2. Каталог принципов изменения энергии или вида сигнала

02 - 01

1. Закон движения

02 - 01

2. Статическое вращение жидкости

∆l = k ∙ (n²)

ω = 2∙π∙n, об/мин

04 - 01

3. Закон Гука

04 - 01

4. Поперечное сжатие

04 - 01

5. Сдвиг с тягой

06 - 01

6. Стоячая волна

06 - 01

7. Колебания струн

06 - 01

06 - 01

8. Вынужденные механические колебания

06 - 01

9. Резонанс

08 - 01

10. Тепловое расширение

- коэффициент линейного расширения

08 - 01

11. Аномалия теплового расширения

10 - 01

12. Обратный пьезоэ-лектрический эффект

Имеет место в некоторых кристаллах диэлектриках

Е – напряженность эл. поля

d – постоянная материала

10 - 01

13. Электрострикция

Деформация всех диэлектриков в Эл. Поле( l много меньшая, чем при обратном пьезоэффекте)

12 - 01

14. Магнитно-стрикция

01 - 02

15. Неразрывность

01 - 02

16. Закон Торичелли

01 - 02

17. Связь линейной скорости с угловой

04 - 02

18. Кинетическая энергия вращательного и поступательного движений

04 - 02

19. Закон Бернулли

04 - 02

20. Импульс, момент импульса

04 - 02

21. Гироскопический эффект

04 - 02

22. Закон сохранения момента импульса

04 - 02

23. Закон сохранения импульса

(упругое взаимодействие)

=

(неупругое взаимодействие)

06 - 02

24. Дисперсия

Зависимость от частоты скорость распространения сигналов

08 - 02

25. Скорость звука

10 - 02

26. Электро-кинетическое явление (электроосмос)

12 - 02

27. Закон электро-магнитной индукции

02 - 03

28. Заряд в магнитном поле

04 - 03

29. II закон Ньютона

10 - 03

30. Заряд в электрическом поле

F=qE

01 - 04

31. Поверхностное натяжение

F=2dl

d – коэффициент поверхностного натяжения

01 - 04

32. Изменение сдвига

01 - 04

33. Закон Бойла-Мариотта

01 - 04

34. Сила Кулона

01 - 04

35. Закон Архимеда

01 - 04

36. Тяготение

-гравитационная постоянная

01 - 04

37. Центробежная сила

01 - 04

38. Гидростатическое давление

01 - 04

39. Капиллярное давление

=

P – гидростатическое давление, - поверх. нат.

02 - 04

40. Кинетическая энергия поступательного и вращательного движений

02 - 04

41. Законы динамики поступательного и вращательного движений

02 - 04

42. Вихревой ток

02 - 04

43. Ламинарное течение

02 - 04

44. Турбулентное течение

02 - 04

45. Завихрение (переход к турбулентному течению)

02 - 04

46. Профильное вытеснение

02 - 04

47. Эффект Магнуса

02 - 04

48. Сопротивление потока

05 - 04

49. Закон всемирного тяготения

05 - 04

50. Кинетическая энергия поступательного и вращательного. движений

06 - 04

51. Абсорбция резонанса

способная к колебаниям система имеет высокую абсорбцию энергии в области резонансной частоты

07 - 04

52. Давление звуковое

08 - 04

53. Тепловое расширение

08 - 04

54. Кривая давления

08 - 04

55. Закон Гей-Люссака (изохорический процесс)

08 - 04

56. Осмотическое давление

10 - 04

57. Электрокинетический эффект

движение частиц вещества в электрическом поле (скорость переноса зависит от величины поля)

10 - 04

58. Диэлектрический гистерезис (циклический)

10 - 04

59. I закон Кулона

10 - 04

60. Электрокинетический эффект (электроосмос)

10 - 04

61. Относительная диэлектрическая проницаемость

12 - 04

62. II Закон Кулона

12 - 04

63. Эффект Эйнштейна-де Гааза

намагничивание или размагничивание ферромагнетика вызывает вращение (создает момент импульса)

