2.7 Разработка блока «пк3»
Блок «ПК3» преобразует код от блока «УА3» в семисегментный код для третьего индикатора. На третьем индикаторе отображаются только цифры «0», «1», «2», «3». В случае цифр «0», «2», «3» сегменты a и d горят, а в случае цифры «1» - эти сегменты не горят, следовательно для сегментов a и d будет одна и та же целевая функция. Сегмент b горит при любой цифре, следовательно его через резистор подключаем на землю.
Таблица 2.5 - Таблица истинности для блока «ПК3»
|
Q1(2) |
Q2(1) |
a,d |
c |
e |
f |
G |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
2 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
3 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
Карты Карно для каждого сегмента
a,d:
|
c:
|
e:
|
|||||||||||||||||||||||||||
f:
|
g:
|
|
По получившимся для каждого сегмента функциям составляем принципиаль-ную схему блока «ПК3».
Рисунок 2.8. - Принципиальная схема блока «ПК3»
2.8 Расчёт ключа
По заданию нужно применять индикаторы с общим анодом. Отсюда следует, что общий анод подключён на +Eпит., а катод каждого сегмента – к коллектору транзистора. Следовательно применяем тип ключа, изображён-ный на рис. 2.9.
К выходу «ПК»
Рисунок 2.9. - Схема ключа
В качестве семисегментного индикатора выбираем АЛС333Б1, у которого прямое падение напряжения Uпр=2В, прямой ток IС=20 мА. В качестве ключевого транзистора выбираем 2N4123, у которого ICmax=100мА, B=100..250. При этом для расчёта R2 берём минимальное значение B равное 100, считаем, что контактный потенциал базо-эмиттерного перехода равен U0=0.75В, напряжение насыщения транзистора Usat=0.2В выходное напряжение высокого уровня микросхем ТТЛ составляет UOH=2.4В.
Сначала рассчитаем необходимое значение R1:
Ом.
Ближайший номинал из стандартного ряда
– 130 Ом. Следовательно R1=130
Ом.
Рассчитаем
ток базы транзистора:
А
И по этим данным рассчитываем необходимое значение R2:
кОм.
Ближайший номинал из стандартного ряда
–
8.2 кОм. Следовательно R2=8.2 кОм.