- •Вопрос1.Основы зонной теории строения твердого тела.
- •Вопрос2. Особенности и физические свойства полупроводниковых материалов.
- •Вопрос3. Примесные полупроводники. Принципы получения. Разновидности.
- •Вопрос4.Полупроводники n-типа. Принцип получения. Особенности.
- •Вопрос5.Полупроводники p-типа. Принцип получения. Оссобености.
- •Полупроводник — материал, без которого не мыслим современный мир техники и электроники. Полупроводники проявляют свойства металов и неметаллов в тех или иных условиях.
- •Вопрос6. Зависимость проводимости временных полупроводников от температуры.
- •Вопрос7.Дрейфовый и диффуционные токи в полупроводнике.
- •Вопрос8.Контакт между полупроводниками разных типов. Образование электронно-дырочного перехода.
- •Вопрос9. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при прямом включении.
- •Вопрос10. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при обратном включении.
- •Вопрос11. Виды пробоя p-n перехода их причины и ограничения.
- •Вопрос12.Вольт Амперная Характеристика p-n перехода.
- •Вопрос13.Температурные и частотные свойства p-n перехода.
- •Вопрос14.Полупроводниковые диоды. Определение . Классификация. Маркировка.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по частотному диапазону[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по размеру перехода[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по конструкции[править | править вики-текст]
- •Вопрос15. Выпрямительный диод. Конструкция. Уго. Вах . Принцип работы. Основные свойства и параметры. Маркировка.
- •Вопрос16. Высокочастотные диоды. Конструкция. Вах. Основные параметры . Маркеровка.
- •Вопрос17. Кремневые стабилитроны и стабилитроны. Уго. Вах. Принцип работы. Основные параметры. Маркировка.
- •Основные параметры стабилитронов и их типовые значения
- •Вопрос18.Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне.
- •Вопрос19. Маркировка и уго полупроводниковых диодов.
- •Вопрос20.Классификация и маркировка транзисторов.
- •Вопрос21.Устройство биполярных транзисторов. Назначение.
- •Вопрос22.Принцип действия биполярного транзистора.
- •Вопрос23. Режимы работы транзистора. Нормальный активный режим[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Вопрос24.Схема включения транзистора с общей базой. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос25.Схема включения транзистора с общим эмиттером. Особенности. Основные параметры.
- •Вопрос26.Схема включения тразистора с общим коллектором. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос27. Транзистор, включенный по схеме с общей базой в динамическом режиме. Оссобености работы. Характеристики.
- •Вопрос28.Транзистор. Включенный по схеме с общим эмиттером в динамическом режиме. Оссобености работы. Динамические характеристики.
- •Вопрос29. Простейшая схема усилителя мощности с резистивной нагрузкой.
- •Вопрос30.Температурные и частотные свойства транзисторов.
- •Вопрос31. Биполярный транзистор как активный четырёхполюсник. H-параметры транзистора.
- •Параметры транзистора как четырехполюсника. H-параметры
- •Вопрос32.Полевой транзистор. Конструктивные особенности. Основные характеристики. Уго.
- •Вопрос39
- •По назначению
- •Вопрос40
- •Вопрос41
- •Вопрос42
- •Вопрос43.
- •Вопрос44.
- •Вопрос45. Однотактный трансформаторный каскад
- •Вопрос46.
- •Вопрос47.
- •Вопрос48
Вопрос27. Транзистор, включенный по схеме с общей базой в динамическом режиме. Оссобености работы. Характеристики.
Транзистор - преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, пригодный для усиления мощности.
Усилитель представляет собой четырехполюсник, у которого два вывода являются входом и два вывода являются выходом. Структурная схема включения усилителя приведена на рисунке 1.
Рисунок 1 Структурная схема включения усилителя
Основной усилительный элемент — транзистор имеет всего три вывода, поэтому один из выводов транзистора приходится использовать одновременно для подключения источника сигнала (как входной вывод) и подключения нагрузки (как выходной вывод). Схема с общей базой — это усилитель, где база транзистора используется как для подключения входного сигнала, так и для подключения нагрузки. Функциональная схема усилителя с транзистором, включенным по схеме с ОБ приведена на рисунке 2.
