- •Содержание
- •1. Начальные сведения об усилительных устройствах 11
- •2. Основные параметры и характеристики азу 13
- •3. Краткая характеристика основных методов анализа
- •4. Работа усилительного элемента (уз) в схеме 38
- •1. Начальные сведения об усилительных устройствах
- •1.1. Основные определения
- •1.2. Классификация усилителей
- •2. Основные параметры и характеристики аэу
- •2.1. Коэффициенты передачи (усиления)
- •2.2. Передаточные функции
- •2.3. Амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики
- •2.4. Амплитудно - фазовая характеристика
- •2.5. Переходная характеристика
- •2.6. Линейные искажения
- •2.6.1. Частотные искажения
- •2.6.2. Фазовые искажения
- •2.6.3. Переходные искажения
- •2.7. Нелинейные искажения
- •2.8. Внутренние помехи
- •Шумы резисторов
- •Шумы усилительных элементов (уэ)
- •2.9. Амплитудная характеристика и динамический диапазон
- •3. Краткая характеристика основных методов анализа линейных схем
- •3.1. Обобщенный метод узловых потенциалов
- •Пассивная схема
- •Активная схема
- •3.2. Метод четырехполюсника
- •3.3. Операторный метод
- •4. Работа усилительного элемента (уэ) в схеме
- •4.1. Модели транзисторов
- •4.1.1. Общие сведения
- •4.1.2. Формальная модель уэ
- •4.1.3. Физическая модель биполярного транзистора
- •4.1.4. Физическая модель полевого транзистора
- •4.2. Операционный усилитель как активный элемент
- •4.2.1. Общие сведения
- •4.2.2. Статические параметры оу
- •4.2.3. Динамические параметры оу
- •4.2.4. Классификация оу
- •4.2.5. Статическая линейная макромодель оу
- •4.2.6. Динамическая линейная макромодель оу
- •4.3. Свойства транзистора в различных схемах включения
- •4.3.1. Транзистор как активный трехполюсник
- •4.3.2. Вывод выражений для параметров нагруженного трехполюсника
- •4.3.3. Сравнительные свойства биполярного транзистора в трех схемах включения (оэ, об, ок)
- •4.3.4. Сравнительные свойства полевого транзистора в трех схемах включения (ои, оз, ос)
- •4.4. Составные транзисторы
- •4.4.1. Пара Дарлингтона
- •4.4.2. Каскадная схема
- •Литература
- •Аналоговые электронные устройства
4.2.3. Динамические параметры оу
Динамические параметры ОУ, характеризующие его быстродействие (широкополостность), можно разделить на параметры малого и большого сигналов. К первой группе относятся частота единичного усиления f1 и время установление ty. Эти параметры называются малосигнальными, так как измеряются в линейном режиме работы каскадов ОУ (uд ≤ 50 мВ, uвых ≈ 1В). Ко второй группе относят максимальную скорость нарастания выходного напряжения Vu.
Частота единичного усиления f1 (рис.2.4,а) определяет активную полосу пропускания, максимально реализуемую для данного типа ОУ. Характерные значения f1 для ОУ общего применения (разд.4.2.4) от 1 МГц до 16 МГц.
Время установление ty для ОУ имеет тот же самый смысл, что и аналогичный параметр для любой линейной схемы (разд.2.6.3).
Максимальная скорость нарастания выходного напряжения Vu = Uyap/tнap (рис.4.9), где Uвых - максимальное выходное напряжение ОУ, соответствующее верхней границе его линейного режима.
Скорость Vu, как правило, неодинакова при изменении сигнала в разных направлениях. Ограниченная скорость нарастания выходного напряжения вызывает искажение как синусоидального, так и несинусоидального сигналов.
4.2.4. Классификация оу
В
ыпускаемые
отечественной промышленностью
интегральные ОУ классифицируются по
следующим группам: общего
применения, прецизионные, быстродействующие,
микромощные, мощные и высоковольтные.
ОУ общего применения предназначены для построения узлов аппаратуры, имеющих суммарную погрешность .Не более 1 7,. Это наиболее распространенные ОУ, выпускаемые в большом количестве и разных типов. Например, – К140УД1, 5, 6, 7, 8. У К140УД5 Кд = 1 В/мВ, Ucм = 5 мB, IВХ = 104 нА.