12 - 04

64. Ферромагнетики

12 - 04

65. Парамагнетики

12 - 04

66. Диамагнетики

12 - 04

67. Намагничивание ферромагнетика

12 - 04

68. Магнитный гистерезис (циклический)

12 - 04

69. Магнитный гистерезис (вращательный)

13 - 04

70. Давление излучения

01 - 05

71. Момент инерции

08 - 05

72. Изобарический процесс

01 - 06

73. Жесткость

01 - 06

74. Крутильный маятник

01 - 06

75. Математический маятник

01 - 06

76. Физический маятник

01 - 06

77. Явление времени срабатывания

02 - 06

78. Движение рывками (неравномерное движение)

01 - 06

79. Вихревой поток(след)

04 - 06

80. Струна

05 - 06

81. Маятники (крутильный кружильный)

08 - 06

82. Собственная частота (кварц)

соответственная частота кварцевого резонатора очень сильно изменяется с температурой, это относится к соответствующему разрезу в кристалле

10 - 06

83. Эффект Джозефсона

01 - 07

84. Поглощение звука

02 - 07

85. Эффект Доплера

10 - 07

86. Термофон

01 - 08

87. Теплопроводность

01 - 08

88. Излучение

04 - 08

89. Трение

04 - 08

90. начало термодинамики

04 - 08

91. Эффект Джоуля-Томсона

изменение температуры реального газа при адиабатическом дросселировании

02 - 08

92. Адиабатическое расширение (сжатие)

увеличение (или уменьшение) температуры газа при его быстром сжатии (или расширении)

04 - 08

93. Гистерезис упругий

04 - 08

94. Конвекция

04 - 08

95. Турбулентость

04 - 08

96. Пластическая деформация

06 - 08

97. Диэлектрическая потеря теплоты

10 - 08

98. Джоулево тепло

10 - 08

99. Эффект Пельтье

10 - 08

100. Эффект Томсона

10 - 08

101. Световая дуга

12 - 08

102. Эффект Риги-Ледюка

12 - 08

103. Адиабатическое размагничивание

если парамагнитное тело адиабатически намагничивается или размагничивается, то оно нагревается или охлаждается

13 - 08

104. Теплота излучения

01 - 09

105. Длина и сечение провода (проводника)

01 - 09

106. Электролит

06 - 09

107. Скин-эффект (поверхностный эффект)

зависимое от частоты (ω) вытеснение переменных токов к поверхности проводника и возрастание вследствие этого сопротивления

06 - 09

108. Комплексное сопротивление

08 - 09

109. Проводник

08 - 09

110. Полупроводник

08 - 09

111. Свехпроводимость

при охлаждении до определенной критической температуры, близкой к абсолютному нулю, сопротивление некоторых металлов скачком уменьшается

10 - 09

112. Варистор

полупроводниковые сопротивления, проводимость которых резко возрастает при увеличении напряженности электрического поля

10 - 09

113. Туннельные диоды

полупроводниковый элемент с зоной отрицательного, дифференциального сопротивления

10 - 09

114. Полевой транзистор

полупроводниковый элемент, сопротивлением которого можно управлять посредством электрического поля (или сопротивление которого можно распределять через электрическое поле)

11 - 09

115. Комплексное сопротивление

12 - 09

116. Магнетосопротивление

Изменение электрического сопротивления проводника под действием магнитного поля, обусловленное искривлением в магнитном поле траекторий носителей тока

12 - 09

117. Эффект Томсона

изменение удельного электрического сопротивления ферромагнетиков при их намагничивании во внешних полях

12 - 09

118. Сверхпроводимость

по достижении критической индукции магнитного поля В_кр из сверхпроводника (С) получается нормальный проводник (Н), электрическое сопротивление при этом возрастает

12 - 09

119. Фотоэффект в запирающем слое

если осветить запирающий слой полупроводника, то возникают свободные носители зарядов, которые способствуют электрической проводимости

освещенность

12 - 09

120. Фотосопротивления

полупроводниковый элемент, сопротивление которого уменьшается вследствие возникающих свободных носителей зарядов

