сборка лаб / ОТЧЁТ №1

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

КАФЕДРА ЭЛЕКТРОНИКИ

ОТЧЁТ

По лабораторной работе № 1

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Выполнил: студент гр. №740101

______________

Проверил: асс. Русакович В.Н.

МИНСК 2008

1. Цель работы

1.1 . Изучить устройство, принцип действия, систему обозначений, пара-I и характеристики полупроводниковых диодов, типовые схемы включе­ния и области их применения.

1.2 Экспериментально исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, указанных в карточке задания, и рассчитать по измеренным характери­стикам их параметры.

2. Электрические схемы для измерения ВАХ

А Б

Рис.1 А – схема для исследования прямой ветви ВАХ диода

Б - схема для исследования обратной ветви ВАХ диода

3. Результаты экспериментальных исследований

1. Прямое включение

Выпрямительный диод		Импульсный диод			Стабилитрон
U, В	J, мА	U, В	J, мА	U, В		J, мА

Графики ВАХ

• Выпрямительный диод – FR157

• Импульсный диод – 1Д507А

• Стабилитрон – КС156А

2. Обратное включение

Выпрямительный диод		Импульсный диод			Стабилитрон
U, В	J, мА	U, В	J, мА	U, В		J, мА

Графики ВАХ

• Выпрямительный диод – FR157

• Импульсный диод – 1Д507А

• Стабилитрон – КС156А

4. Результаты расчётов

1. Расчёт сопротивления диодов постоянному току R_пр и дифференциального сопротивления r _диф.пр.

— Прямое сопротивление диода постоянному току.

— Прямое дифференциальное сопротивление

	FR157	1Д507А
Uпр, В
Iпр, мА
Rпр, Ом
∆Uпр, В
∆Iпр, мА
r диф.пр, Ом

2. Расчёт статического и дифференциального сопротивления стабилитрона

— Дифференциальное сопротивление стабилитрона

— Статическое сопротивление стабилитрона

	КС156А
Uст.ном, В
Iст.ном, мА
R0, Ом
∆Uст, В
∆Iст, мА
r ст, Ом

2. Теоретическая ВАХ диода FR157 при I₀ =0,01 мкА и Т=300К в диапазоне напряжений от -20 до 0,8В

— Теоретическая вольт-амперная характеристика

диода. Где — температурный

потенциал, равный 26мВ при Т = 300К; —

обратный ток насыщения.

Прямое включение

U, В

I, мА

Обратное включение

U, В

I, мА

Выводы

1. В результате опыта провели измерение, по полученным данным рассчитали характеристики диодов и построили ВАХ.

2. Выяснили что экспериментальная ВАХ и теоретическая отличаются что обусловлено не учтенной генерацией носителей зарядов в переходе, а также критическим напряжением пробоя и примесными свойствами полупроводникового материала.