- •10.Примесная проводимость
- •З ависимость положения уровня Ферми от температуры в примесном полупроводнике
- •11. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников
- •Т емпературная зависимость концентрации электронов
- •12. Термисторы. Позисторы. Болометры.
- •2. Применение эффекта Холла для исследования полупроводниковых материалов
- •42.3. Преобразователи Холла
- •14. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках
- •15. Фотопроводимость полупроводников. Фоторезисторы
14. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках
До сих пор мы рассматривали равновесное состояние в полупроводниках.
Допустим теперь, что термодинамическое равновесие нарушено каким-либо образом, например, может произойти генерация избыточных носителей под действием света (внутренний фотоэффект), носители могут быть введены через p-n-переход и т.д. После прекращения воздействия избыточная концентрация носителей заряда в полупроводнике будет уменьшаться из-за рекомбинации, и через некоторое время станет равной нулю.
Каким образом происходит процесс рекомбинации избыточных носителей? Возможны два способа: прямая рекомбинация и рекомбинация с участием ловушек.
П
рямая
рекомбинация
Рекомбинация с участием ловушек
Прямая рекомбинация происходит при “лобовом” столкновении электрона и дырки. Однако такой процесс мало вероятен, т.к. в одном и том же месте в одно и то же вpемя должны встретиться электpон и дырка, движущиеся с одинаковыми по модулю импульсами в противоположных напpавлениях. Вероятность такой встречи примерно 1/10000.
Чаще всего происходит рекомбинация с участием ловушек. Рекомбинационными ловушками являются глубокие уровни, т.е. уровни достаточно удаленные от краев запрещенной зоны. Такие уровни создают некоторые примеси и дефекты.
В этом случае рекомбинация происходит в две стадии, такой процесс более вероятен, так как он не требует одновременного присутствия в данном месте электрона и дырки. Ловушка также воспринимает импульс (количество движения), необходимый для соблюдения закона сохранения импульса, и часть энергии, освобождаемой в процессе рекомбинации. (Через ловушки может происходить и процесс генерации носителей.).
Кроме рекомбинационных ловушек, в запрещенной зоне полупроводника могут присутствовать ловушки захвата. Это мелкие уровни, способные захватывать носители какого-либо одного типа, а затем через некоторое время возвращать их в ту же зону (электроны – в свободную, дырки – в валентную).
Рекомбинация возможна только после освобождения носителя заряда, поэтому наличие ловушек захвата затягивают процесс.
Наличие рекомбинационных ловушек и ловушек захвата изменяет вpемя жизни неравновесных носителей.
Распределение электронов и дырок по энергиям в неравновесном случае можно описывать по-прежнему с помощью функции Ферми, но вместо уровня Ферми использовать квазиуровни Ферми, разные для электронов и дырок.
Рассмотрим, как изменяется с течением времени избыточная концентрация неравновесных носителей. Количество носителей, рекомбинирующих в единицу времени в единице объема (быстрота изменения концентрации) пропорциональна избыточной концентрации, коэффициент пропорциональности имеет размерность, обратную размерности времени:
,
(1 )
,
(2)
где n=n0+n, p=p0+ p – концентрации носителей, n, p – избыточные концентрации;
n ,p – времена жизни неравновесных носителей.
Временем жизни неравновесных носителей заряда называют отношение избыточной концентрации неравновесных носителей к скорости изменения этой концентрации вследствие рекомбинации:
, (3)
. (4)
В выраженияx для времен жизни (3) и (4) входят концентрации, которые не являются постоянными величинами, следовательно, и времена жизни n и p тоже непостоянны. Время жизни неравновесных носителей зависит как от факторов, меняющих равновесную концентрацию зарядов в материале, например от температуры, так и от избыточной концентрации.
Рассмотрим наиболее простой случай линейной рекомбинации. В этом частном случае концентрация носителей, с которыми происходит рекомбинация неравновесных носителей, постоянна.
Этот случай реализуется, например, в полупроводнике с явно выраженной примесной электропроводностью при введении в него неосновных носителей заряда в небольшом количестве. Тогда появление неравновесных неосновных носителей не вызывает существенного изменения концентрации основных, с которыми происходит рекомбинация.
Время жизни при этом оказывается постоянным. Уравнения (1) или (2) становятся линейными (с этим и связано название данного частного случая рекомбинации):
; (5)
.
(6)
В случае линейной рекомбинации время жизни неравновесных носителей – это время, в течение которого их избыточная концентрация уменьшается в e раз.
