2. Тиристори.

Тиристор - це напівпровіднико­вий прилад із двома стійкими станами. У простішому випадку тиристор має три р-n-переходи. Тиристор перемикається із закритого стану у відкритий (тиро — відчинено).

Тиристор — це високострумовий при­лад із номінальними значеннями струму у відкритому стані до 5000 А. Номінальні значення напруги у закритому стані сягають 5000 В. Тиристори мають велику швидкодію ( 0,01 мкс). ККД тиристора сягає 0,9 і більше.

Розрізняють керовані та некеровані (диністори або діодні) тиристори. Керовані тиристори мають три електроди (анод, катод, керуючий електрод).

Вольт-амперна характеристика тиристора (рис. 2.3) має три ділянки:

І ділянка — тиристор зачинений;

ІІ ділянка — нестійкий режим роботи;

ІІІ ділянка — тиристор відчинений.

Застосовуються також симістори — симетричні тиристори. Вони застосовуються у колах змінного струму.

На рис. 2.4. наведені стандартні позначення тиристорів.

4. Транзистори

Транзистори підрозділяються на біполярні та уніполярні. Біполярні транзистори (або просто транзистори) - це прилади, в яких струм зумовлений рухом носіїв зарядів обох знаків (електронів та дірок).

В уніполярних (або польових) транзисторах струм зумовлений рухом носіїв зарядів лише одного знаку (електронами чи дірками).

Транзистор – це напівпровідниковий прилад, що має два р-n-переходи та три електроди. Середній електрод називається базою, два крайніх — емітерам (із стрілкою) та колекторам (рис. 2.5). Треба пам'ятати, що завжди стрілка спрямована із р-області у п-область. Розрізняють два типи транзисторів: р-n-р-типу та n-р-n-типу. Завжди емітерний перехід увімкнений прямо, а колекторний - зворотно.

Транзистор р-п-р-типу підкоряється загальним правилам:

а) емітер має вищий потенціал, ніж потенціал колектора;

б) кола база-емітер та база-колектор працюють як діоди (перший - завжди відкритий, другий — закритий);

в) кожний транзистор характеризується максимальними значеннями струму колектора, бази (І_к,І_б) та напругою між колектором та емітером(U_ке);

г) струм колектора пропорційний струму бази, тобто

(2.1)

де β - коефіцієнт підсилення за струмом;

д) щодо транзистора n-р-n-типу, то правила залишаються у силі, але полярність змінюється на протилежну.

Через те, що емітерний перехід вмикається прямо, то він має малий опір. Колекторний перехід умикається зворотно і має дуже вели­кий опір. До емітера прикладається невелика напруга, а до колектора дуже велика (десятки вольт). Малою зміною струму емітерного переходу можна керувати великими змінами струму у колі колектора, тобто навантаження. Таким чином, транзистор підсилює потужність.

5. Характеристики та параметри транзисторів.

Статичною називається характеристика транзистора, що описує взаємозв'язок між вхідними та вихідними струмами та напругами, коли у вихідному колі немає навантаження.

Застосовуються такі статичні характеристики біполярних транзисторів:

а) вхідні;

б) вихідні;

в) перехідні.

Вхідна характеристика — це залежність І_вх=f(U_вх) при сталій напрузі на виході (U_вих=const).

Вихідна характеристика — це залежність І_вих=f(U_вих) при сталому вхідному струмі (І_вх=const).

Перехідна характеристика (характеристика підсилення) — це залежність І_вих=f(І_вх) сталій напрузі на виході (U_вих=const).

Вхідні і вихідні характеристики будують експериментально, а перехідні можна побудувати за допомогою сім'ї вихідних характеристик.

При розрахунках схем з біполярними транзисторами застосовують h-параметри транзистора. Ці параметри характеризують властивості транзистора при малих змінах струмів і напруг.