5. Распределение примеси в транзисторной структуре.1 – эмиттерная примесь,2 – базовая примесь, 3 – коллекторная примесь.

Распределение суммарной концентрации примесей в транзисторной структуре изображено на рис. 2.6.

6. Распределение суммарной концентрации примесей в транзисторной структуре.

Уточним координату металлургической границы эмиттерного перехода. Уточнение происходит в два этапа. Контроль производится по значению результирующей концентрации. В идеале она должна быть равна нулю. Реально достаточно, чтобы она была много меньше концентрации примеси в коллекторе.

В качестве начального приближения возьмём ранее определённое значение координаты эмиттерного перехода .

Теперь присвоим уточнённое значение и повторим расчет.

- концентрация, по которой контролируется достаточность уточнения координаты.

Уточним координату металлургической границы коллекторного перехода. Уточнение происходит в два этапа. Контроль производится по значению результирующей концентрации. В идеале она должна быть равна нулю. Реально достаточно, чтобы она была на три порядка меньше концентрации примеси в коллекторе.

В качестве начального приближения возьмём ранее определённое значение координаты коллекторного перехода .

Теперь присвоим уточнённое значение и повторим расчет.

- концентрация, по которой контролируется достаточность уточнения коор­динаты.

Глубина залегания эмиттерного перехода выбирается в диапазоне 1 - 3 мкм. Глубина залегания коллекторного перехода определяет ширину базы и напряжение пробоя в сферической части коллекторного перехода планарного транзистора. Нижний предел ширины базы ограничен смыканием коллекторного и эмиттерного переходов при максимальных обратных напряжениях на переходах. Верхний предел ширины базы ограничен необходимостью обеспечивать требуемые коэффициент передачи и граничную частоту транзистора.

Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв

В литературе удельное сопротивление слоя также называют поверхностным сопротивлением. Установлено, что если поверхностное сопротивление пассивной части базы находится в пределах 100 - 300 Ом/квадрат, то наибольшее обратное напряжение база-эмиттер составляет 5 - 7 В. По удельному сопротивлению базового слоя определяется сопротивление пассивной части базы. Значения , задаем для бора:

Определим подвижность основных носителей заряда в базе

Рассчитаем удельное поверхностное сопротивление базового слоя

Удельное сопротивление базового слоя равняется .

Рассчитаем удельное поверхностное сопротивление эмиттерного слоя. Значения констант , задаем для фосфора:

Определим подвижность основных носителей заряда в эмиттере

Рассчитаем удельное поверхностное сопротивление эмиттерного слоя

Удельное сопротивление эмиттерного слоя равняется .

Считается, что поверхностное сопротивление эмиттерного слоя должно лежать в пределах 5 - 7 Ом/квадрат. Полагают, что эмиттерный диффузионный слой должен иметь поверхностное сопротивление примерно 2 – 2,5 Ом/квадрат.