67. Воздействие света на электропроводность полупроводников.

Фотопроводимостью называется увеличение электропроводности полупроводника при действии на него светового облучения. В области малых длин волн фотопроводимость полупроводника значительно снижается.

При снижении температуры происходит уменьшение темновой проводимости, которая является фоном для фотопроводимости, при понижении температуры возрастает. Это объясняется преимущественным ростом концентрации разноименно заряженных частиц в полупроводнике, который преобладает по сравнению с рекомбинацией этих частиц.

Для многих полупроводников свойственна релаксация фотопроводимости, то есть после их облучения светом и помещения вне освещенное пространство, фотопроводимость может уменьшаться мгновенно, а может уменьшаться по истечению нескольких дней и часов. Поэтому фотореле, принцип действия которых основан на изменении уровня освещенности, должны быть настроены и отрегулированы, в соответствии их эксплуатации и технологии работы предприятия.

68. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников.

При небольших электрических полях электропроводность не зависит от f(E) в полупроводнике, однако при напряженности Ек, проводимость будет зависеть от напряженности поля.

γ1 – электропроводность полупроводника при Е<Ек

69. Полупроводниковые приборы и область их использования.

Терморезистор – это полупроводниковый прибор, который имеет два вывода и характеризует нелинейные зависимости активного сопротивления от температуры.

Характеризуется:

1. Активной, номинальной мощностью.

2. Активным номинальным сопротивлением.

3. Коэффициентом чувствительности.

Достоинства: малые габариты и масса.

Терморезисторы изготавливаются по методу керамической технологии и выглядят в виде стерженьковых таблеток или пластинок. На их основе изготавливают устройства для измерения теплопроводности жидкости. Для измерения и регулировки температуры, для ограничения импульсных пусковых токов, для изготовления безконтактных реостатов.

70. Принцип действия полупроводникового диода.

Диод – это полупроводниковый прибор, который имеет один p-n переход и два вывода и обладает свойством односторонней проводимости.

Предположим, что к диоду не приложено напряжение. В области р такого диода находящегося в большой концентрации дырки, которые являются основными носителями заряда. Под действием тепловой диффузии из области н в область р, а во встречном направлении перемещаются дырки. На границе двух областей объединенный от основных носителей заряда забирающий слой из-за того, что на границе раздела двух областей в области н дырки создают объемный положительный заряд, а в области р – объемный отрицательный заряд.

Когда к области р подводится положительный заряд, а к области н отрицательный – р-н переход доида смещен в прямом направлении и диод будет пропускать прямой ток. Концентрация основных носителей заряда возрастает.

Если к области н присоединить электрод с положительным зарядом, а к области р с отрицательным, то концентрация основных носителей заряда в районе р-н перехода уменьшится, он расширяется на величину обратного напряжения приложенного к диоду и сопротивление р-н перехода возрастает. Диод не пропускает ток.

С ростом температуры прямой ток, протекающий через р-н переход возрастает. Величина обратного напряжения, которую может выдержать р-н переход диода, без электро-теплового пробоя понижается.