лекции по НСТК Мищенко

вторичная — в разрез жил кабеля 2—2 (рис. 10.25). Первичная обмотка РТ обычно выполняется из медного изолированного проводника, поперечное

сечение которого не меньше общего эквивалентного поперечного сечения металлического покрова кабеля. Вторичная обмотка представляет собой пучок изолированных друг от друга жил, по конструкции одинаковых с жилами защищаемого кабеля.

Принцип действия РТ ясен из рис. 11.25. Ток высоковольтной линии I1 индуцирует ЭДС и токи в жилах кабеля ( I12 ) и оболочке ( I13 ). Ток в оболочке I13 в свою очередь через редукционный трансформатор наводит в жилах кабеля дополнительный ток I Р.Т , противоположно направленный по отношению к токам влияния в жилах кабеля.

Рис. 11.25. Редукционный трансформатор.

Рис. 11.26. Принцип действия редукционного трансформатора: 1 — ВВЛ; 2 — кабель.

Таким образом, за счет РТ ток помех в кабеле снижается на величину тока трансформации: I рез = I12 − IР.Т .

Экранирующий эффект (S) РТ зависит от их числа: при одном РТ S = 0,3; при двух — 0,2; при трех — 0,15. Без РТ величина S составляет 0,8 ... 0,9. Отсюда следует, что наличие одного РТ дает снижение помех в 3 раза, а при трех РТ помехи снижаются в 6 раз. Дальнейшее увеличение числа РТ не дает существенной выгоды.

Экранирующий эффект РТ может быть определен по формуле

сопротивление кабельной оболочки, Ом; I — длина линии, км.

Конструктивно РТ выполнен в виде металлического герметичного ящика и устанавливается в земле на глубине прокладки кабеля. Масса РТ 100 ... 500 кг.

Отсасывающие трансформаторы (ОТ) используются для уменьшения магнитного влияния контактной сети эл. ж. д. переменного тока. Первичная

231

обмотка трансформаторной подстанции (ТП) включается последовательно в контактный провод, вторичная обмотка — либо в отдельный, обратный провод, подвешиваемый на опорах контактной сети, либо последовательно в рельсы (рис. 11.27). Ток контактной сети, протекая по первичной обмотке индуцирует во вторичной обмотке почти противоположно направленный ток.

Рис. 11.27. Схема включения отсасывающего трансформатора с обратным проводом (а) и без него (б); включение сглаживающих устройств (в): 1 — обратный провод; 2 — контактный провод; 3 — рельсы.

Благодаря этому ток, возникающий в обратном проводе, индуцирует в подверженных влиянию цепях связи токи противоположного знака, и тем самым результирующее влияние снижается. При включении вторичной обмотки в рельсы ток значительно возрастает, что приводит к увеличению защитного действия рельсов.

Для сглаживания пульсации напряжения на эл. ж. д. постоянного тока используются реакторы с резонансными контурами, которые включаются на подстанциях по схеме, показанной на рис. 11.27, в. Реактор состоит из соединенных последовательно витков медного провода, укрепленных в бетонных стойках. Активное сопротивление реактора во избежание больших потерь электрической энергии должно быть как можно меньше, индуктивное — больше. Резонансные контуры настраиваются в резонанс на соответствующие

гармоники пульсирующего напряжения и замыкают накоротко цепи прохождения токов этих гармоник.

11.2.7. УСТРОЙСТВО ЗАЗЕМЛЕНИЙ

Заземление — это устройство, состоящее из заземлителей и проводников, соединяющих заземлители с электрическими установками. Заземлителем называют проводник или группы про водников, выполненных из проводящего материала и находящихся в непосредственном соприкосновении с грунтом. (Заземлители могут быть любой формы — в виде трубы, стержня, полосы, листа, проволоки и т. д.)

В зависимости от выполняемых заземлениями функций различают рабочее, защитное и линейно-защитное заземления.

232

В технике связи рабочим заземлением называют устройство, предназначенное для соединения аппаратуры с землей, служащей одним из проводников электрической цепи. К защитным относятся заземления, предназначенные для соединения с землей приборов защиты (молниеотводов, разрядников), а также металлических частей силового оборудования. Линейно-

защитными заземлениями называют устройства для заземления металлических оболочек и экранов кабелей.

Рис. 11.28. Конструкции заземлителей: а — вертикальный; б — горизонтальный; в — кольцевой; г — пластинчатый; д — глубинный.

Рис. 11.29. Устройство трубчатых заземлений: а — одиночного; б — многоэлектродного: 1 — проволока стальная диаметром 4... 5мм; 2 — проволока перевязочная диаметром 2мм.

