Структура реальных кристаллов. Точечные дефекты.
Виды отклонения от идеальной структутры:
Тепловые колебания- с увеличение температуры увеличивается амплитуда колебаний, в это время облегчаются процессы синтеза, спекания разложения, ув. коэффициент взаимной диффузии.
Структурные дефекты:
Точечные
Линейные
Плоские
Объемные
Точечные дефекты
Вакансии-незанятые узлы. Образование вакансий происходит по разным причинам:
А)
за счет теплового движения. Атом из
предповерхностного слоя переходит на
поверхность, вакансия перемещается
вглубь кристалла(по Шоттки). На поверхности
образуется новый атомный слой, происходит
увелечение числа позиций в решетке,
такой процесс реален в п
лотноупакованных
структурах. С повышением температуры
число вакансий растет.
По Френкелю при образовании вакансий получается структура смешения. Должна быть рыхлая структурв или если атомы сильно различаются по размерам.
Если дефекты по Шоттки разрыхляют структуру, то дефекты по Френкелю на плотность структуры не влияют.
б) Вакансии могут возникать за счет несоответствия структурного типа решетки химическому составу соединения
в) структура вычетания- в соединениях переменного состава засчет условий получения.
2. Вакансии вызванные примесями. Примесные атомы могут располагаться в междоузлиях, либо в узлах решетки. Если наличие примеси не вызывает изменения структуры вещества, то речь идет об образовании твердого раствора (замещения или внедрения)
А) замещение. Если атом примеси относится к той же самой или соседней группе, лучше если атом меньше, чем основной.
Б) внедрение.важно соотношение радиусов. Подходят мелкие атомы (Н, С, N)
Примеси образуют напряжения.
Все дефекты влияют на химический и физические свойства. Очень меняется элетропроводность.
Структура реальных кристаллов. Линейные, поверхностные и объемные дефекты.
Виды отклонения от идеальной структутры:
Тепловые колебания- с увеличение температуры увеличивается амплитуда колебаний, в это время облегчаются процессы синтеза, спекания разложения, ув. коэффициент взаимной диффузии.
Структурные дефекты:
Точечные
Линейные
Плоские
Объемные
Линейные дефкты - дислокации
А
)
Краевые –неполная атомная плоскость,
частичный сдвиг одной части кристалла
относительно другой.При этом нарушается
связь в каком-либо ряду внутри кристалла.
Б) Винтовая дислокация – образуется в результате такого смещения кристалла, при котором вокруг линии дислокации наклонная плоскость в виде спирали .
В) Криволинейные-комбинации краевых и винтовых.
В
ажнейшим
свойство дислокаций является их легкая
подвижность, активное взаимодействие
между собой и др. элементами решетки.
Возникаю дислокации при небольших
сдвиговых напряжениях и продвигается
дальше до столкновения с другой
дислокацией. При этом она может оборваться
или разветвиться. С движением дислокаций
связана пластичность кристалла.
Плоские дефекты
А) Трещина – возникает в результате небольшой разориентации двух прилегающих частей монокристалла.
Б) мозаика-в следствие беспорядочной ориентации отдельных монокристаллических зерен. Слой атомов на границе двух зерен представляет собой область дефектной решетки.
В
)
малоугловые границы –границы границы
зерен разориентированных под малым
углом. Такая граница состоит из
дислокаций, вблизи границы зерна имеются
упругие напряжения.
Объемные дефекты
А) дефекты упаковки
Б) микрокаверны (полости) –образуются как ассоциации вакансий.
Все дефекты влияют на химический и физические свойства. Очень меняется элетропроводность.
