Лаба 1-4 Отчеты по лабам ЭП для ПОИТ (сдавались Строговой) / лаба3эп

1. Цель работы:

1. Изучить схемотехнику, основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных транзисторах.

2. Экспериментально исследовать основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных транзисторах.

2. Схема лабораторной установки.

3. Выполнение работы

Используется биполярный транзистор

1.1. Исследовать влияние параметров элементов схемы на передаточные характеристики ключа, для следующих значений параметров:

а) Rг=4,7 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В

Uвх,B	0	4,0	4,2	4,5	5,0	5,3	6,0
Uвых,B	10	10	9,8	8,15	4,1	1,17	0,11

б) Rг=4,7 кОм Rб=10 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В

Uвх,B	0	1,5	2	2,5	2,8	3	3,2
Uвых,B	10	10	9,8	5,3	3,2	1,7	0,18

График зависимости U_ВЫХ=F(U_ВХ):

1.2. Исследовать влияние смещения на параметры ключа, при следующих значениях параметров схемы:

а) Rг=1,2 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-8В Uип=10В

Uвх,B	0	1	1,9	2,2	2,3	2,4	2,5
Uвых,B	10	10	9,8	5,1	2,1	0,28	0,12

б) Rг=4,7 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-2В Uип=10В

Uвх,B	0	1,7	1,9	2	2,2	2,5	2,8	3,0
Uвых,B	10	10	8,8	7,9	5,8	3,9	1,5	0,17

График зависимости U_ВЫХ=F(U_ВХ):

1.3. Исследовать влияние напряжения питания на характерис­тики ключа, при следующих значениях напряжения питания:

а) Rг=4,7 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=8В

Uвх,B	0	1	2	2,2	2,4	2,5	2,6
Uвых,B	8	8	7,4	5,4	2,8	0,88	0,14

б) Rг=4,8 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В

Uвх,B	0	1,8	2,0	2,2	2,4	2,5	2,6	2,8
Uвых,B	10	10	8,5	6,7	4,3	2,6	1,45	0,12

График зависимости U_ВЫХ=F(U_ВХ):

4.Вывод Изучена схемотехника, основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных транзисторах. Экспериментально исследованы основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных транзисторах.