- •1.Лекция Общая характеристика геологических дисциплин
- •Понятие о кристаллах и аморфных веществах
- •Процессы минералообразования
- •Эндогенные процессы минералообразования
- •Экзогенные процессы минералообразования
- •Метаморфические процессы минералообразования
- •Методы изучения минералов
- •Петрография. Основные теории генезиса месторождения полезных ископаемых, промышленные типы месторождений.
- •Промышленные типы месторождений Железо
- •2.Лекция Основы геометрической кристаллографии
- •Характеристика кристаллического состояния .Анизотропия свойств
- •Пространственные решетки, кристаллографические системы координат.
- •Индексы кристаллографических направлений и плоскостей. Индексы в гексагональной системе координат.
- •3 Лекция Типы решеток Бравэ.
- •Типы решеток Бравэ.
- •Симметрия – основное свойство кристаллов.
- •Элементы симметрии и симметричные преобразования. Простые и сложные элементы симметрии..
- •Распределение классов по сингониям. Общие определения и системы обозначений классов симметрии. Формула симметрии.
- •Элементы кристаллохимии
- •Принципы упаковки кристаллических структур.
- •Коэффициент компактности(плотность упаковки),координационные числа и координационные многогранники.
- •Понятие атомного радиуса.Связь структур с типами связи.
- •5.Лекция Точечные дефекты
- •Вакансии, межузельные атомы,атомы примеси.Механизм образования точечных дефектов(механизм Шоттки,дефекты Френкеля)
- •Искажение кристаллической решетки вокруг точечных дефектов.
- •Поры вразличных по типу кристаллических структурах,их заполнение межузельными атомами.
- •Линейные дефекты (дислокации )
- •Понятие о дислокациях,виды дислокаций.Краевые дислокации,образование краевой дислокации в результате сдвига.
- •Вектор Бюргерса,его величина и направление. Движение дислокаций.
- •7.Лекция Поверхностные дефекты.
- •Дислокационный механизм процесса полигонизации.
- •Атомно-кристаллическое строение
- •Простые и переходные металлы. Атомно-кристаллическое строение чистых металлов. Кристаллические решетки.
- •Межатомные связи в металлах. Способы размещения атомов в кристаллических решетках.
- •Физические свойства металлических материалов
- •9.Лекция Кристаллизация металлов.
- •Общие закономерности фазовых превращений. Зависимость свободной энергии фаз от температуры.
- •Термодинамические условия протекания процесса кристаллизации.
- •10.Лекция Механизм образования зародышей твердой фазы. Гомогенное и гетерогенное зарождение. Скорости образования и роста кристаллов.
- •Механизм образования зародышей твердой фазы.
- •Форма кристаллов. Факторы,влияющие на форму кристаллов. Дендритная кристаллизация и ликвация.
- •Строение слитка. Образование пор пустот и газовых пузырьков. Зональная ликвация. Распределение примесей внутри слитка.
- •11.Лекция Деформация металлов.
- •Упругая и пластическая деформация металлов
- •Диаграмма растяжения металлов. Изменения, происходящие в металлах при упругой деформации.
- •Пластическая деформация.
- •Дислокационные механизмы пластической деформации поликристаллов.
- •12.Лекция Строение твердых фаз.
- •Твердые растворы .Твердые растворы внедрения и замещения. Ограниченные и неограниченные твердые растворы.
- •13.Лекция Двухкомпонентные системы.
- •Методы построения диаграмм фазовых равновесий. Правило фаз. Фазовые диаграммы систем с неограниченной растворимостью в жидком и твердом состояниях.
- •Фазовые диаграммы систем с отсутствием растворимости в твердом состоянии. Фазовые диаграммы эвтектических и перитектических систем.
- •Правило н.С. Курнакова
- •14.Трехкомпонентные системы.
- •Способы изображения диаграмм трехкомпонентных систем.
- •Основные типы фазовых диаграмм тройных систем.
- •15.Лекция Диаграмма состояния железо-углерод(-цементит)
5.Лекция Точечные дефекты
Цель: ознакомление с точечными дефектами
1.Вакансии, межузельные атомы,атомы примеси.Механизм образования точечных дефектов(механизм Шоттки,дефекты Френкеля)
2.Поры вразличных по типу кристаллических структурах,их заполнение межузельными атомами.
3.Искажение кристаллической решетки вокруг точечных дефектов.
Ключевые слова: вакансии, дефект Шоттки, дефект Френкеля, дивакансия, несовершенст во,межузельные атомы,примесные атомы внедрения.
Вакансии, межузельные атомы,атомы примеси.Механизм образования точечных дефектов(механизм Шоттки,дефекты Френкеля)
Подход к кристаллу как к телу , построенному из атомов, расположенных по идеальным законам геометрии, является идеализированным. Реальные кристаллы существенным образом отличаются от идеальных; идеальная трехмерная периодичность структуры кристалла нарушается. Несовершенства кристаллического строения оказывает огромное влияние на все структурно-чувствительные свойства кристаллов (ими являются; ионная и полупроводниковая электропроводность, фотопроводимость, люминесценция, прочность и пластичность и др.), а также на процессы роста, рекристаллизации, пластической деформации и диффузии.
Дефекты структуры связаны с изменением расстояний частицы до ближайших соседей. Малая подвижность и большое время жизни дефектов позволяют дать им наглядное геометрическое описание. Поэтому классификацию дефектов решетки проводят по чисто геометрическому признаку- по числу измерений, в которых качественные нарушения структуры кристалла простираются на макроскопическое расстояния. При такой классификации различают четыре типа дефектов структуры: 1) нульмерные (точечные) дефекты – вакансии, межузельные атомы, примесные атомы в узлах или междуузлиях; 2) одномерные (линейные) дефекты - -цепочки вакансий и межузельных атомов и специфические линейные дефекты – дислокации: 3) двухмерные «поверхностные) дефекты- границы блоков и зерен, дефекты упаковки, плоскости двойникования , стенки доменов и поверхность кристалла; 4) трехмерные (объемные) дефекты – пустоты, поры, частицы другой фазы, включения и др.
Точечные дефекты – это нарушение решетки в изолированных друг от друга точках решетки. К ним относятся , вакансии, т.е. узлы решетки, в которых нет атомов, межузельные атомы, примесные атомы внедрения или замещения, имеющие размер, отличающийся от размера атомов решетки, а также комбинации этих несовершенств.Эти виды дефектов схематически показаны на рис.17.
При любой температуре атомы в кристаллической решетке совершают колебальные движения. Обмениваясь кинетической энергией, которая при комнатной температуре значительно меньше необходимой для образования точечных дефектов, отдельные атомы за счет флуктуации кинетической энергии могут преодолеть потенциальный барьер, созданный соседними атомами. При выходе атома из узла кристаллической решетки в межузле возникает так называемый «парный дефект Френкеля» - пара вакансия + межузельный (дислоцированный) атом.
При испарении атома с поверхности в поверхностном слое образуется вакансия,которая в результате замещения глубже лежащим атомом проникает внутрь кристалла.Такого рода вакансию называют дефектом Шоттки.
На концентрацию дефектов типа Шоттки и Френкеля оказывают влияние температура, облучение и пластическая деформация.