Прецизионные ОУ характеризуются большим коэффициентом усиления (Кд > 105) малым напряжением смещения нуля (Ucм < 0.5 мВ). малыми уровнями дрейфов и шумов, большим входным сопротивлением. Например, К140УД17: Кд = 200 В/мВ, UCM = 0,007 мB, IВХ = 4 нА.
Быстродействующие ОУ имеют большую скорость нарастания выходного напряжения (Vu > 50 В/мкс) и широкополосность (f1 > 10 МГц). Например, К574УД1: Vu = 50 В/мкс, f1 = 10 МГц.
Микромощные ОУ. Их особенность – малая потребляемая мощность от источника питания. Предназначены они, в основном, для работы с батарейными источниками питания. Например, К140УД12: при Еп= 15 В, Iпот = 30 мкА. Для сравнения, у К140УД5 Iпот=12 мА.
Мощные и высоковольтные ОУ имеют Iвых ≥ 1А и uвых<19 В. Например. К157УД1: Iвых.макс=400...1000 мА. Uвых.макс = 12 В.
4.2.5. Статическая линейная макромодель оу
До сих пор мы рассматривали модели одиночных полупроводниковых элементов (транзисторов). В АЭУ эти элементы соединяются для выполнения определенных функций. Таким функциональным блоком является, например ОУ. Хотя ОУ может быть проанализирован на уровне компонент, это неудобно на практике. Типичный ОУ содержит 20...30 транзисторов в дополнение к резисторам и конденсаторам. Использование 6-элементной модели БТ (разд.4.1.3) приведет к 120...180 элементам при описании ОУ на компонентном уровне. Это вызовет серьезные трудности при анализе АЭУ, в состав которого входит этот ОУ. Кроме того, проектировщик редко имеет доступ к внутренней структуре ОУ и параметрам его элементов. Поэтому предпочтительно использовать макромодели. Термин "макромодель" сформировался в начале 70-х годов и далее применялся для обозначения моделей, которые в значительно упрощенной форме моделировали функционирование некоторых узлов электронной аппаратуры, в том числе и ОУ.
Макромодель ОУ – это более простая по сравнению с моделью на уровне компонент схема, воспроизводящая поведение ОУ на уровне входных, передаточных и выходных характеристик, а также учитывающая определенные, наиболее важные для конкретных видов расчета характеристики и реакции исследуемого усилителя на внешние воздействия.
Естественно, применение макромоделей приводит к упрощению модели схемы и, как следствие этого, к понижению точности моделирования, но, в основном, тех характеристик схемы, которые несущественны в данном конкретном случае. Классификация макромоделей ОУ производится по тем же признакам, что и для транзисторов (разд.4.1.1). Кроме того, макромодели подразделяются по уровню сложности. Макромодель последнего уровня сложности – это, по существу, модель на уровне компонент.
Статическая линейная макромодель ОУ, приведенная на рис.4.10, эквивалентна математической модели, представленной системой трех уравнений
Э
квивалентность
обеих моделей базируется на законах
Кирхгофа, записанных для входных зажимов
ОУ с учетом соотношения uд
=
–(IвыхКвых
+
uвых)/Кд.хх.
В качестве примера покажем, как это
делается для i–.
В соответствии с рис.4.10 ток, втекающий
в инвертирующий вход, равен
П
одставляя
в последнее уравнение выражение для
ид,
получим второе уравнение системы
(4.18).
Л
егко
показать, что модель на рис.4.10 полностью
соответствует тем определениям
статических параметров ОУ, которые
были даны в разд.4.2.2. Действительно,
параметры uсм.
ibx1
и
ibx2
определяются при условиях Rн
= ∞, uвых
= 0,uсф
= 0. Если RH
=
∞, то Iвых
=
0. Подставляя эти условия в уравнения
системы (4.18), получим
ч
то
и требовалось доказать.
Таким образом, в отсутствие сигнала на выходе схемы появляется конечное постоянное напряжение, которое можно непосредственно измерить и которое является абсолютным показателем выходной статической погрешности. Если это напряжение разделить на коэффициент передачи операционной схемы (ОУ с внешними элементами) на нулевой частоте, то вычисленное таким образом напряжение называется входной статической погрешностью (ВСП). Эту погрешность нельзя непосредственно измерить, подключив, например, ко входу схемы вольтметр. Это вычисленное эквивалентное значение. Знание ВСП позволяет определить отношение сигнал/шум на входе схемы, т.е. оценить ее реальную чувствительность.
