Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
MPSD_FULL.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
823.81 Кб
Скачать
  1. Однотактні перетворювачі з двостороннім ключем.

Схема з двохстороннім ключем знайшла широке застосування у вихідних каскадах рядкової розгортки переносних кольорових телевізійних приймачів, де вони одночасно виконують функції джерела живлення, а також забезпечують необхідні напруги на другому аноді кінескопа, напруги прискорення, фокусування та напругу живлення відео підсилювача. Загальна вихідна потужність такого джерела складає 25...30 Вт.

Переваги схеми з двостороннім ключем наступні:

  1. Більш гладка форма імпульсів вихідної напруги, що зумовлено близькістю комутованої напруги до синусоїдальної форми.

  2. Менші імпульсні перевантаження транзистора VT1.

  3. Менша розсіювана потужність на колекторі цього транзистора.

  4. Можуть бути відсутні системи захисту RC кіл, які були обов’язковими.

  5. Магніто провід працює у більших значеннях середньої індуктивності, а відповідно задану потужність можна забезпечити при менших розмірах осердя.

Недоліки:

  1. Імпульсне навантаження досить велике (при 340 В імпульси досягають 1600 В). Рпи потужності понад 40 Вт

,

де Еж – напруга живлення;

tз – час закритого стану ключа.

  1. Потрібно використовувати транзистори з Uке 2000 В.

  2. Потреба стабілізації.

  3. Трансформатори виготовляються з спеціальних феритів, які забезпечують максимальну індукцію більше 0,4 Тл, при цьому використовують спеціальну конструкцію осердя з чотирма вікнами, що дозволяє вирішити питання стабілізації вихідної напруги в додатковій (керуючій) обмотці.

При нульовому струмі керування ік= 0, що створюється в обмотці wк, магнітні потоки, які створюються в робочій обмотці w1 однакові в усіх чотирьох кернах магнітопроводу A, B, C, D. Коли створюються додатковий магнітний потік , о потік в кернах А та D, створений основною обмоткою, буде менший на величину потоку, створеного додатковою обмоткою, в кернах В та С більше на величину додаткового потоку. Завдяки цьому сумарний магнітний потік, що проходить через поперечний переріз робочої обмотки w1 буде змінюватись за рахунок зміни струму керування в обмотці wк, а відповідно, змінюватиметься індуктивність L1, створювана обмоткою w1. залежність індуктивності L1 від струму керування ік та струму і1 первинної обмотки для магнітопроводу з високоякісного марганець-цинкового фериту дл випадку, коли w1 = w2 = =27 витків, а wк = 1100 витків приведено на наступному малюнку.

Час закритого стану ключа VT1 визначаєтьсяя півперіодом власної частоти коливного контуру, створеного індуктивністю L1 котушки w1, індуктивності дросселя Lдр в колі колектора та ємністю шунтуючого конденсатора С1. регулюючи L1 можна регулювати напруги на колекторі, а відповідно напругу на вторинній обмотці трансформатора. Lдр забезпечує обмеження струму через VT1 при зменшенні L1 в режимі регулювання. Для збільшення ККД і крутизни регулювальних характеристик, паралельно до вихідної обмотки з найбільшим числом витків вмикається ємність С`. Напруга і потужність в даному випадку зв’язані співвідношеннями

;

;

де – коефіцієнт трансформації;

– частота коливань.

Rн – еквівалентний опір навантаження.

Таким чином вихідна напруга та потужність мають максимальні значення при певному значенні частоти  . При цьому залежність Евих та Рвих від  та n є досить різкою.

На транзисторах VT2, VT3 в даній схемі виконана схема захисту, що працює наступним чином. При збільшенні вихідної напруги зростає струм транзистора VT2, а також струм транзистора VT3 і струм через додаткову обмотку wк. Внаслідок цього індуктивність L1 зменшується і вихідна напруга повертається до попереднього значення. При зменшенні вихідної напруги процеси відбуваються в протилежному напрямку. При живленні від мережі 110 В дана схема може забезпечити вихідну потужність до 80 Вт з ККД 83%, чутливість регулювання складає . Нестабільність вихідної напруги по виходу +115В при зміні струму навантаження в межах 0,4...0,8 А становить не більше 0,5В.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]