Типы диодов по назначению:

• Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.

• Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов, предназначены для применения в импульсных режимах работы.

• Детекторные диоды предназначены для детектирования сигнала

• Смесительные диоды предназначены для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.

• Переключательные диоды предназначены для применения в устройствах управления уровнем сверхвысокочастотной мощности.

• Параметрические

• Ограничительные диоды предназначены для защиты радио и бытовой аппаратуры от повышения сетевого напряжения.

• Умножительные

• Настроечные

• Генераторные

Типы диодов по частотному диапазону[править | править вики-текст]

• Низкочастотные

• Высокочастотные

• СВЧ

Типы диодов по размеру перехода[править | править вики-текст]

• Плоскостные

• Точечные

Типы диодов по конструкции[править | править вики-текст]

• Диоды Шоттки

• СВЧ-диоды

• Стабилитроны

• Стабисторы

• Варикапы

• Светодиоды

• Фотодиоды

• Pin диод

• Лавинный диод

• Лавинно-пролётный диод

• Диод Ганна

• Туннельные диоды

• Обращённые диоды

Первый символ — буква (для приборов общего применения) или цифра (для приборов специального назначения), указывающая исходный полупроводниковый материал, из  которого изготовлен диод: Г (1) — германий, К (2) — кремний, А (3) — GaAS.

• Второй символ — буква, обозначающая подкласс диода: Д — выпрямительные, высокочастотные (универсальные) и импульсные диоды; В — варикапы; С — стабилитроны и стабисторы; Л — светодиоды.

• Третий символ — цифра, указывающая назначение диода (у стабилитронов — мощность рассеяния): например, 3 — переключательный, 4 — универсальный и т.д.

• Четвертый и пятый символы — двузначное число, указывающее порядковый номер разработки (у стабилитронов — номинальное напряжение стабилизации).

• Шестой символ — буква, обозначающая параметрическую группу прибора (у стабилитронов — последовательность разработки).

Вопрос15. Выпрямительный диод. Конструкция. Уго. Вах . Принцип работы. Основные свойства и параметры. Маркировка.

Выпрями́тельные дио́ды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный. На смену электровакуумным диодам и игнитронам пришли диоды из полупроводниковых материалов и диодные мосты (четыре диода в одном корпусе). Обычно к быстродействию, ёмкости p-n перехода и стабильности параметров выпрямительных диодов не предъявляют специальных требований.

Основные параметры выпрямительных диодов:

• среднее прямое напряжение Uпр.ср. при указанном токе Iпр.ср.;

• средний обратный ток Iобр.ср. при заданных значениях обратного напряжения Uобр и температуры;

• допустимое амплитудное значение обратного напряжения Uобр.макс.;

• средний прямой ток Iпр.ср.;

• частота без снижения режимов.

Частотный диапазон выпрямительных диодов невелик. При преобразовании промышленного переменного тока рабочая частота составляет 50 Гц, предельная частота выпрямительных диодов не превышает 20 кГц.

По максимально допустимому среднему прямому току диоды делятся на три группы: диоды малой мощности (Iпр.ср. ≤ 0,3 А), диоды средней мощности (0,3 А < Iпр.ср. < 10 А) и мощные (силовые) диоды (Iпр.ср. ≥ 10 А). Диоды средней и большой мощности требуют отвода тепла, поэтому они имеют конструктивные элементы для установки на радиатор.

В состав параметров диодов входят диапазон температур окружающей среды (для кремниевых диодов обычно от −60 до +125 °С) и максимальная температура корпуса.

На ВАХ реального Si-диода обозначена область электрического пробоя, когда при небольшом увеличении обратного напряжения ток резко возрастает. Этот пробой является обратимым явлением (если ток не превысит предельного значения и не произойдет вторичный тепловой пробой).

В режиме обратимого электрического пробоя работают стабилитроны. (Заметим, что такой пробой не характерен для Ge-диодов, у которых обратный ток возрастает не резко.)

Реальные ВАХ диодов зависят от тем-ры, с ростом тем-ры прямое падение напряжения уменьшается (у Si-диодов линейно в интервале от 0 до 100С с  коэф. 2мВ/С или 2.3мВ/С по другим данным, что используется для создания термодатчиков). Обратный ток при комн. тем-ре у Ge-диодов на 2-3 порядка больше, чем у Si-диодов и возрастает примерно в 1.5-2 раза с повышением тем-ры на 10 С для Ge-диодов, и в 2.5 раза для Si-диодов. Из графиков видно, что для Ge-диодов гораздо вероятнее тепловой пробой из-за резкого роста обратного тока при повышении тем-ры.