Варианты заданий к листу 1
1 Спектральная характеристика экрана S = f (λ)
λ, мм |
455 |
485 |
500 |
510 |
525 |
535 |
555 |
565 |
600 |
615 |
636 |
650 |
S, % |
5 |
20 |
40 |
60 |
80 |
98 |
88 |
80 |
54 |
40 |
20 |
12 |
2
Фазовая характеристика колебательного
контура φ=f
(
)
, кГц |
3,25 |
4 |
4,65 |
6,2 |
7 |
8 |
9 |
φ ( ˚ ) |
-79 |
-75 |
-68 |
0 |
64 |
44 |
34 |
3 Зависимость статистических характеристик и Н-параметров биполярного транзистора Н=f (Iэ)
Iэ, мА |
100 |
1000 |
1500 |
2000 |
3000 |
4000 |
5000 |
6000 |
Н, Ом |
17,3 |
20,8 |
21,6 |
22,5 |
22,1 |
20,4 |
19,0 |
16,4 |
Характеристика прямой передачи операционного усилителя
Uвых = f (Uвх)
Uвх, мВ |
-1 |
0 |
0,5 |
0,85 |
1,25 |
1,4 |
1,5 |
1,7 |
2 |
2,5 |
3 |
4 |
Uвых, В |
-6 |
-6 |
-6 |
-6 |
-3,5 |
0 |
1,5 |
4 |
6 |
8 |
8 |
8 |
5 Зависимость тока коллектора от тока базы для транзистора Iк= f (Iб)
Iк, мА |
2 |
14 |
17,5 |
19 |
22,5 |
26 |
27,5 |
29 |
Iб, мА |
0 |
1 |
2 |
2,5 |
5 |
10 |
15 |
20 |
6 Частотная характеристика колебательного контура Uz=f ( )
, кГц |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,9 |
6,0 |
8,0 |
10 |
12 |
Uz, В |
0,1 |
0,4 |
1,0 |
2,0 |
2,0 |
0,6 |
0,2 |
0 |
7 Экспериментальная зависимость напряжения на индуктивности колебательного контура от частоты U = f ( )
, кГц |
3,25 |
4 |
4.65 |
6.2 |
7 |
8 |
9 |
U, В |
18 |
34 |
52 |
85 |
84 |
77 |
70 |
8 Экспериментальная зависимость напряжения на конденсаторе колебательного контура от частоты Uс = f ( )
, кГц |
3,25 |
4 |
4,65 |
6,2 |
7 |
8 |
9 |
Uс, В |
65 |
75 |
84 |
85 |
64 |
44 |
34 |
9 Спектральная характеристика фотоэлемента K = f (λ)
К |
0,6 |
0,8 |
0,9 |
0,6 |
0,5 |
0,4 |
0,6 |
0,7 |
0,9 |
1,0 |
0,9 |
0,7 |
0,4 |
|
3,0 |
3,2 |
3,8 |
4,5 |
5,0 |
5,5 |
6,5 |
7,0 |
7,5 |
8,0 |
8,5 |
9,0 |
1,0 |
