- •1.1 Схемотехника. Цифровая схемотехника. Уровни сигналов. Положительная и отрицательная логика.
- •1.2 Счетчики с недвоичным кодированием. Счетчики в коде Грея. Область применения. Общая структура.
- •2.1 Понятие логический элемент. Простейшие логические элементы. Общий принцип построения логических элементов.
- •2.2 Счетчики с произвольным и управляемым модулем счета. Двоично-десятичные счетчики.
- •3.1 Понятие интегральная логическая схема (имс). Маркировка имс. Технология изготовления. Типы логики.
- •3.2Риверсивные счетчики. Общая структура. Принцип работы. Назначение.
- •4.2 Стековое зу. Память типа fifo. Общая структура. Назначение. Принцип работы.
- •5.1 Цифровые узлы. Последовательностные и комбинационные устройства. Общая структура и принцип работы.
- •5.2 Счетчики. Двоично-вычитающие и двоично-суммирующие счетчики. Общая структура. Принцип работы. Область применения.
- •6.1 Комбинационная логика. Этапы синтеза комбинационных автоматов. Методы синтеза.
- •7.1 Дешифраторы. Классификация дешифраторов. Общий принцип работы и область применения. Каскадирование дешифраторов.
- •7.2 Счетчики. Общая характеристика. Классификация. Область применения.
- •8.2 Дешифраторы. Приницп работы. Линейный дешифратор. Внутренняя структура.
- •8.2 Регистры с обратной связью. Генераторы псевдослучайных последовательностей на базе регистров.
- •9.1 Дешифраторы. Назначение и принцип работы. Структура пирамидального дешифратора.
- •9.2 Регистровый файл. Область применения. Общая структура.
- •10.1 Дешифраторы. Назначение и принцип работы. Структура прямоугольного дешифратора.
- •10.2 Регистры последовательного приближения. Область применения. Общая структура
- •11.1 Дешифратор семисегментного кода. Структура. Схема включения.
- •12.1 Комбинационные схемы. Мультиплексоры. Назначение. Структура. Каскадирование мультиплексоров. Мультиплексирование шин..
- •12.2 Универсальный регистр. Реверсивный регистр. Общая структура. Назначение. Универсальные регистры
- •15.2 Последовательный (сдвиговый) регистр. Общая структура. Назначение.
- •16.1 Схема указателя старшей единицы. Назначение. Структура и принцип работы.
- •16.2 Регистры. Классификация регистров. Параллельные регистры. Назначение. Общая структура.
- •17.1 Мультиплексоры. Реализация логических функций мультиплексорами. Построение схем сравнения и преобразователей параллельного кода в псоледовательный.
- •18.1 Демультиплексоры. Реализация логических функций и преобразователей последовательного кода в параллельный на демультиплексорах.
- •18.2 Счетные триггеры.Применения.Jk-триггеры.T-триггер.Структура.Синтез.
- •19.1 Схемы контроля четности. Назначение. Структура. Бит паритета. Контроль четности.
- •19.2 Запоминающие устройства. Основные сведения, система параметров и классификация. Характеристики запоминающих устройств.
- •20.1 Мажоритарные элементы. Область применения. Структура.
- •20.2 Триггеры. Rs-триггер. Приоритетный rs-триггер. Структура. Синтез. Область применения.
- •21.1. Цифровые компараторы. Область применения. Общая структура. Наращивание Компараторов
- •21.2. Память для хранения многоразрядных слов. Структура многоразрядного озу с совмещенной шиной данных.
- •22.1 Сумматоры двоичных кодов чисел. Классификация сумматоров. Общая структура. Область применения.
- •22.2 Полупроводниковая память с двухтактной организацией. Динамическая память типа dram.
- •23.1 Арифметико-логические устройства. Принцип работы. Общая структура. Область применения.
- •23.2 Полупроводниковая память. Классификация полупроводниковой памяти. Общая структура полупроводниковой памяти. Память типа sram. Основные сигналы. Временные диаграммы работы
- •24.1Преобразователи кода. Преобразователи прямого кода в дополнительный.Преобразователи двоиччных кодов в код Грея.
- •24.2 Основная структурная организация полупроводниковой памяти. Память соструктурой 2d, 3d и 2dm.