освещенность

13 - 09

121. Ионизация

в газах под действием различных излучений появляются ионы и электроны и газы становятся электропроводными

01 - 10

122. Расстояние между обкладками конденсатора

01 - 10

123. Ударная ионизация

если в трубке с газом под небольшим давлением из канала выходит поток электронов I^по, то этот поток возрастает в зависимости от расстояния между катодом и анодом

α – коэффициент объемной ионизации

02 - 10

124. Электромагнитная индукция

02 - 10

125. Ионизация

между электродами проходит ток I, зависимый от υ из-за рекомбинационного времени ионов

I – ионизация от α частицы

2 – от β излучения

3 – от слабого космического фона

05 - 10

126. Эффект Толмэна-Стюарта

при резком торможении ϣ показывает ток

02 - 10

127. Электродинамический эффект

К – постоянная расположения системы

04 - 10

128. Пьезоэффект (прямой)

04 - 10

129. Электрокинетический эффект

04 - 10

130. Контактное электричество

для разделения соприкасающихся заряженных поверхностей необходима энергия, затрачиваемая на преодоление притяжения разноименных зарядов (аналогично возрастанию напряжения плоского конденсатора)

04 - 10

131. Ионизация

I_g/I_l

04 - 10

132. Эффект Баркгаузена

механическое напряжение

08 - 10

133. Эффект Зеебека

α – удельная термо-эдс

08 - 10

134. Термоэлектронная эмиссия

испускание электронов нагретым металлом

08 - 10

135. Шумовой эффект

в результате теплового движения электронов в резисторе (сопротивлении) возникает напряжение шумов, действующее значение которого зависит от температуры Т

08 - 10

136. Пироэлектрический эффект

возникновение электрического поля на торцевых поверхностях нагретого пьезоэлектрика

08 - 10

137. Эффект Джозефсона

если при микроволновом облучении соприкасаются два сверхпроводника, то между ними возникает постоянное напряжение U, которое пропорционально частоте υ

09 - 10

138. Омическое сопротивление

11 - 10

139. Сохранение заряда

12 - 10

140. Эффект Холла

R- постоянная Холла

12 - 10

141. Магнистор

транзистор, у которого отдается напряжение в зависимости от магнитной напряженности поля и тока коллектора

12 - 10

142. Электромагнитная индукция

13 - 10

143. Внешний фотоэффект

вырывание электронов под действием света

01 - 11

144. Конденсатор (расстояние между обкладками)

01 - 11

145. Конденсатор (площадь обкладок

S – площадь перекрытия

01 - 11

146. Конденсатор (помещение диэлектрика)

01 - 11

147. Конденсатор (толщина диэлектрика)

04 - 11

148. Дилектрическая проницаемость

диэлектрическая проницаемость ɛ диэлектриков прямо пропорциональная концентрации молекул и, следовательно, плотности данного диэлектрика (или давлению Р)

05 - 11

149. Диэлектрическая постоянная

диэлектрическая восприимчивость (диэлектрическая проницаемость) дижлектриков с неполярными молекулами, являющимися линейной функцией плотности

08 - 11

150. Зависимость емкости от температуры

10 - 11

151. Вариконденсатор (сигнетокерамический конденсатор)

конденсатор с резко выраженной нелинейной зависимостью

10 - 11

152. Сегнетоэлектрики

в определенных веществах

01 - 12

153. Длина катушки

01 - 12

154. Воздушный зазор

01 - 12

155. Смещение сердечника

01 - 12

156. Положение двух катушек

при последовательном включении

при параллельном включении

02 - 12

157. Эффект Барнетта

02 - 12

158. Скорость заряда

заряд q, движущийся со скоростью υ, эквивалентен элементу тока

04 - 12

159. Магнитоупругий эффект

если ферромагнитное тело подвергнуть деформации, то его магнитная восприимчивость æ (проницаемость μ) изменится

08 - 12

160. Точка Кюри

нагрев ферромагнет ика выше определенной температуры Т_с (точки Кюри) переводит его в парамагнитное состояние