Отношение потенциала заземлителя к стекающему с него току называется сопротивлением заземления: R3=U3/I3. Величина сопротивления заземления

зависит от удельного сопротивления грунта и площади соприкосновения заземлителей с землей. Нормы сопротивления заземлений для различных установок проводной связи приведены в ГОСТ 464—68.

По своей конструкции заземлители разделяются на вертикальные, стержневые, горизонтальные, протяженные, кольцевые, пластинчатые и глубинные (рис.11.28). Чаще всего применяются вертикальные заземлители

233

трубчатого типа (рис. 11.28, а). Исходя из требуемых величин сопротивления заземлителей, необходимости получения достаточной механической прочности и удобства обычно используют трубы диаметром 2,5 ... 5см и длиной 1,5... 3м. Если сопротивление одного заземлителя, на пример при одной трубе, велико, то заземлитель устраивают из нескольких труб, соединенных между собой. Такой заземлитель называют многоэлектродным (рис. 11.28, б).

Общее сопротивление многоэлектродного заземлителя уменьшается не совсем пропорционально числу единичных заземлителей, соединенных параллельно, поэтому при расчете вводится поправочный коэффициент η . В

этом случае R3N = R3 / N ×η , где N — число труб; η — поправочный

коэффициент использования заземлителей, зависящий от расстояния между заземлителями и их взаимного расположения (n = 0.19... 0,92).

11.3. ЭКРАНИРОВАНИЕ КАБЕЛЕЙ СВЯЗИ

11.3.1. ПРИМЕНЕНИЕ ЭКРАНОВ

Наиболее радикальным средством защиты коаксиальных и симметричных кабельных цепей от помех является их экранирование. По конструкции и принципу действия различают экраны, защищающие от внешних и от внутренних (взаимных) помех. Для защиты от внешних помех кабель поверх сердечника покрывается металлическими оболочками. Они, как правило, имеют сплошную цилиндрическую конструкцию и выполняются из свинца, алюминия или стали (рис.11.30). Известны также конструкции двухслойных экранирующих оболочек типа алюминий — свинец, алюминий — сталь и др.

Применяются также экраны ленточного типа преимущественно из алюминиевых, медных, стальных лент, накладываемых спирально или продольно вдоль кабеля, и оплеточные экраны преимущественно из плоских и круглых проволок.

Рис. 11.30. Металлические оболочки — экраны кабелей связи: а — сплошные (I — гладкий; II — гофрированный); б — ленточные (I —

234

спиральный; II — продольный); в — оплеточные (I — из плоских проволок; II

— из круглых проволок).

Рис.11.31. Экранированный кабель однокабельной связи

Экраны, защищающие от взаимных помех, являются составным элементом самого кабельного сердечника. В этом случае цепи с высоким

уровнем передачи размещаются внутри экрана и обеспечивается возможность организации высокочастотной связи по однокабельной системе (прокладывается один кабель). При однокабельной связи экраны электрически делят цепи прямого и обратного направлений и исключают взаимные помехи.

Вкоаксиальных кабелях для обеспечения требуемых норм помехозащищенности при однокабельной связи внешний проводник выполняется биметаллическим (медь — сталь).

На рис. 11.31 показан симметричный кабель однокабельной связи с разделенным экраном для системы К-60. Экран имеет трехслойную ленточную конструкцию (медь — сталь — медь) с толщиной слоев по 0,1мм.

Врадиочастотных кабелях антенно-фидерного назначения применяются экраны гибкой конструкции типа оплетки из медных или стальных проволок.

11.3.2.ПРИНЦИПЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ

ЧАСТОТ

Вреальных условиях экранирования приходится считаться с воздействием как магнитных, так и электрических полей, причем в отдельных условиях может преобладать та или иная компонента поля. Обычно поле имеет

выраженный характер электрического или магнитного вблизи своего источника

—на расстоянии порядка длины волны. Для частоты 109 Гц длина волны составляет 0,3м, а для частоты 106 Гц — 300м. Поэтому во многих случаях

экранирования приходится иметь дело с преимущественным влиянием электрического или магнитного поля.

На расстоянии примерно более пяти -шести длин волн от источника поле принимает плоскую конфигурацию и распространяется в виде плоской волны. Особенностью плоской волны является то, что энергия в ней разделена на равные части между электрической и магнитной компонентами.

Сильные магнитные поля, как правило, присущи цепям с низким волновым сопротивлением, большим током и малым перепадом напряжений.

235

Интенсивные электрические поля создаются в цепях с большим сопротивлением, высоким напряжением и малым током.

сопротивления для плоской волны.

Рис. 11.32. Экранирование полей: а — электрического; б — магнитного.

