- •Донской государственный технический университет Кафедра “Электротехника” Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов
- •5. Описание лабораторной установки
- •6. Последовательность выполнения работы
- •7. Содержание отчета
- •8. Контрольные вопросы
- •9. Рекомендуемая литература
- •Приложение. Принцип действия транзистора
- •Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов
5. Описание лабораторной установки
Лабораторная установка (рис.4) включает в себя стенд для исследования характеристик биполярного транзистора ЭС-4 и многопредельный вольтметр PV1 постоянного тока.
На исследуемый транзистор VT напряжение подается от источника ЕПИТ: величина UБ устанавливается потенциометром R1 «Рег. напряжения UВХ» и измеряется электронным вольтметром PV1; величина UK устанавливается потенциометром R2 «Рег. напряжения ЕК» и измеряется вольтметром PV2 «Напряжение ЕК», установленным на стенде ЭС-4. Токи в схеме контролируются магнитоэлектрическими приборами: IБ – микроамперметром РА1 «IВХ»; IK – миллиамперметром РА2 «IK», установленными на стенде.
6. Последовательность выполнения работы
6.1. Подготовка стенда ЭС-4 для проведения исследований.
6.1.1. Соберите схему, показанную на рис.4, для чего установите тумблеры в следующие положения:
В12 – в положение «UВХ = »;
В14 – в положение «с общ. эмиттером»;
В1, В3, В4, В6, В9, В11 – в положение «Вкл.».
В2, В5, В7, В16 – в положение «Выкл.».
6.1.2. Потенциометры «Рег. напряжения ЕК» и «Рег. напряжения UВХ» выведите (поверните до упора против часовой стрелки).
6
.1.3.
Подсоедините электронный вольтметр
PV1, включенный на предел
измерения (1÷2)В постоянного тока, к
гнездам стенда, причем «земляной» провод
вольтметра ()
подключается к «земле» ()
стенда.
6.1.4. Включите питание стенда ЭС-4 и электронного вольтметра и дайте им прогреться в течении 1÷2 минут.
6.2. Снятие входной характеристики транзистора IБ(UБ) при UK=const.
6.2.1. С помощью «Рег. напряжения ЕК» установите по вольтметру PV2 напряжение ЕК=5В (стандартное значение).
6.2.2. С помощью «Рег. напряжения UВХ» устанавливайте фиксированные значения тока базы по микроамперметру РА1 «Ток IВХ» и измеряйте соответствующие им значения напряжения на базе (контролируются электронным вольтметром). При измерениях имейте в виду, что изменение тока базы и, следовательно, тока коллектора транзистора вызывает изменение ЕК, которое необходимо поддерживать неизменным на заданном уровне.
6.2.3. Результаты измерения занесите в табл.1.
Таблица 1
Статическая входная характеристика при UK=5B
IБ, мкА |
0 |
5 |
10 |
20 |
40 |
80 |
120 |
160 |
200 |
UБ, mB |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6.2.4. По данным табл.1 постройте входную характеристику биполярного транзистора UБ(IБ) при UK=5B (см. рис. 3а).
6.3. Снятие семейства выходных характеристик IK(UK) при IБ=сonst.
6.3.1. Последовательно устанавливая значения IБ («Рег. напряжения UВХ») и UK («Рег. напряжения ЕК»), указанные в табл.2, измерьте соответствующие им значения IK по миллиамперметру РА2 «ток IK».
Табл. 2 лучше заполнять по столбцам, т.е. для первого значения тока базы IБ провести измерения IK при всех заданных значениях UK, затем установить следующее IБ и т.д. Необходимо помнить, что изменение значения UK влечёт за собой изменения IБ, который необходимо поддерживать неизменным для каждой выходной характеристики. Результаты измерений занесите в табл.2.
