МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

«КУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Факультет физики, математики, информатики

Кафедра физики и нанотехнологии

Утверждаю

Зам. заведующего кафедрой Ф и НТ

к.т.н., доцент

О.В. Яковлев

«___» февраля 2015 г.

Отчёт о производственной практике на предприятии

НИИЦ (г.Курск) ФГУП «18 ЦНИИ» МО РФ

Направление подготовки 210100.62 «Электроника и наноэлектроника»

Профиль подготовки «Нанотехнология в электронике»

Студент 4 курса 421 группы Н.А. Мальцев

Руководитель практики от кафедры

  профессор кафедры Ф и НТ,    д.т.н., доцент О.В. Яковлев

Руководитель практики от предприятия

 заместитель начальника 73 отдела Е.Ю. Хорунжая 

Курск 2015

Содержания Стр.

1. Назначение и структура отдела микроэлектроники............................................................3

2. Основные характеристики выпускаемой продукции……………………..........................4

2.1. Краткая характеристика охраны труда на предприятии при производстве микрополосковых СВЧ плат…………………………………………………….............6

2.2. Краткая характеристика основных технологических операций изготовления и контроля качества микрополосковых СВЧ плат………………………………….........7

2.3. Краткая характеристика основных технологических операций

изготовления и контроля качества микрополосковых СВЧ плат.................................10

3. Технологический процесс………………………………………………………...................15

4. Индивидуальное задание(технологический маршрут изготовления толстопленочных ИМС) …………………………………………………………....................................................18

Список литературы……………………………………………..………………........................24

Краткая характеристика основной нормативной документации, регламентирующей производство микрополосковых СВЧ плат……………..........................................................25

Приложение…………………………………………………………………..............................27

1. Назначение и структура отдела микроэлектроники

Преддипломная практика проходила на базе 72 научно-исследователь­ско­го центра ФГУП «18 ЦНИИ МО РФ», в отделе конструирования и изготовления микрополосковых СВЧ плат.

Отдел предназначен для проведения исследований в области разработки и изготовления приборов микроэлектроники в рамках научно-исследовательских, конструкторских, серийно-производственных работ и оперативных заказов, выполняемых в интересах всех НИУ, ОКБ, СКТБ предприятия и обеспечения ФГУП изделиями микроэлектроники.

Участок подготовки подложек

Рис 1.Структура 72 отдела

2. Основные характеристики выпускаемой продукции

В настоящее время в микроэлектронике СВЧ широкое применение получили интегральные схемы. Основу таких схем составляют, как правило, отрезки микрополосковых линий (МПЛ) в виде тонких слоев металла, нанесенных на листы диэлектрика (подложки) с диэлектрической проницаемостью 10 и более. (На практике в МПЛ применяют подложки и с меньшей диэлектрической проницаемостью, например из плавленого кварца (e = 3,78)). Наиболее распространены экранированные несимметричные МПЛ. МПЛ используют во всем диапазоне СВЧ. По сравнению с полыми волноводами МПЛ обладают рядом недостатков – имеют более высокие погонные потери и сравнительно низкую передаваемую мощность (средняя мощность – десятки ватт, импульсная – единицы киловатт). Кроме того, открытые МПЛ излучают энергию в пространство, из-за чего могут возникать нежелательные электромагнитные связи.

Но МПЛ обладают и важными достоинствами. Они имеют малые габариты и массу, дешевы в изготовлении, технологичны и удобны для массового производства методами интегральной технологии, что позволяет реализовывать на пластине из металлизированного с одной стороны диэлектрика целые узлы и функциональные модули в микрополосковом исполнении.

До последнего времени анализ и расчет параметров МПЛ проводились в квазистатическом приближении, т.е. в предположении, что в МПЛ распространяется лишь Т-волна. Такое приближение позволяет получить удовлетворительные результаты только в наиболее длинноволновой части диапазона СВЧ, когда длина волны значительно превышает поперечные размеры линии. С повышением частоты, по мере продвижения в область сантиметровых волн и освоения миллиметровых волн, квазистатический метод дает все большую погрешность. Это связано с тем, что не учитывается дисперсионность линии (зависимости параметров от частоты) и наличие в ней волн высших типов. Поэтому для строгого анализа и расчета параметров МПЛ, удовлетворяющих потребностям практики, необходимо использовать электродинамический подход и математические модели, адекватно отражающие физические процессы в реальной МПЛ.

В интегральных схемах диапазона СВЧ различают элементы с распределеннымии сосредоточенными параметрами. Элементы с сосредоточенными параметрами имеют максимальный размер l, значительно меньший, чем длина волны L в линии (как правило, l/L<0,1). В этом случае можно пренебречь фазовым сдвигом на длине элемента.

При большом объеме выпуска интегральных схем, элементы с сосредоточенными параметрами дешевле элементов с распределенными параметрами. Кроме того, они обладают большей широкополосностью. Однако на частотах более 10 ГГц элементы с сосредоточенными параметрами, как правило, имеют более высокие потери и низкую добротность по сравнению с элементами с распределенными параметрами, а также обладают паразитными связями. Поэтому на частотах выше 10 ГГц применяются главным образом элементы с распределенными параметрами.

Н а рисунке приведены некоторые из данных изделий.

Рис.2 Изделия микроэлектроники