Обратите внимание, что, согласно определению (разд.4.2.2), генераторы uсм. ibx1 и ibx2 - это не составляющие ВСП, а источники, компенсирующие данную погрешность, т.е. обеспечивающие баланс схемы (установку нуля выходного напряжения) на холостом ходу (rн = ∞) . Такое определение этих параметров удобно с практической точки зрения, так как позволяет относительно просто их измерить. При расчете же полагают, что именно эти генераторы, называемые генераторами статических ошибок, являются причиной разбаланса схемы и для их компенсации на вход подключают компенсирующий источник напряжения Ек (рис.4.10). Поскольку определяется модуль ВСП (разработчик ОУ гарантирует, только абсолютное значение uСМ), то это противоречие никак не сказывается на результатах расчета. Значит, величина Ек и будет определять величину ВСП, а отношение uBx/EK будет являться отношением сигнал/помеха на входе схемы.
Предположим, что ОУ имеет конечное значение генераторов статических ошибок uсм. ibx1 и ibx2. Остальные параметры соответствуют идеальному ОУ, т.е. Квх = Квх.сф = ∞; Кд = Кос.сф = ∞. В этом случае из (4.18) следует (4.19) и
EK = Uсм + Iвх1R– – Iвх2R+. (4.20)
Таким образом, ВСП имеет две составляющие: потенциальную (Uсм) и токовую IBX1R–– IBX2R+.. которые могут частично или полностью компенсировать друг друга. Поскольку UCM может иметь любой знак, при оценке ВСП рассчитывается максимальная величина Ек
|EK| = |Uсм| + |Iвх1R–– Iвх2R+| (4.21).
На первый взгляд, экспериментально баланс схемы можно осуществить довольно просто: необходимо или подать на вход схемы напряжение, равное ек, или, изменяя одно из сопротивлений R+, или R–,
обеспечить равенство нулю правой части выражения (4.20) (при Ек=0). Однако такие способы балансировки схемы могут привести к ряду нежелательных эффектов (к уменьшению Кд и Кос.сФ. к увеличению температурного дрейфа др.). Поэтому в ОУ нужно иметь две независимые регулировки: настройка нуля токовой и потенциальной составляющих ВСП.
Для устранения токовой составляющей ВСП нужно соответствующим образом подобрать сопротивление R+; если источник подключается к инвертирующему входу, или R–, при подключении источника сигнала к неинвертирующему входу. При R+ = R–(IBx1/IBx2) токовые составляющие полностью компенсируют друг друга. Однако в справочной литературе информация о токах IBX1 и 1ВX2 отсутствует и величина отношения IBx1/IBx2 заранее неизвестна. Таким образом, хотя теоретически возможна полная компенсация токовых составляющих путем индивидуальной подгонки симметрирующего сопротивления R+(R) практически оптимальной величиной R+ обычно считают величину R+=R–. В этом случае ОУ "ощущает" равное сопротивление на обоих входах. Тогда из (4.20) следует, что
Ек = uсм + R–ΔIвх (4.22) При R+=0
EK ≈ Uвх+R– iвх.см. (4.23)
Сравнение (4.22) и (4.23) показывает, что введение оптимального симметрирующего резистора R+ эквивалентно замене большого тока ibx.cm на меньший ток ΔIвх. В результате токовая составляющая ВСП уменьшается в несколько раз. Если ibx.cm и ΔIвх – имеют величину одного порядка, то мы не получим никакого выигрыша от постановки симметрирующего резистора.
Резисторная балансировка токовой составляющей невозможна в тех случаях, когда источник сигнала имеет неизвестное и нестабильное внутреннее сопротивление. В этом случае лучше взять ОУ, у которого входной каскад выполнен на ПТ.
Для компенсации потенциальной составляющей ВСП (Uсм) чаще всего используются соответствующие выводы ОУ. Конкретная схема настройки нуля определяется изготовителем ОУ.
Более подробно вопросы токовой и потенциальной балансировки будут рассмотрены во второй части конспекта лекций.
