условное графическое обозначение полупроводниковых диодов
Наряду с приведенной выше системой обозначений применяется также двух- и трехэлементная система обозначений для маркировки приборов разработки до 1964 г., в которой первый элемент - буква Д - присваивается всем диодам; второй элемент - цифра - означает: 1 - 100 - точечные германиевые диоды, 101 - 200 - точечные кремниевые диоды, 201 - 300 - плоскостные кремниевые диоды, 301 - 400 - плоскостные германиевые диоды, 401 - 500 - СВЧ смесительные детекторы, 501 - 600 - умножительные диоды, 601 -700 - видеодетекторы, 701-749 - параметрические германиевые диоды, 750-800 - параметрические кремниевые диоды, 951 – 1000 - туннельные диоды, 1001 - 1100 - выпрямительные столбы; третий элемент - буквы - обозначает разновидность диодов данного типа. Например, Д226Е обозначает кремниевый выпрямительный диод, разновидность Е, а Д1010А - кремниевый выпрямительный столб.