13. Каким образом на итоговое сопротивление резистора сказываются приконтактные области?

Расчетную длину резистора определяем по выражению

,

где – количество изгибов резистора на угол π/2; k₁, к₂ — по­правочные коэффициенты, учитывающие сопротивление контактных областей резистора (рис. 7.3, а – г), зависящее от конфигурации контактной области резистора, соотношения размеров контактного окна L₁ контактной области L₂ и реальной ширины резистора b с каждой его стороны; п₁ и п₂ — число контактных площадок (обычно n = 2).

а)	б)	в)		г)

Значения коэффициентов k₁ и k₂ для расчета диффузионных резисторов при различных конфигурациях контактных площадок (a, б – низкоомные резисторы, в,г – высокоомные резисторы)

14. Какая емкость p-n-перехода используется при изготовлении полупроводникового диффузионного конденсатора?

В полупроводниковых ИМС в качестве конденсаторов чаще всего используют обратно смещенные p-n-переходы. Кроме того, используются структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в том числе и в биполярных микросхемах. Реже используются структуры типа металл-диэлектрик-металл (МДМ). На рис. 7.4 приведены возможные структуры интегральных конденсаторов.

а)	б)
в)	г)
д)

1. Структуры конденсаторов полупроводниковых ИМС: на основе эмиттерного перехода (а); на основе коллекторного перехода (б); на основе перехода коллектор-подложка (в); на основе параллельно включенных эмиттерного и коллекторного переходов (г); МДП – структура (д).

17. Варианты изготовления диодов по биполярной технологии

В качестве диода можно использовать любой из двух р-n-переходов расположенных в изолирующем кармане: эмиттерный или коллекторный. Можно также использовать их комбинации. Поэтому по существу интегральный диод представляет собой диодное включение интегрального транзистора.

Пять возможных вариантов диодного включения транзистора показаны на рис. 6.5 и 6.6. В табл. 6.1 приведены типичные параметры этих вариантов. Для них приняты следующие обозначения: до черточки стоит обозначение анода, после черточки — катода; если два слоя соединены, их обозначения пишутся слитно. Из табл. 6.1 видно, что варианты различаются как по статическим, так и по динамическим параметрам.

1. Интегральные диоды (диодные включения транзистора)

2. Конструкции интегральных диодов

Типичные параметры диодных структур

18. Приведите пример конструктивно-технологической реализации диодов и транзисторов Шоттки.

Широкое применение находят диоды Шоттки. Это обусловлено их специфическими характеристиками, позволяющими улучшить ряд важнейших параметров. Прежде всего с помощью диодов Шоттки удается увеличить их быстродействие и снизить рассеиваемую мощность.

В диодах с барьером Шоттки отсутствует накопление зарядов, так как принцип их действия основан на свойствах контакта полупроводника с металлом. Весь прямой ток, протекающий через такой контакт, создается электронами, перемещающимися из полупроводника в металл, которые быстро приходят в равновесие с другими электронами в металле. Этим объясняется отсутствие в диодах Шоттки сколько-нибудь значительного накопления заряда, мешающего быстрому выключению перехода. Быстродействие диодов Шоттки определяется в основном временем перезаряда барьерной емкости, которая зависит от ширины области объемного заряда и не связана с накоплением заряда.

Быстродействие ключевого биполярного транзистора в значительной степени определяется длительностью процесса рассасывания заряда неосновных носителей, накопленных в базе и коллекторе при работе транзистора в режиме насыщения, когда коллекторный смещен в прямом направлении. Шунтирование коллекторного перехода диодом Шоттки позволяет сильно ослабить инжекцию неосновных носителей открытым переходом, так как диод Шоттки ограничивает напряжение открытого коллекторного p-n-перехода.

1. Конструкции планарных диодов Шоттки: а — с охранным кольцом; б—с тонким окислом по периферии контакта и расширенным электродом; в — с выводами выпрямляющего и омического контактов на одну сторону подложки; 1 — металл, образующий с полупроводником п-типа барьер Шоттки; 2 — металл, образующий с полупроводником п+-типа омический контакт