Лаба 1-4 Отчеты по лабам ЭП для ПОИТ (сдавались Строговой) / лаба2эп

Цель работы:

• Изучить структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также область их применения.

• Экспериментально исследовать статические характеристики и определить дифференциальные параметры полевых транзисторов.

Расчетные формулы:

- крутизна

- внутреннее (дифференциальное) сопротивление

- статистический коэффициент усиления

Паспортные данные транзистора

Характеристики

Канал транзистора	S,мА/В	,В	,мВт	,мА

Характеристики

Канал транзистора	S,мА/В	,В	PMAX, мВт	,мА

Схема транзистора:

Снимем характеристики I_С = f(U_ЗИ):

UСИ =5 В
UЗИ , В	IС , мА
0	2
0,1	1,5
0,2	1,2
0,4	0,6
0,6	0,3
0,8	0,05
1,25	0

1,25 В

Снимем характеристики I_С = f(U_СИ) в зависимости от различных значений напряжения U_ЗИ:

UЗИ = 0 В
UСИ , В	IС , мА
0	0
0,2	0,5
0,5	1,2
0,8	1,6
1	1,9
5	2,1

UЗИ = 0,375 В
UСИ , В	IС , мА
0	0
0,2	0,2
0,5	0,4
0,8	0,42
1	0,46
5	0,54

UЗИ = 0,75 В
UСИ , В	IС , мА
0	0
0,2	0,034
0,5	0,052
0,8	0,056
1	0,058
5	0,072

Рассчитаем дифференциальные параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в заданной рабочей точке:

Схема транзистора:

Снимем характеристики I_С = f(U_ЗИ):

UСИ =5 В
UЗИ , В	IС , мА
1,6	0,001
2	0,008
3	0,04
4	0,08
5	0,22
8	0,78

1,6 В

Снимем характеристики I_С = f(U_СИ) в зависимости от различных значений напряжения U_ЗИ:

UЗИ = 2,4 В
UСИ , В	IС , мА
0	0
0,1	0,024
0,2	0,032
0,5	0,038
1	0,04
5	0,042

UЗИ = 4 В
UСИ , В	IС , мА
0	0
0,1	0,14
0,2	0,28
0,5	0,64
1	0,92
5	1,04

UЗИ = 5,6 В
UСИ , В	IС , мА
0	0
0,1	0,22
0,2	0,4
0,4	0,9
1	2,3
5	2,8

Рассчитаем дифференциальные параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в заданной рабочей точке:

Вывод:Мы изучили структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также ознакомились с областью их применения, экспериментально исследовали статические характеристики и определили дифференциальные параметры полевых транзисторов.