Вах полученные по результатам проведения измерения:

Iпр, mA

КС156А

FR157

30

Uобр, B

Uпр, B

0.4

Uпр, B

Iпр, mA

0.7

0.4

Iобр, mA

10

70

5

Рис.1 КС156А Рис.2 FR157

Параметры диодов: Таблица 3

Тип	Uст			Rст	При Iст,мА	Iст мин МА	Iст макс мА	Pмакс мВ
	В	U,В	При Iпр,мА
FR157	10	0,7	10	22	5	3	14	125
КС156А	5,6	0,6	10	100	5	3	55	150

Параметры стабилитрона: Таблица 4

	Rпр,Ом	Rдиф пр,Ом	Rо,Ом	R,ст.Ом
FR157	1156	1008	2000	63,64
КС156А	87.5	81	1120	11,54

Параметры исследованных диодов:

I_пр =8мА

FR157:

R_пр===0.075 ()

= =0,05()

KC156A:

R= =0,125()

r===0,015()

Статическое и дифференциальное сопротивление стабилитрона:

0,086()

r==0,018()

Теоретическая ВАХ диода:

=

Iпр, mA

3. Вывод: В результате опыта провели измерение, по полученным данным рассчитали характеристики диодов и построили ВАХ.

Выяснили: экспериментальная ВАХ и теоретическая отличаются, что обусловлено не учтенной генерацией носителей зарядов в переходе, а также критическим напряжением пробоя и примесными свойствами полупроводникового материала.

II. Исследование полевых транзисторов.

1. Цель работы:

1. Изучить структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также области их применения.

2. Экспериментально исследовать статические характеристики диодов и определить дифференциальные параметры полевого транзистора.

2. Ход работы:

1.1. Собрали схему для исследования характеристик полевого транзистора КП1034 c управляющим p-n-переходом и каналом р-типа в с ОИ(рис.1.1).

Рис.1.1. Схема для измерения характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа.

1.2. Определим напряжение отсечки (пороговое напряжение) исследуемого транзистора Uпор, при котором ток стока становится равным нулю при увеличении напряжения на затворе: Uзи=1В (табл.1.2, рис.1.2)

Таблица 1.2.

Uзи,В	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1,5	2
Ic,мА	5,5	5	4	3,2	2,4	1,6	1,1	0,7	0,4	0,2	0,05	0

1.3. Сняли семейство выходных характеристик Iс=f(Uси) для трех напряжений на затворе: Uзи=0В, Uзи=0,3U_ПОР и Uзи=0,6U_ПОР в пределах от 0 до 10 В(табл.1.3(а,б,в), рис.1.3).

Таблица 1.3а

Uси,В	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Ic,мА	0,01	1,4	2	2,4	2,4	2,4	2,6	2,6	2,6	2,8	2,8

Таблица 1.3б

Uси,В	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Ic,мА	0	1	1,2	1,2	1,2	1,4	1,4	1,4	1,4	1,6	1,6

Таблица 1.3в

Uси,В	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Ic,мА	0	0,4	0,4	0,4	0,4	0,4	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6

1.4. По построенным характеристикам определим в точке Uси=6В и Uзи=0,3U_ПОР для транзистора с p-n-переходом параметры транзисторов: крутизну S, дифференциальное внутреннее сопротивление Rси и статический коэффициент усиления .

2.1. Собрали схему для исследования характеристик МДП- транзистора К176ЛП1 c индуцированным каналом n-типа с ОИ(рис.2.1).

Рис.2.1. Схема для измерения характеристик МДП-транзистора с индицированным каналом n-типа.

2.2. Определим напряжение отсечки (пороговое напряжение) исследуемого транзистора Uпор, при котором ток стока становится равным нулю при увеличении напряжения на затворе: Uзи=1В, Uси=6В (табл.2.2, рис.2.2)

Таблица 2.2.

Uзи,В	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Ic,мА	0	0	0,1	0,55	1,4	2,6	4,2	6,8	8	10	12

2.3. Сняли семейство выходных характеристик Iс=f(Uси) для трех напряжений на затворе: Uзи=1,5В, Uзи=2,5U_ПОР и Uзи=3,5U_ПОР в пределах от 0 до 10 В(табл.2.3(а,б,в), рис.2.3).

Таблица 2.3.а

Uси,В	0	1	2	3	4	5	6	7	8
Ic,мА	0,006	0,54	0,55	0,56	0,56	0,57	0,58	0,59	0,6

Таблица 2.3.б

Uси,В	0	1	2	3	4	5	6	7	8
Ic,мА	0,006	2	2,2	2,4	2,6	2,7	2,7	2,8	2,8

Таблица 2.3.в

Uси,В	0	1	2	3	4	5	6	7	8
Ic,мА	0,006	4	5,2	6	6	6,1	6,1	6,1	6,2

2.4. По построенным характеристикам определим в точке Uси=6В и Uзи=0,3U_ПОР для транзистора с p-n-переходом параметры транзисторов: крутизну S, дифференциальное внутреннее сопротивление Rси и статический коэффициент усиления .

3. Вывод: изучили структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также области их применения. Экспериментально исследовали статические характеристики диодов и определили дифференциальные параметры полевого транзистора.