Таблица 2
Семейство статических выходных характеристик
Ток базы IБ, мкА
Напряжение UK,В |
20 |
40 |
80 |
120 |
160 |
200 |
Ток коллектора IK, mA |
||||||
0,5 |
|
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
9 |
|
|
|
|
|
|
12 |
|
|
|
|
|
|
15 |
|
|
|
|
|
|
6.3.2. По данным табл.2 постройте семейство выходных характеристик транзистора IK(UK) при IБ= const (см. рис. 3б)
6.4. Определение положений возможных рабочих точек транзистора (определение режимов работы транзистора в усилительном каскаде).
6.4.1. Соберите схему усилительного каскада с общим эмиттером (рис.5), для чего установите тумблеры в положения:
В12 – «UВХ˜»;
В14 – «С общим эмиттером»;
В1, В7, В16 – «Выкл.»;
В2, В5, В6, В9, В11 – «Вкл.».
6.4.2. Потенциометром «Рег. напряжения ЕК» установите ЕК=15В, «Рег. напряжения UВХ» установите UВХ=0 (UБ=0; IБ=0).
6.4.3. Устанавливая переключателями В3, В4 различные значения RK, измерьте соответствующие им значения токов покоя коллектора IКП и занесите в табл.3. (Режим покоя транзистора – значения напряжений и токов его электродов при отсутствии входного сигнала).
6.4.4. На графике семейства
выходных характеристик (см. рис. 6)
биполярного транзистора проведите
линии нагрузок в соответствии с уравнением
UK = EK – IK·RK.
Линия нагрузки – прямая, которая строится
по двум точкам: N(IK=0;
UK=EK) и M(UK=0;
).
На каждой линии нагрузки найдите
оптимальную рабочую точку РТА,
которая выбирается в середине линейного
участка переходной характеристики
IK(IБ) или примерно в
середине рабочего участка mN линии
нагрузки. Нанесите на линии нагрузок
рабочие точки (РТ), найденные
экспериментально, в соответствии с
данными таблицы 3.
Таблица 3
-
RK, кОм
1
2
3
IK0, mA
6
.4.5.
Выберите из трех экспериментально
определенных рабочих точек расположенную
наиболее близко относительно своей
оптимальной и потому наиболее подходящую
для работы усилителя в режиме (классе)
А – РТА. Режим усилителя
определяется положением РТ на переходной
характеристике или на линии нагрузки:
класс А – РТ лежит посередине
линейного участка переходной
характеристики, то есть примерно
посередине рабочего участка mN линии
нагрузки (РТОПТ на рис.6);
класс В – РТ находится в самом
начале переходной характеристики при
IБ=0 или на пересечении линии
нагрузки и оси абсцисс. Значения UКП
и IКП в РТ называют
напряжением и током покоя транзистора.
6.4.6. Определите координаты выбранной экспериментальной рабочей точки РТА: IKП, UKП, IБП, UБП – по входной и выходным характеристикам транзистора и занесите значения в табл.4.
Дальнейшие исследования усилительных каскадов и параметров транзистора выполняются для выбранной РТА. Соответствующее значение RK занесите в табл. 4.
6.5. Определение параметров транзистора, работающего в выбранном режиме класса А.
6.5.1. По семейству выходных характеристик определите максимальные амплитуды положительной и отрицательной полуволн выходного напряжения (рис. 6), а также наибольшую величину действующего значения выходного неискаженного синусоидального сигнала:
|
|
6.5.2. Определите параметры биполярного транзистора в окрестности РТА по методике, приведенной в п. 4.2 и рис.3.
6.5.3. Определите входное и выходное сопротивления усилительного каскада с учетом того, что RБ1, RБ2 и RВХ по отношению к входному сигналу соединены параллельно, а также RK и RВЫХ по отношению к выходному сигналу соединены также параллельно:
|
|
|
|
где значения RБ1 и RБ2 указаны на панели стенда.
6.5.4. Результаты экспериментов и расчетов сведите в табл. 4.
6
.6.
Для выбранного RK обозначьте
рабочую точку, соответствующую работе
усилительного каскада в режиме класса
В. Определите U+
ВЫХ.MAX и U–
ВЫХ.MAX, а также изобразите
форму выходного напряжения в этом режиме
при синусоидальном входном сигнале
UВХ=50 мВ. Результаты занесите
в таблицу 4.
