- •Міністерство освіти і науки України
- •П. М. Монтік
- •Електроустаткування –
- •Теорія та практика
- •Рекомендовано Міністерством освіти і науки України як навчальний посібник для студентів неелектротехнічних спеціальностей вузів
- •Передмова
- •Вступ Загальні відомості про електроустаткування
- •Техніка безпеки при експлуатації електроустаткування
- •Заходи щодо безпечного обслуговування діючих установок
- •Попередження іскроутворення і вибухів від статичної електрики
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Орацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Робота 3 Операційні підсилювачі Мета роботи
- •Основні теоретичні положення
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Робота 4 Логічні елементи і комбінаційні пристрої Мета роботи
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
- •Опис установки
- •Проведення дослідів
- •Опрацювання результатів дослідів
- •Запитання для самоперевірки
Опис установки
Експериментальне дослідження однокаскадного підсилювача низької частоти виконують на установці, зібраної на інтегральній мікросхемі типу 119УИ1, генератора синусоїдної напруги і блоку живлення (рис. 2.7). Мікросхема являє собою однокаскадний підсилювач, у якій в одному кристалі поряд з біполярним транзистором типу n-p-n утворені необхідні для її функціонування резистори.
Рис. 2.7. Схема установки для дослідження підсилювача на інтегральній мікросхемі.
До зовнішніх виводів 4, 5 ІМС увімкнути конденсатори розділення С1 і С2 вхідного і вихідного кола. До виводу 11 увімкнено конденсатор С3, ємнісний опір якого в області робочого діапазону частот значно менше опору резистора RЕ в колі емітера. За рахунок цього змінна складова струму не створює спад напруги на цьому резисторі і підвищує тим самим амплітуду вихідної напруги на навантажувальному резисторі Rн. Джерело живлення GB мікросхеми ввімкнуто між її виводами 12, 3, 6.
Напругу на вхід підсилювача подають від генератора звукової частоти G через подільник напруги RP1 і конденсатор С1. Амплітуди вхідної і вихідної напруг вимірюють за допомогою електронного двомежового мілівольтметра PV1, який по черзі приєднують до входу і виходу підсилювача двополюсним перемикачем SA3, що забезпечує одночасне перемикання меж виміру приладу. Двопроміньовий осцилограф PG дозволяє спостерігати вхідні та вихідні сигнали підсилювача.
Проведення дослідів
1. Ознайомитися з приладами, апаратами й устаткуванням експериментальної установки, записати їхні технічні характеристики до протоколу іспиту.
2. Приєднати до підсилювача електронний двопроменевий осцилограф PG і мілівольтметр PV1.
3. Після перевірки керівником правильності з'єднань увімкнути джерела живлення підсилювача, генератора, осцилографа і електронного мілівольтметра.
Встановити
межу лінійності амплітудної характеристики.
Для цього змінювати подільником RP1
вхідну напругу середньої частоти
fсер = 1000 Гц
від нуля до значення, яка відповідає
помітному відхиленню форми кривої
вихідної напруги від вхідного, що
спостерігається на екрані електронного
осцилографа PG. Записати гранично
припустимі значення амплітуд вхідної
напруги
,
.
4.
Скопіювати на кальку сполучені осцилограми
вхідної uвх(t)
і вихідної uвих(t)
напруг підсилювача при
і
.
5. Одержати амплітудну
характеристику, для чого змінювати
амплітуду вхідної напруги в межах
=
=(0...1,5)
при
незмінній середній частоті fср
=1000 Гц, вимірити амплітуду вихідної
напруги
.
Результати спостережень представити таблицею:
№ досліду |
Частота f, Гц |
Амплітуда напруги, В |
|
вхідна
|
вихідна
|
||
1-6 |
|
|
|
6.
Одержати амплітудно-частотну
характеристику підсилювача.
Підтримуючи на вході підсилювача
незмінну амплітуду напруги
= 0,5
,
змінювати частоту звукового генератора
G від
50 Гц
до 20 000 Гц
і вимірювати амплітуду вихідної напруги
.
Результати спостережень звести в таблицю:
№ досліду |
Частота f, Гц |
Амплітуда напруги, В |
|
вхідна |
вихідна
|
||
1-6 |
|
|
|
