- •5. Охарактеризуйте имс по степени интеграции и по функциональному признаку.
- •6. Дайте определение различным типам микросхем (полупроводниковая, гибридная, совмещенная).
- •8. Каким образом геометрические параметры полупроводниковых структур сказываются на электрофизические?
- •9. Приведите примеры конструкций полупроводниковых резисторов и конденсаторов и охарактеризуйте их.
- •Структура диффузионного резистора с использованием базового слоя (а), пинч-резистора (б) и эммитерного слоя (в)
- •12. Что такое коэффициент формы резистора и каким образом он может быть определен?
- •Интегральные диоды (диодные включения транзистора)
- •Конструкции интегральных диодов
- •18. Приведите пример конструктивно-технологической реализации диодов и транзисторов Шоттки.
- •13. Каким образом на итоговое сопротивление резистора сказываются приконтактные области?
- •14. Какая емкость p-n-перехода используется при изготовлении полупроводникового диффузионного конденсатора?
- •17. Варианты изготовления диодов по биполярной технологии
- •Конструкции (а, б) и принципиальная схема (в) транзисторов с диодами Шоттки с охранным кольцом (а) и с расширенным металлическим электродом (б)
- •25. Металлическая разводка и принципы ее проектирования
- •Сечение (а) и общий вид (б) пересечения металл — поликремний
- •Вид сверху (а) и разрез (б) диффузионной перемычки
- •26. Приведите пример и поясните технологического процесса изготовления тонких пленок для гимс.
- •27. Какие материалы используются для изготовления подложек гибридных и совмещенных имс? Требования к подложкам.
- •28.Поясните методику расчета геометрии пленочных резисторов.
- •Топология (а) и структура (б) прямолинейного резистора
- •Пленочные резисторы больших номиналов: меандр (а), змейка (б), полосковый (в).
- •Неправильное расположение контактных площадок
- •29. Поясните методику расчета пленочных конденсаторов.
- •Структура (а) и топологии (б, в, г) пленочных конденсаторов
- •30.Поясните методику расчета пленочных катушек индуктивности.
- •Топология катушекиндуктивности круглой (а) и прямоугольной (б) формы
- •Зависимость коэффициента k от соотношения диаметров
Топология катушекиндуктивности круглой (а) и прямоугольной (б) формы
Пленочная спираль из 20 витков диаметром 8,3 мм имеет характеристики, представленные в таблице 2.5.
Характеристики пленочной спирали из 20 витков диаметром 8,3 мм
Индуктивность более 5 мкГн в пределах допустимых размеров получить не удается. Для получения больших значений индуктивности спираль помещают в среду с повышенной магнитной проницаемостью. Для этого используют либо ферромагнитные пленки, либо подложку ГИМС изготавливают из ферритовых материалов.
Величина индуктивности в виде плоской спирали может быть определена по следующей приближенной формуле
|
|
где L – индуктивность, мкГн; m – шаг спирали, мм; k – некоторый коэффициент, зависящий от геометрии катушки; D1 – внутренний диаметр спирали, мм.
Обычно полагают D1 ≥ 0,5 мм. Коэффициент k зависит от отношения D2/D1 (рис. 2.6), где D2 – внешний диаметр спирали. Обычно полагают D2 ≤ 10 мм.
Зависимость коэффициента k от соотношения диаметров
В структурах катушек индуктивности (рис. 2.5) один из выводов находится внутри спирали. Если необходимо его вывести наружу, то вывод проводят по слою диэлектрика, нанесенного на витки. Ширина витка b при заданной добротности Q может быть определена выражением:
|
|
где ρ – удельное сопротивление материала спирали, Ом·см; f – рабочая частота, МГц; Θ – толщина проводящего слоя,мм.
Если осаждены две спирали на обе стороны подложки, то получится пленочный трансформатор. Взаимная индуктивность определяется материалом и толщиной подложки. Коэффициент взаимоиндукции в этом случае очень мал, так как материал подложки обычно является диамагнитным материалом.
Металлические элементы конструкции микросхемы оказывают влияние на величину индуктивности и на ее добротность. Этот эффект может быть использован для получения подстроечных индуктивных элементов. Например, можно применить подвижную перемещаемую металлическую пластину, параллельную подложке, на которой имеется пленочная индуктивность.
