Файловый архив студентов. Файловый архив студентов.
1309 вузов, 5227 предметов.
/ Регистрация
FAQ Обратная связь Вопросы и предложения
Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника
Предмет:
[НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Файл:
Фізичні основи мікроелектроніки.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
1.09 Mб
Скачать
☆
►Содержание►

  1. Статистика носіїв заряду в напівпровідникових матеріалах

    1. Функція розподілу Фермi-Дiрака задається формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація електронів у зоні провідності визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Принцип невизначеності Гейзенберга виражається рівністю:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Фазовий об’єм електрона визначається формулою:

  1. V = ;

  2. V = ;

  3. V = ;

  4. V = .

    1. Концентрація електронів n у зоні провідності виродженого напівпровідника визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Безрозмірні параметри – зведений рівень Фермі і зведена енергія визначаються виразами:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація електронів n у зоні провідності виродженого напівпровідника через безрозмірні параметри визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Iнтеграл Фермi половинного індексу має вигляд:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація електронів n у зоні провідності невиродженого напівпровідника визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Густина можливих станів у зоні провідності при відсутності виродження електронного газу обчислюється за виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Густина можливих станів у зоні провідності виродженого напівпровідника обчислюється за виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація електронів n у зоні провідності невиродженого напівпровідника через безрозмірні параметри визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація електронів n у зоні провідності виродженого напівпровідника через безрозмірні параметри визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрацiя дiрок у валентнiй зонi визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. +1;

  4. .

    1. Імовірність того, що стан Е зайнятий діркою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація дірок p у валентній зоні виродженого напівпровідника визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація дірок p у валентній зоні невиродженого напівпровідника визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Густина можливих станів у валентній зоні при відсутності виродження електронного газу обчислюється за виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Густина можливих станів у валентній зоні виродженого напівпровідника обчислюється за виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація дірок p у валентній зоні виродженого напівпровідника визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Концентрація дірок у випадку вiдсутностi виродження обчислюється за формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Якщо загальне число локальних центрів одного типу в кристалі складає , то середня концентрація локалізованих на них електронів буде:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Ймовірність заповнення акцепторних рівнів дірками знаходять з виразу:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Власну концентрацію носіїв заряду n знаходять за формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. В області низьких температур концентрацію електронів n у зоні провідності у напівпровіднику, що містить однин тип однозарядних донорів знаходять за формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Ширина забороненої зони в напівпровідниках змінюється з температурою за законом:

  1. ;

  2. ;

  3. 3;

  4. .

    1. В координатах ln(n)-1/Т графік концентрації носіїв заряду має вигляд:

  1. прямої лінії;

  2. гіперболи;

  3. параболи;

  4. еліпса.

    1. Закон діючих мас для не вироджених напівпровідників записують у вигляді:

  1. n = p

  2. np = ;

  3. |n| = |p|;

  4. n2 +p2 = .

    1. Власний напівпровідник це напівпровідник в якому:

  1. n = p;

  2. n p;

  3. n p;

  4. n = 2p.

    1. Якщо напівпровідник має провідність n-типу, то:

  1. рівень Фермі знаходиться в нижній половині забороненої зони;

  2. рівень Фермі знаходиться в верхній половині забороненої зони;

  3. рівень Фермі знаходиться в верхній половині валентної зони;

  4. рівень Фермі знаходиться в нижній половині валентної зони.

    1. Якщо напівпровідник має провідність p-типу, то:

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Помощь Обратная связь Вопросы и предложения Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности