- •16. Люминесценция в полупроводниках и диэлектриках. Электролюминесценция. Электролюминесцентные излучатели
- •Электролюминесценция кристаллофосфоров
- •Основные характеристики электролюминесценции кристаллофосфоров
- •Зависимость яркости от напряжения (вольт-яркостная х-ка)
- •Частотная зависимость яркости
- •Электролюминесцентный источник света
- •17. Диффузия носителей заряда. Диффузионная длина
17. Диффузия носителей заряда. Диффузионная длина
Если в полупроводнике носители заряда распределены неравномерно, возникает диффузия носителей заряда. Она может быть описана известным законом Фика:
Jp = - Dp grad p (1)
или
Jn = - Dn grad n (2)
Здесь Jp, Jn - плотности потоков дырок, электронов, равные числу частиц, пересекающих в единицу времени единичную площадку, перпендикулярную направлению градиента концентрации;
Dp, Dn – коэффициенты диффузии.
Подвижные носители заряда являются заряженными частицами, поэтому их направленное движение является электрическим током. Плотность тока может быть найдена путем умножения плотности потока частиц (1) на элементарный заряд q для дырок или – на (-q) для электронов.
jp = - q Dp grad p (3)
или
jn = q Dn grad n. (4)
Если в какой-либо части полупроводника создана избыточная концентрация неравновесных носителей заряда, то одновременно с процессом диффузии происходит их рекомбинация. Поэтому избыточная концентрация уменьшается в направлении от места источника этой избыточной концентрации. Найдем закон изменения избыточной концентрации носителей, например дырок, от расстояния.
В уравнение (1) – уравнение непрерывности – добавим еще одно слагаемое:
. (5)
В стационарном случае
, (6)
тогда подставим (3) в(5) и приравняем к нулю
; (7)
после преобразований получим
(8)
Здесь
-
оператор Лапласа.
В одномерном случае оператор Лапласа равен
d2p/dx2.
. (9)
Решение этого уравнения имеет вид:
. (10)
Коэффициенты А1 и А2 найдем из граничных условий.
При
,
откуда А1=0;
при
,
откуда А2=
p0.
Окончательно получим
(11)
или
. (12)
Здесь
-
диффузионная длина.
(Аналогично для
электронов
.)
Расстояние, на котором пpи одномерной диффузии в полупpоводнике без электрического поля в нем избыточная концентpация носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз, называют диффузионной длиной.
Можно показать, что диффузионная длина pавна среднему расстоянию, на которое диффундируют носители за вpемя жизни.
Замечание: не следует путать диффузионную длину ни со средней длиной свободного пробега носителей, которая определяется как среднее расстояние, проходимое носителем между двумя последовательными актами рассеяния, ни с длиной волны де Бройля, равной h/mv.
Диффузионная длина очень важная характеристика, её вносят в марку материала.
Пример: ГЭС 1,0/0,5 - германий электронный, легированный сурьмой, с удельным сопротивлением 1,0 Ом.см и диффузионной длиной 0,5 мм; или ЭКДБ 10/1,0 - эпитаксиальный кремний, легированный бором с удельным сопротивлением 10 Ом.см и диффузионной длиной 1 мм.
Связь между диффузионой длиной, коэффициентом диффузии и временем жизни нервновесных носителей:
;
18. СООТНОШЕНИЕ ЭЙНШТЕЙНА МЕЖДУ ПОДВИЖНОСТЬЮ И КОЭФФИЦИЕНТОМ ДИФФУЗИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
;
(1)
(2)
Напряженность электрического поля
; (3)
где -потенциал.
Потенциальная энергия дырки равна q. При отсутствии вырождения распределение дырок в потенциальном поле подчиняется закону Больцмана:
, (4)
. (5)
. (6)
. (7)
Уравнения, связывающие коэффициент диффузии носителей заpяда, подчиняющихся статистике Максвелла-Больцмана, с их подвижностью в условиях термодинамического равновесия носят название соотношений Эйнштейна.
Замечание: Соотношение Эйнштейна применимо и к неравновесным носителям, что подтверждено экспериментально.