08 - 12

161. Магнитная проницаемость

коэффициент магнитной проницаемости μ большинства парамагнитных веществ при не очень низких температурах обратно пропорционален абсолютной температуре Т

с – постоянная вещества

08 - 12

162. Эффект Мейсснера

при охлаждении в магнитном поле в момент перехода в сверхпроводящее состояние (при Т_к) сверхпроводник становится немагнитным (идеальным диамагнетиком)

10 - 12

163. Кривая намагничивания

для ферромагнетиков характерна нелинейная зависимость между Н и М (или между Н и В), где

(токи)

10 - 12

164. Закон Био-Савара

01 - 13

165. Интерференция в тонких пленках

усиление для

затухание для

01 - 13

166. Интерференция (кольца Ньютона)

усиление

ослабление

01 - 13

167. Интерференция (просветление оптики)

ослабление отраженного света вследствие интерференции в тонких пленках

01 - 13

168. Абсорбция – поглощение (закон Бугера)

æ – коэффициент поглощения

æ > 0 – положительная абсорбция

æ < 0 – отрицательная абсорбция

01- 13

169. Дифракция на щели

дифракция в щели

Q – источник света;

L – линза

B – диафрагма со щелью

b – ширина щели

ρ – угол дифрации

S – экран

условие минимума:

01- 13

170. Дифракционная решетка

01- 13

171. Дифракция рентгеновских лучей

максимум интенсивности

01- 13

172. Пластинка зон

стеклянная пластинка, на поверхность которой нанесено непрозрачное покрытие таким образом, что оно закрывает все зоны Френеля четные

01- 13

173. Эффект Допплера

зависимость смещения частоты световых волн от относительной скорости источника и приемника

продольный эффект

поперечный эффект

04 - 13

174. Искусственная анизотропия

К – постоянная материала

σ – нормальное напряжение

L – толщина слоя

04 - 13

175. Показатель преломления

показатель преломления большинства газов пропорционален давлению (р)

05 - 13

176. Преломление

если среда неоднородна, то показатель преломления зависит от плотности. Отклонение света при прохождении через такую среду позволяет исследовать неоднородность

06 - 13

177. Рассеивание. Закон Рэлея

интенсивность J рассеянного света пропорциональна четвертой степени частоты

07- 13

178. Эффект Дебая (дифракция)

ультразвуковые волны образуют период. сжатия и разряжен. жидкости, сопровождающися соответств. колебаниями показателя преломления

08- 13

179. Закон смещения Вина

максимум интенсивности излучения с повышением температуры смещается в область больших частот

08- 13

180. Формула Планка

формула Планка отражает зависимость энергии излучения (Е) от температуры и частоты во всех области температур и частот

08- 13

181. Закон Стефана Больцмана

интегральная излучательная способность абсолютно черного тела пропорциональна 4-й степени его абсолютной температуры

σ – постоянная Больцмана

08- 13

182. Жидкие кристаллы

жидкие кристаллы (напр.холестериновые фазы) избирательно отражают белый свет. Отражаемая компонента зависит от температуры

08- 13

183. Показатель преломления

показатель преломления газов понижается с повышением температуры (t)

10 - 13

184. Тормозное рентгеновское излучение

в рентгеновской трубке электроны разгоняются до энергии еυ. Попав в вещество антикатода, электроны испытывают сильное торможение и становятся источником электромагнитных волн

возникает при небольших энергиях электронов

10 - 13

185. Характеристические рентгеновские лучи

вырывание быстрыми электронами электронов из внутренних оболочек атомов вещества антикатода.

Излучение характеризует вещество антикатода

а – постоянная для данной серии

в – постоянная экранирован.

z – порядковый номер

10 - 13

186. Электролюминесценция

Кинетическая энергия электродного (катодного) пучка передается электронам атомов (или молекул, ионов) и переводит их в возбужденное состояние.

W_кин = m∙v²/2 ≥ W_в - W_н

W_кин – кинетическая энергия бомбардиру-ющих электронов.

W_в – энергия атома в возбужденном состоянии.

W_н – энергия атома в нормальном состоянии.