35. Статические вах бт в схеме с оэ.
Входные
характеристики.
При Uкэ=0
и Uбэ>0
оба перехода одинаково включены в прямом
направлении (РН), электроны инжектируются
в базу как из эмиттера, так и из коллектора.
Поэтому при заданном напряжении Uбэ
входной ток, определяемый инжекцией
дырок из базы в коллектор и эмиттер, а
также рекомбинацией электронов в базе,
имеет наибольшее значение. При повышении
напряжения Uкэ
транзистор переходит в АР. Входной ток
уменьшается, т.к. прекращается инжекция
дырок из базы в коллектор и уменьшается
ток рекомбинации из-за снижения заряда
электронов в базе. Выходные
характеристики.
При токе базы, равном нулю, в коллекторной
цепи протекает обратный ток, величина
которого равна Iкэ0,
и выходная характеристика представляет
собой характеристику обратно-смещенного
перехода. Транзистор в РО в области,
расположенной ниже данной характеристики.
При наличии входного тока базы и
небольшого напряжения |Uкэ|<|Uбэ|,
КП открыт и транзистор работает в РН,
ток коллектора резко возрастает, что
соотв. крутому восходящему участку
выходных характеристик. Если |Uкэ|>|Uбэ|
транзистор переходи в АР. Рост коллекторного
тока замедляется, характеристика идет
более полого. Характеристики
прямой передачи.
Описываются зависимостью
.Отклонение
их от прямой линии определяется
нелинейностью изменения коэффициента
передачи тока базы h21б
от
режима работы транзистора. При напряжении
на коллекторе, отличном от 0, характеристики
прямой передачи сдвинуты по оси ординат
на величину Iкэ0.
Характеристики обратной связи.
При небольших напряжениях Uкэ характеристики имеют восходящий участок, соотв. РН транзистора. Пологий участок соотв. АР работы. С увеличением Uкэ незначительно увеличивается Uбэ. Появляется внутренняя обратная связь, что объясняет эффект модуляции ширины базы.
36. Влияние t на характеристики бт.
Влияние
температуры на входные характеристики
обусловлено
увеличением теплового обратного тока
эмиттерного перехода с ростом температуры,
чем объясняется увеличение входного
тока.
Влияние температуры на выходные характеристики.
С ростом температуры увеличивается коэффициент передачи тока базы, поэтому возрастает ток коллектора; уменьшение выходного сопротивления в активном режиме и напряжения пробоя также объясняется повышением β.
37. Система н-параметров бт, их физический смысл. Формальная эквивалентная схема.
В качестве независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение, а функциями – выходной ток, входное напряжение.
В
этой системе параметры измеряются в
режиме ХХ на входе и в режиме КЗ на
выходе, что делает её наиболее удобной.
Ей соответствует эквивалентная схема:
Систему H–параметров обычно используют на низких частотах, когда ёмкостные составляющие токов малы. Необходимые режимы для измерения параметров по переменной составляющей тока могут быть осуществлены на этих частотах достаточно просто. Поэтому в справочниках по транзисторам низкочастотные параметры приводятся в системе H–параметров.
38. Определение н-параметров бт по семействам вах.
,
,
,
.