- •Вопрос1.Основы зонной теории строения твердого тела.
- •Вопрос2. Особенности и физические свойства полупроводниковых материалов.
- •Вопрос3. Примесные полупроводники. Принципы получения. Разновидности.
- •Вопрос4.Полупроводники n-типа. Принцип получения. Особенности.
- •Вопрос5.Полупроводники p-типа. Принцип получения. Оссобености.
- •Полупроводник — материал, без которого не мыслим современный мир техники и электроники. Полупроводники проявляют свойства металов и неметаллов в тех или иных условиях.
- •Вопрос6. Зависимость проводимости временных полупроводников от температуры.
- •Вопрос7.Дрейфовый и диффуционные токи в полупроводнике.
- •Вопрос8.Контакт между полупроводниками разных типов. Образование электронно-дырочного перехода.
- •Вопрос9. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при прямом включении.
- •Вопрос10. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при обратном включении.
- •Вопрос11. Виды пробоя p-n перехода их причины и ограничения.
- •Вопрос12.Вольт Амперная Характеристика p-n перехода.
- •Вопрос13.Температурные и частотные свойства p-n перехода.
- •Вопрос14.Полупроводниковые диоды. Определение . Классификация. Маркировка.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по частотному диапазону[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по размеру перехода[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по конструкции[править | править вики-текст]
- •Вопрос15. Выпрямительный диод. Конструкция. Уго. Вах . Принцип работы. Основные свойства и параметры. Маркировка.
- •Вопрос16. Высокочастотные диоды. Конструкция. Вах. Основные параметры . Маркеровка.
- •Вопрос17. Кремневые стабилитроны и стабилитроны. Уго. Вах. Принцип работы. Основные параметры. Маркировка.
- •Основные параметры стабилитронов и их типовые значения
- •Вопрос18.Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне.
- •Вопрос19. Маркировка и уго полупроводниковых диодов.
- •Вопрос20.Классификация и маркировка транзисторов.
- •Вопрос21.Устройство биполярных транзисторов. Назначение.
- •Вопрос22.Принцип действия биполярного транзистора.
- •Вопрос23. Режимы работы транзистора. Нормальный активный режим[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Вопрос24.Схема включения транзистора с общей базой. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос25.Схема включения транзистора с общим эмиттером. Особенности. Основные параметры.
- •Вопрос26.Схема включения тразистора с общим коллектором. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос27. Транзистор, включенный по схеме с общей базой в динамическом режиме. Оссобености работы. Характеристики.
- •Вопрос28.Транзистор. Включенный по схеме с общим эмиттером в динамическом режиме. Оссобености работы. Динамические характеристики.
- •Вопрос29. Простейшая схема усилителя мощности с резистивной нагрузкой.
- •Вопрос30.Температурные и частотные свойства транзисторов.
- •Вопрос31. Биполярный транзистор как активный четырёхполюсник. H-параметры транзистора.
- •Параметры транзистора как четырехполюсника. H-параметры
- •Вопрос32.Полевой транзистор. Конструктивные особенности. Основные характеристики. Уго.
- •Вопрос39
- •По назначению
- •Вопрос40
- •Вопрос41
- •Вопрос42
- •Вопрос43.
- •Вопрос44.
- •Вопрос45. Однотактный трансформаторный каскад
- •Вопрос46.
- •Вопрос47.
- •Вопрос48
Вопрос44.
Виды межкаскадных связей.
Для увеличения коэффициента усиления могут приме-
няться многокаскадные усилители. В этом случае между каскадами, а также между входом усилителя и источником сигнала или же между выходом усилителя и нагрузкой могут существовать следующие виды межкаскадных связей.
1) Резисторно-ёмкостная связь.
Резисторно-ёмкостная связь является наиболее широко распространённой в усилителях переменного напряжения.
2) Трансформаторная связь.
Трансформаторная связь позволяет осуществить оптимальное согласование между каскадами
путём подбора коэффициента трансформации трансформатора.
Недостатки:
Сравнительно большие габариты и вес трансформаторов.
Большие частотные искажения, так как сопротивления обмоток трансформатора зависят от частоты XL = ω ∙ L, поэтому трансформаторная связь применяется на низких частотах и в узком диапазоне.
3) Гальваническая (непосредственная) связь.
Гальваническая связь применяется в УПТ.
Трансформаторная
связь.
Трансформаторная связь позволяет осуществить оптимальное согласование между каскадами
путём подбора коэффициента трансформации трансформатора.
Недостатки:
Сравнительно большие габариты и вес трансформаторов.
Большие частотные искажения, так как сопротивления обмоток трансформатора зависят от частоты XL = ω ∙ L, поэтому трансформаторная связь применяется на низких частотах и в узком диапазоне.
Вопрос45. Однотактный трансформаторный каскад
Принципиальные схемы однотактных трансформаторных усилителей мощности при включении транзисторовпосхеме с общим эмиттером и общей базой приведены соответственно на рисунке 2,а и 2,б. На рисунке 3 показана линия нагрузки каскада по переменному току, позволяющая провести анализ работы схемы (рисунке 2,а) графоаналитическим методом с использованием выходных характеристик транзистора.
Рисунок 2 - Принципиальные схемы однотактных каскадов усилителей мощности с трансформаторной обратной связью
Порядок
построения линии нагрузки следующий.
Вначале строится линия нагрузки по
постоянному току. Транзистор в каскаде
с трансформаторным включением нагрузки
нагружен по постоянному току малым
сопротивлением первичной обмотки
трансформатора. Если
то
напряжение на коллекторе мало
отличается от напряжения
источника
питания и линия нагрузки по постоянному
току пройдет очень круто вверх из
точки
на
оси напряжений (прямая
). Рабочая
точка О каскада находится на этой
нагрузочной прямой и ее положение
определяется величиной
,
где
падение
напряжения на активном сопротивлении
первичной обмотки трансформатора при
выбранном значении тока покоя коллектора.
Рисунок
3 - Характеристики однотактного каскада
усиления мощности с трансформаторной
связью.
Рабочая точка О одновременно должна находиться на линии нагрузки каскада по переменному току. Поэтому для построения этой нагрузочной прямой необходимо найти одну из двух крайних ее точек на выходных характеристиках транзистора. Обычно этой точкой выбирается точка А, лежащая на перегибе одной из выходных характеристик. Такое расположение точки А, как нетрудно убедиться, обеспечивает для выбранного режима наименьшие нелинейные искажения при наименьшем потреблении мощности источника питания.
