- •Введение
- •1. Описание работы схемы
- •1.1 Логические элементы на кмоп-транзисторах
- •1.3 Регистр
- •2. Результаты моделирования схемы в статическом и динамическом режимах
- •3. Особенности технологической библиотеки для проектирования
- •4. Проектирование топологии и результаты верификации
- •4.1 Согласование интегральных резисторов.
- •4.2 Согласование интегральных конденсаторов.
- •4.3. Топология логического элемента
- •4.4. Проверка правильности разработки топологии имс
- •Заключение
- •Список литературы
4. Проектирование топологии и результаты верификации
При разработке топологии следует четко представлять основную цель – достижение в большинстве случаев максимальной плотности упаковки элементов кристалла при минимизации суммарной длины межсоединений и числа пересечений или значительно реже – минимизация только длины межсоединений, их паразитной емкости и индуктивности (особенно для СВЧ устройств).
Проектирование топологии БИС начинается с разработки эскиза топологии функционально – завершенного фрагмента (вентиля, триггера, дифференциального каскада и т.д.). для чего схему электрическую принципиальную перечерчивают в виде, удобном для последующей реализации.
Затем приступают к проектированию топологии фрагмента, при этом следует:
расположить максимально возможное количество резисторов в одном изолированном кармане.
удалить мощные элементы на периферию фрагмента, а сам фрагмент с мощными элементами расположить наиболее близко к краю кристалла.
обеспечить изоляцию элементов, подав самый низкий потенциал на подложку р- типа и самый высокий потенциал на карманы п- типа, таким образом, чтобы суммарное напряжение на изолирующем р-n-переходе не превышало напряжение пробоя изоляции.
при наличии повторяющихся блоков или узлов следует разработать их топологию в виде отдельного фрагмента (файла), который требуемым образом расположить на кристалле.
возможно изменение размеров элементов, направленное на максимальное использование площади кристалла и упрощение трассировки межсоединений, например, формируя конденсатор на р-n-переходе, можно занять полупроводниковой областью всю незадействованную площадь кристалла: изменив ширину и соответственно длину резистора между его головками, можно провести несколько межсоединений и тем самым упростить трассировку.
в местах соединений металлизации с контактными площадками необходимо выполнять локальные расширения величиной около 30 мкм [7].
4.1 Согласование интегральных резисторов.
Резисторы, которые необходимо согласовать, разделяются на сегменты с одинаковой геометрией и объединяются в массивы.
Сегменты согласованных резисторов должны содержать не менее 5 квадратов, обычное число квадратов в сегменте около 20.
Сопротивление, соответствующее дробному числу сегментов, предпочтительно получать последовательно-параллельным соединением сегментов.
Желательно использовать максимально возможную в заданных условиях ширину квадрата резистора для получения большей степени согласования.
Для построения согласованных резисторов необходимо:
выполнять согласованные резисторы из одинакового материала;
ориентировать согласованные резисторы в одинаковом направлении;
использовать размещение с общим центром для массивов сегментов согласованных резисторов;
использовать фиктивные сегменты на краях массива;
подключать согласованные резисторы так, чтобы исключить термоэлектрические эффекты;
располагать согласованные резисторы в областях с низким механическим напряжением;
располагать согласованные резисторы вдали от мощных источников тепла.