3.1 Понятие интегральная логическая схема (имс). Маркировка имс. Технология изготовления. Типы логики.
1)Интегральная микросхема (ИС) представляет собой функциональный миниатюрный микроэлектронный блочок, в котором содержатся транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и другие радиоэлементы, которые выполнены методом молекулярной электроники. Находящиеся в небольшом объеме радиоэлементы образуют микросхему определенного назначения. По конструктивно-технологическому выполнению микросхемы делятся на несколько основных групп: гибридные, полупроводниковые (монолитные) и пленочные. Гибридные микросхемы выполняются на диэлектрической подложке с использованием монтажа дискретных радиокомпонентов пайкой или сваркой на контактных площадках. В полупроводниковых ИС все элементы схемы формируются в кристалле полупроводника. В пленочных ИС радиоэлементы выполнены в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрика. Все эти микросхемы делятся на схемы с малой (до 10 элементов), средней (10... 100 элементов) и большой (свыше 100 элементов) степенью интеграции. Промышленность выпускает большое количество самых разнообразных ИС, которые в зависимости от функционального назначения делят на аналоговые и цифровые (логические). Аналоговые микросхемы применяют для генерации, усиления и преобразования сигналов. Цифровые ИС служат для обработки дискретного сигнала, выраженного в двоичном или цифровом коде, поэтому их чаще называют логическими микросхемами. Эти микросхемы применяют в вычислительной технике, автоматике и в других областях промышленности.
Маркировка
Система маркировки ИС определяет их технологическую разновидность, функциональное назначение и принадлежность к определенной серии. Условное обозначение ИС, в основном, состоит из пяти элементов:
1 элемент...............буква, указывает на область применения микросхемы в бытовой или промышленной аппаратуре;
2 элемент.............. цифра, показывающая вид конструктивно-технологического исполнения (1, 5, 6, 7 — полупроводниковые, 2, 4, 8 — гибридные, 3 — прочие);
3 элемент...............порядковый номер разработки серии (2 или 3 цифры);
4 элемент...............функциональное назначение (две буквы, табл. 2.6);
5 элемент...............порядковый номер разработки по функциональному признаку (цифра).
В конце условного обозначения может стоять буква, которая характеризует особенности микросхемы. Первый элемент, буква, перед обозначением микросхемы может отсутствовать.. Если первый элемент буква К, то это говорит о том, что микросхема предназначена для аппаратуры широкого применения.
Технология изготовления полупроводниковых ИМС
Полупроводниковые ИМС изготовляют из кремния, поступающего на предприятие в виде кристаллических слитков, которые разрезают на множество тонких пластин (толщиной около 150 мкм).
Поскольку поверхность пластин кремния после резки получается весьма неровная, то перед началом основных технологических операций пластины многократно шлифуют, а затем полируют. На такой пластине (подложке) одновременно формируют в едином технологическом цикле несколько сотен, а иногда и свыше тысячи совершенно однотипных микросхем. Затем пластина разрезается на отдельные кристаллы и осуществляется присоединение выводов и заключение каждого кристалла в корпус.
Преимущественное использование кремния в полупроводниковых ИМС по сравнению с германием обусловлено возможностью расширения интервала рабочих температур (до +125°С) и получения на поверхности кремниевой пластины стойкой изолирующей пленки двуокиси кремния SiО2. Эта пленка (временно) служит защитным покрытием отдельных участков кристалла при проведении локальной диффузии примесей, такая же пленка предохраняет готовую схему от внешних воздействий и служит основанием для пленочных пассивных элементов и внутрисхемных соединений. Кроме того, кремний по сравнению с германием имеет меньшие обратные токи р-n переходов.
В настоящее время при разработке ИМС наибольшее распространение получили следующие БЛЭ: 1.Построены на биполярных транзисторах: а) ТТЛ – транзисторно-транзисторная логика; б) ТТЛШ - транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотке; в) ЭСЛ – эмитерно-связанная логика; г) И2Л – интегрально-инжекционная логика; 2.На полевых транзисторах: а) n-МОП и p-МОП – логика на однотипных полевых транзисторах б) КМОП – логика на комплиментарных полевых транзисторах (метал оксид полупроводник)
