62. Ковалентные полупроводниковые соединения.

В полупроводниковых соединениях примесные атомы замещения второй группы, имеющие меньшую валентность, являются акцепторами, а примесные атомы шестой группы, обладающие большей валентностью – донорами. Примесные атомы 4 группы в полупроводниковых соединениях могут быть и донорами и акцепторами. Соотношения между размерами атомов играют большую роль в результатах замещения. Замещение элементов, которые входят в состав полупроводниковых соединений, другими из тех же групп периодической системы не вызывает заметного изменения удельной проводимости этих полупроводников.

63. Полупроводники с ионными решетками.

Экспериментальные данные о ионных полупроводниках показывают, что в оксидах и сульфидах мы видим: если полупроводник обладает электропроводностью n-типа и р-типа, то избыток серы по отношению к его стехиометрическому составу вызывает у него дырочную электропроводность, а избыток металла – электронную. В полупроводниках с одним типом примесной электропроводности увеличение числа дырок в полупроводнике р-типа получается за счет избытка кислорода или серы, а увеличение числа электронов в полупроводнике n-типа за счет уменьшения количества числа этих элементов.

64. Примеси внедрения.

Структуры типа алмаз. Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междоузлия решеток полупроводников 4 группы периодической системы. Валентности лития внедряясь в междоузлия решетки германия, будет донором, а кислород – акцептором. Внедрение большого атома лития в междоузлия решетки германия возможно только после его ионизации, вследствии слабой связи валентного электрона. Образованный ион лития меньших размеров может внедряться в тесные междоузлия решетки, а освободившийся электрон будет электропроводностью н-типа. Внедрение в междоузлия решетки полупроводника атомов кислорода, которые имеют небольшие размеры и высокую электропроводность, приводит к захвату электронов из атома полупроводника. Возникает электропроводность п-типа.

Ионные структуры. Атомы металлов могут внедряться в тесные междоузлия ионов решетки, тогда, когда они уменьшают свои размеры, лишившись внешних электронов, которые обеспечивают электропроводность н-типа. Ионы многих металлов, имеющие большие радиусы, не могут внедряться в междоузлия ионных соединений.