Белорусский Государственный Университет Информатики и Радиоэлектроники Кафедра электроники
ОТЧЁТ
По лабораторным работам №1,3
“Исследование полупроводниковых диодов,
Исследование полевых транзисторов”.
Выполнили: Проверил:
Студент гр.121702 Русакович В.Н.
Лагутин Д.П.
Минск 2003 г.
I. Исследование полупроводниковых диодов.
1. Цель работы:
1. Изучить устройство, принцип действия, систему обозначений, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, области их применения.
2. Экспериментально исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, указанных в карточке задания, и рассчитать по измеренным характеристикам их требуемые параметры
2. Расчётные формулы:
-
—
Теоретическая
вольт-амперная характеристика
диода.
Где
— температурный
потенциал,
равный 26мВ при Т = 300К;
—
обратный ток насыщения.
-
— Реальная
вольт-амперная характеристика
с учётом суммарного сопротивления
базы, омических контактов и выводов
диода
.
-
— Прямое
сопротивление диода постоянному току.
4.
— Обратное
сопротивление диода постоянному току.
5.
— Прямое дифференциальное сопротивление
6.
— Обратное дифференциальное сопротивление
7.
— Статическое сопротивление
стабилитрона
3. Схема установки:
Схема диода:
4. Результаты измерений:
Таблица 1
Тип диода—FR157
|
Прямое |
Прямое |
Обратное |
Обратное |
|
U,B |
I,mA |
U,B |
I, mA |
|
0,1 |
0 |
На шкале 0,1 мА при Uобр.=10 В не чувствителен |
|
|
0,2 |
0 |
||
|
0,3 |
0 |
||
|
0,4 |
0.2 |
||
|
0,5 |
1.2 |
||
|
0,6 |
6.6 |
||
|
0,7 |
30 |
||
|
0,8 |
70 |
|
|
|
0,9 |
800 |
|
|
Тип диода—KC156A
Таблица 2
|
Прямое |
Прямое |
Обратное |
Обратное |
|
U,B |
I, mA |
U,B |
I, mA |
|
0,1 |
0,01 |
0 |
0 |
|
0,2 |
0,02 |
1 |
0,01 |
|
0,3 |
0.03 |
2 |
0,01 |
|
0,4 |
0.04 |
3 |
0,01 |
|
0,5 |
0.05 |
4 |
0.1 |
|
0,6 |
0.06 |
5 |
8 |
|
0,7 |
0.07 |
6 |
70 |
|
0,8 |
0.08 |
7 |
125 |
|
0,9 |
0.09 |
|
|
|
1 |
1 |
|
|