4 лабы (2009 год) / ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

Кафедра электроники

ОТЧЕТ

по лабораторной работе № 2

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Выполнил: студент гр. 850504

Караженец С.Н.

Проверил:

Минск 2009

1. Цель работы

1. Изучить устройство, принцип действия, классификацию, области применения полевых транзисторов (ПТ);

2. Экспериментально исследовать статические ВАХ и рассчитать дифференциальные параметры полевых транзисторов в заданной рабочей точке.

2. Принципиальные схемы установок для исследования ВАХ ПТ

Рис.1 Схема для исследования характеристик ПТ с управляющим p-n-переходом с ОИ

и с каналом р-типа

Рис.2 Схема для исследования характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом с ОИ

3. Результаты экспериментальных исследований

Напряжение отсечки U_{зи отс} = 1 В

Сток-затворная характеристика ПТ с управляющим p-n-переходом

Uзи, В	Ic, мА	Uси, В
0	1,14	5
0,1	1,0
0,2	0,86
0,3	0,74
0,4	0,60
0,5	0,48
0,6	0,36
0,7	0,24
0,8	0,14
0,9	0,06
1,0	0

Семейство выходных характеристик ПТ с управляющим p-n-переходом

Uси, В	Ic, мА	Uзи, В
0	0	0
1	1,0
2	1,2
4	1,3
7	1,4
10	1,4
0	0	0,3
1	0,6
2	0,7
4	0,78
7	0,80
10	0,84
0	0	0,6
1	0,30
2	0,36
4	0,38
7	0,42
10	0,44

Сток-затворная характеристика МДП-транзистора с индуцированным каналом

Пороговое значение напряжения U_{зи пор} = 3,4 В

Uзи, В	Ic, мА	Uси, В
3,4	0	5
3,6	0,12
3,8	0,28
4,0	0,54
4,2	0,90
4,4	1,30

Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом

Uси, В	Ic, мА	Uзи, В
0	0	5,1
0,5	1,4
1,0	2,4
0,5	2,8
2,0	3,0
4,0	3,5
5,0	3,6
6,0	3,7
0	0	8,5
0,5	4,0
1,0	7,6
0,5	11,0
2,0	13,0
4,0	16,0
5,0	16,0
6,0	16,0
0	0	11,9
0,5	5,00
1,0	11,0
0,5	16,0
2,0	18,0
4,0	20,0
5,0	20,0
6,0	20,0

4. Расчет дифференциальных параметров ПТ

Дифференциальные параметры S, R и μ ПТ с управляющим р-n-переходом в рабочей точке U_си = 5 В и U_зи = 0.3⋅U_{зи отс} .

µ =

Дифференциальные параметры S, R и μ МДП-транзистора в рабочей точке U_си = 5 В и U_зи = 2.5⋅U_{зи пор} .

µ =

5. Выводы

В ходе работы изучено устройство, принцип действия, классификация, области применения полевых транзисторов . Экспериментально исследованы статические ВАХ и рассчитаны дифференциальные параметры полевых транзисторов в заданной рабочей точке.