Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
сборка лаб / ОТЧЁТ 7.docx
Скачиваний:
23
Добавлен:
15.06.2014
Размер:
1.18 Mб
Скачать

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

«Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»

Кафедра электроники

Отчет

По лабораторной работе №7

АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК МАЛОСИГНАЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЬНЫХ

Каскадов на биполярных транзисторах”

Вариант 6

Выполнил: студент группы 740101

Позняк Е.М.

Проверил:

ассистент Русакович В.Н.

Минск 2008

Цель работы:

1. Изучить основные характеристики и параметры малосигнальных усилительных каскадов.

2. Изучить метод анализа малосигнальных усилителей с помощью эквивалентных схем.

3. Изучить основные характеристики и параметры малосигнальных усилительных каскадов на БТ с ОЭ, ОК и ОБ.

4. Выполнить инженерный расчет малосигнального усилителя и рассчитать его основные параметры.

5. С помощью пакета OrCAD провести анализ характеристик усилителя и

исследовать влияние элементов схемы на основные характеристики.

Исходные данные:

схема включения транзистора: с общим эмиттером (рис. 1);

Тип БТ

Uкэ0, В

Iк0, мА

Ег, мВ

Rг, Ом

Rн, кОм

Сн, нФ

КТ358Б

10

5

4

300

8

0.15

Параметры транзистора КТ358Б:

Струк-тура

h21Эmin… h21Эmax

|h21э|/

на f, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

Iкб0, мкА

Uкэ max, В

Iк max, мА

Pк max, мВт

p-n-p

10…100

4/20

5

15

10

30

30

100

Граничные частоты: fн = 20 Гц, fв = 20000 Гц.

Рис. 1 – Принципиальная схема усилительного каскада.

1. Расчет элементов принципиальной схемы усилительного каскада.

1.1. Для обеспечения стабилизации рабочей точки падение напряжения на резисторе RЭ (потенциал эмиттера) можно выбрать из условия

(1)

а напряжение питания UИП выбирается согласно выражению

(2)

для обеспечения максимального значения амплитуды неискаженного выходного сигнала.

1.2. Сопротивление резисторов RЭ и RК находим по выражениям

(3)

(4)

Из ряда номиналов резисторов выбираем: Rк = 2 кОм, Rэ = 400 Ом.

1.3. Находим ток базы

(5)

и потенциал базы транзистора

(6)

где напряжение база-эмиттер в рабочей точке для кремниевого транзистора можно принять Uбэ0 = 0,6 В.

1.4. Для обеспечения работоспособности схемы стабилизации задаемся током делителя напряжения, образованного резисторами R1 и R2, в десять раз больше тока базы:

(7)

1.5. Находим сопротивления R1 и R2:

(8)

(9)

Из ряда номиналов резисторов выбираем: R1 = 12 кОм, R2 =1,6 кОм.

1.6. Емкости конденсаторов находим из условий

(10)

(11)

(12)

(13)

(14)

Из входной вольт-амперной характеристики транзистора находим входное сопротивление h11Э:

(15)

Тепловой потенциал φт при температуре 300К равен 26 мВ.

(16)

(17)

(18)

Из таблицы номиналов выбираем конденсаторы: C1 = 91 мкФ, C2 = 82 мкФ, Cэ = 220 мкФ.

C1

C2

Cб

R1

R2

Rэ

Rк

91 мкФ

82 мкФ

220 мкФ

12 кОм

1,6 кОм

400 Ом

2 кОм

Соседние файлы в папке сборка лаб