Для изучения процессов электромагнитного экранирования в широком диапазоне частот необходимо исходить из полных уравнений электродинамики с учетом токов смещения и учитывать два типа волн высшего порядка (рис. 11.32) — волну Е (поперечно-магнитную ТМ) и волну Н (поперечно- электрическую ТЕ). Волна ТМ характеризует экранирование магнитного поля, а волна TE — экранирование электрического поля. Коэффициент экранирования определяется по следующим формулам: для магнитного поля

236

характеризующее величину затухания, вносимого экраном: AЭ = 20lg1/ S ,дБ, или AЭ = ln1/ S , Нп. Тогда для магнитного поля затухание экранирования, дБ, определится формулой (при n=1)

(11.24)

Для электрического поля (при п=1 )

(коэффициент вихревых токов); k Д = ωωε — коэффициент распространения в

диэлектрике; — толщина экрана; rэ — радиус экрана; J1 и Н1 — цилиндрические функции первого (Бесселя) и третьего (Хенкеля) родов; J1’ и

Н1’ —производные этих функций; Z0 = μ /ε — волновое сопротивление диэлектрика плоской волны; ZM = iωμ /σ — волновое сопротивление металла.

Сравнивая выражения для AЭ H и AЭ E , видим, что они имеют

принципиально одинаковую структуру. Это дает основание принять единую

формулу расчета экранного затухания электрического и магнитного полей в следующем виде:

Формула расчета Аэ справедлива в широком диапазоне частот от нуля до СВЧ и при любом режиме использования экранов (электромагнитостатическом, электромагнитном, волновом). Анализируя полученный результат, можно отметить, что формула расчета экранного затухания состоит из двух частей

Затухание поглощения обусловлено тепловыми потерями на вихревые

237

токи в металле экрана. Чем выше частота и толще экран, тем больше Ап.

Затухание отражения связано с несоответствием волновых характеристик металла, из которого изготовлен экран (ZM), и диэлектрика, окружающего экран (ZД). Чем больше различие между ZM и ZД, тем сильнее эффект затухания отражения. Величина затухания поглощения АП практически не зависит от вида поля и имеет однозначное значение для всего диапазона частот — от 0 до СВЧ. Затухание отражения А0 и в первую очередь — волновое сопротивление диэлектрика ZД различны для разных режимов и частотных диапазонов использования экранов.

Из приведенных формул видно, что частотная зависимость волновых

сопротивлений диэлектриков для магнитного и электрического полей имеет

корня из частоты, а волновое сопротивление плоской волны постоянно и равно

Z0 = μ / ε = 376,7Ом .

В диапазоне частот до 108...109 Гц формулы расчета могут быть упрощены. При малом аргументе (х<0,25) функции J1 и H1 преобразуются:

J1(x)=x/2 и Н1(x)=2/(πх). Тогда получим

Э

Частотные зависимости затуханий отражения магнитного ( A0H ) и электрического ( A0E ) полей принципиально аналогичны зависимостям Z ДH и Z ДE соответственно.

Рис. 11.33. Частотная зависимость экранного затухания полей: а —

238

магнитного; б — электрического.

На рис. 11.33 приведены результаты расчета экранного затухания магнитного ( AЭH ) и электрического ( AЭЕ ) полей. На графиках видны три

характерные частотные области, соответствующие различным режимам работы экранов:

низкочастотная, соответствующая электромагнитостатическому режиму работы;

высокочастотная, соответствующая электромагнитному режиму; сверхвысокочастотная область, соответствующая волновому режиму.

Рассмотрим более подробно принцип действия экранов и их основные характеристики при использовании в различных режимах.

11.3.3. ЭЛЕКТРОМАГНИТОСТАТИЧЕСКОЕ ЭКРАНИРОВАНИЕ

Электромагнитостатический режим характеризует стационарные и статические поля и распространяется на диапазон частот до 4 кГц. В этой

частотной области экраны действуют по принципу замыкания соответствующих полей вследствие повышенной электро- и магнитопроводности металлов. В данном случае для расчета экранов могут быть использованы уравнения Максвелла в стационарном режиме rot

и rotE = 0.

Электростатическое и магнитостатическое экранирования имеют принципиальное различие.

Электростатическое экранирование обеспечивает экранирующий эффект, равный бесконечности при постоянном поле (f=0), который с ростом частоты уменьшается. Это обусловлено частотной зависимостью волнового

природой экранирования статического электрического поля.

Электростатическое экранирование состоит в замыкании электрического поля на поверхности металлической массы экрана и передаче электрических зарядов на землю или корпус прибора. Если, например, между проводом а, несущим помеху, и проводом б, подверженным влиянию, поместить экран, соединенный с землей и корпусом прибора, то экран будет перехватывать электрические силовые линии, защищая провод б от помех (рис. 11.34).

239