Рисунок 2
Функциональная схема включения
транзистора с общей базой
На данной схеме пунктиром показаны границы усилителя, изображенного на рисунке 1. На ней не показаны цепи питания транзистора. Для питания транзистора в схеме с общей базой может подойти любая из рассмотренных нами схем: схема с фиксированным током базы, схема с фиксированным напряжением на базе, схема с коллекторной стабилизацией или схема с эмиттерной стабилизацией. Расчет резисторов, входящих в эти схемы не зависит от схемы включения транзистора и для схемы с общей базой проводится точно так же как и для схемы с общим эмиттером. На рисунке 3 показана принципиальная схема каскада на биполярном npn-транзисторе, выполненного по схеме с ОБ.
Рисунок 3
Принципиальная схема включения
транзистора с общей базой
В усилительном каскаде, изображенном на рисунке 3, используется схема эмиттерной стабилизации тока коллектора, обладающая наилучшими характеристиками по стабильности режима транзистора. В ряде случаев достаточно коллекторной стабилизации. Схема каскада усиления с коллекторной стабилизацией и схемой включения транзистора с общей базой приведена на рисунке 4.
входная характеристика транзистора соответствует характеристике pn-перехода, включенного в прямом направлении. Если UКБ ¹ 0, то входная характеристика изменяется, т.е. транзистор – прибор, в котором существует обратная связь и сигнал в выходной цепи может оказывать влияние на сигнал входной цепи.
При UЭБ=0 и UКБ концентрация в базе равновесная pn0Б, градиент концентрации в базе отсутствует, токи через эмиттерный и коллекторный переходы равны нулю (т.0). В случае узкой базы распределение концентрации неосновных носителей в базе можно считать линейным.
На ВАХ можно выделить три области, соответствующие различным режимам работы транзистора: активную область, область насыщения и область отсечки.
Если эмиттер смещен в прямом направлении, происходит инжекция носителей заряда в базу и, доходя до коллектора, они создают ток в выходной цепи
Вопрос28.Транзистор. Включенный по схеме с общим эмиттером в динамическом режиме. Оссобености работы. Динамические характеристики.
Транзистор - преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, пригодный для усиления мощности.
Усилитель представляет собой четырехполюсник, у которого два вывода являются входом и два вывода являются выходом. Структурная схема включения усилителя приведена на рисунке 1.
Основной особенностью схемы с общим эмиттером является то, что входным током в ней является не ток эмиттера, а малый по величине ток базы IБ . Поэтому входное сопротивление каскада с общим эмиттером значительно выше, чем входное сопротивление каскада с общей базой, и составляет сотни Ом. Выходное сопротивление в схеме с общим эмиттером также достаточно велико (порядка десятка кОм).
выходная характеристика (рис. 3.6 б)
;
входная характеристика (рис. 3.6 в)
а) б) в)
Рисунок 3.6. Включение транзистора с общим эмиттером.
Схема включения с общим эмитером обеспечивает усиление сигнала, как по напряжению, так и по току.
Статические ВАХ сняты при отсутствии сопротивления нагрузки в выходной цепи .
В практических случаях выходная цепь содержит сопротивление нагрузки. В этом случае говорят о динамическом режиме работы транзистора. В динамическом режиме изменения коллекторного тока при Ек=const и Rk=const зависят не только от изменения базового тока, но и от изменений напряжения на коллекторе
которое, в свою очередь, определяется изменениями как базового, так и коллекторного токов. Такой режим работы называется динамическим, а характеристики, определяющие связь между токами и напряжениями транзистора при наличии сопротивления нагрузки – динамическими. Динамические характеристики строятся на семействах статических ВАХ при заданных значениях Ек и Rк.
Для построения динамической выходной характеристики схемы с ОЭ использовано уравнение динамического режима, которое представляет собой уравнение прямой. Это очевидно, если ее представить в виде
Ik = Ek / Rk – Uкэ / Rk ;
Ek = Uкэ ; Ik = 0 – точка А ;
Uкэ = 0 ; Ik = Ek / Rk – точка B ;
j = arctg Rk .
точка пересечения динамической характеристики (нагрузочной прямой) с одной из статических ВАХ называется рабочей точкой транзистора (р). Изменяя Iб, можно перемещать рабочую точку по нагрузочной прямой.
Существует три основных режима работы транзистора :
· Активный (усилительный) ;
· Насыщения ;
· Отсечки .
Область отсечки ограничена сверху ВАХ , соответствующей Iб = - Iко (оба p-n перехода транзистора закрыты). Область насыщения ограничена справа прямой линией, из которой выходят статические ВАХ (оба p-n перехода триода открыты). Активная область лежит между областями отсечки и насыщения .
