Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

"БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

Кафедра электроники

ОТЧЕТ

по лабораторной работе № 3

“ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ”

Проверил: Выполнил:

Рожанский В.Б. студент гр.850504

Караженец С.Н.

МИНСК 2009

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ

1.1 Изучить схемотехнику, основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных транзисторах.

1.2 Экспериментально исследовать основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных транзисторах.

2. СХЕМА НАСЫЩЕННОГО КЛЮЧА НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

3. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

3.1 а) R_г=4,7 кОм R_б=4,7 кОм R_к=1,2 кОм U_см=-5В U_ип=10В

Uвх, В	Uвых, В
0	10.4
4	10.4
4.5	10.4
5	9.8
5.5	8.2
6	4.1
6.5	0.9
7	0
8	0

3.2 а) Rг=1,2 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-8В Uип=10В

Uвх, В	Uвых, В
0	10.4
1.5	10.4
2	10.4
2.5	7.5
3	0
3.5	0

3.3 а) Rг=4,7 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=8В

Uвх, В	Uвых, В
0	4.4
2	4.4
2.5	4.4
3	2.9
3.5	0.1
4	0
4.5	0

4. ВЫВОДЫ

Изучена схемотехника, основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных транзисторах. Экспериментально исследованы основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных транзисторах.