20. Физиологические механизмы и нарушения памяти. Нарушения памяти: причины и виды.

Наиболее распространенной гипотезой о физиологических механизмах, лежащих в основе памяти, была гипотеза Д. О. Хебба (1949) о 2 процессах памяти: кратковременном и долговременном. Предполагалось, что механизмом кратковременной памяти является ревербация электрической импульсной активности в замкнутых цепях нейронов, а долговременное хранение основано на устойчивых морфофункциональных изменениях синаптической проводимости. След памяти переходит из кратковременной формы в долговременную посредством процесса консолидации (закрепления), который развивается при многократном прохождении нервных импульсов через одни и те же синапсы. Т. о., процесс реверберации, продолжающийся не менее нескольких десятков секунд, предполагается необходимым для долгосрочного хранения. Известны гипотезы, допускающие несколько иную временную и функциональную взаимосвязь механизмов кратковременной и долговременной памяти.

Проверка этих гипотез базируется на использовании метода экспериментальных амнезий. В качестве амнестических агентов применяются фармакологические препараты, сверхнизкие и сверхвысокие температуры, газовые смеси, гипоксия; наибольшее распространение получило применение электросудорожного шока. Амнестические агенты должны были бы прерывать ревербацию электрической активности, физически разрушая след, и тем самым предотвращать его консолидацию. Действительно, воздействие амнестического агента до или после обучения приводит к нарушению памяти в форме антероградной или ретроградной амнезии. Максимальный интервал времени от момента завершения обучения до применения амнестического агента, еще способного вызвать нарушение памяти, называется амнестическим градиентом. Согласно гипотезе консолидации, за пределами амнестического градиента фиксированный след памяти становится неуязвимым для действия разрушающих стимулов. Однако результаты экспериментов, в которых пытались определить амнестический градиент (для ретроградной амнезии), не позволили найти определенное значение: он оказался величиной, зависящей от множества факторов. Его продолжительность варьировала от долей секунды до нескольких суток. Была также показана возможность получения ретроградной амнезии для старых реактивированных следов памяти, которые, несомненно, давно консолидировались. В настоящее время найдены способы восстановления памяти, подвергшейся действию амнестических агентов. Несмотря на то что окончательная интерпретация полученных результатов еще не найдена, общие представления о П. ф. м. быстро меняются.

С развитием микроэлектродной техники появилась возможность изучения электрофизиологических процессов, лежащих в основе памяти на нейронном уровне. Наиболее эффективным оказался метод внутриклеточного отведения электрической активности отдельного нейрона, который позволяет анализировать роль синаптических явлений в пластических преобразованиях нейронной активности. С наибольшей полнотой изучены нейронные механизмы самой простой формы научения — привыкания. Показано, что привыкание связано с изменением эффективности постсинаптических потенциалов. Выделение в дуге безусловного рефлекса сенсорного, моторного и промежуточного компонентов и последовательный анализ их роли в развитии декремента реакции нейрона позволили локализовать привыкание в промежуточном звене — интернейронах. В качестве возможных механизмов этого эффекта рассматриваются пресинаптическое торможение, самогенерируемая депрессия и локализация сформированного во время привыкания следа памяти непосредственно в соме определенных нейронов. В экспериментах, выполненных методом внутриклеточной регистрации в ситуации замыкания условно-рефлекторной связи, обнаружено явление гетеросинаптической фасилитации, которое заключается в улучшении проведения сигналов по определенному синаптическому входу. Этот же метод позволил выявить новый вид электрической активности нейронов — эндогенную пейсмекерную активность. Показано участие пейсмекерных потенциалов в пластических изменениях активности нейронов — привыкании и фасилитации. Эксперименты показывают, что пластичность нейронов основана не только на пластичности синаптических потенциалов. Определенные преобразования появляются и в пейсмекерной активности. Так, повторные инъекции анионов или катионов через электрод, введенный в сому нейрона, приводят к изменениям, полностью аналогичным тем, которые возникают при истинном привыкании.

Распространенным при изучении нейронных основ памяти является поиск структур, нейроны которых обнаруживают пластические изменения при научении. Достижением этого направления является нейроанатомическая локализация следа памяти поведения пассивного избегания. Показано, что гиппокамп, миндалина (см. Амигдала) и хвостатое ядро содержат нейроны, осуществляющие поведение данного вида. В работах с применением метода экстраклеточной регистрации электрической активности отдельных нейронов показано, что в различных ситуациях обучения пластичность обнаруживают нейроны гиппокампа, ретикулярной формации и двигательной коры.

Существуют предположения о роли глиальных элементов в памяти. Р. Галамбос (1961) считает, что долговременная память связана именно с функцией глиальных элементов. В др. работах показано, что глия, а именно олигодендроциты, принимает участие в замыкании условного рефлекса. Тем не менее определенных данных о роли глии в процессах памяти пока не было получено.

Г. Хиденом (1964, 1967) выдвинута гипотеза о роли РНК в процессах памяти. Предполагается, что память связана с изменением последовательности оснований в молекуле РНК. Показаны качественные и количественные изменения содержания РНК в процессе научения. Определенная роль отводится и белкам, которые синтезируются благодаря РНК. Однако эксперименты, выполненные с применением фармакологических препаратов, влияющих на синтез протеинов, РНК и др., пока не дали к.-л. убедительных подтверждений этих представлений.

Нарушение памяти – патологическое состояние, связанное с невозможностью полноценно сохранять, накапливать и использовать информацию, полученную в процессе восприятия окружающего мира.

Нарушения памяти могут быть связанны с множеством разнообразных факторов. Самой распространенной причиной такого состояния бывает астенический синдром, связанный с общим психоэмоциональным перенапряжением, тревожным и депрессивным состоянием. Кроме того, нарушение памяти вследствие астении может наблюдаться и в процессе выздоровления после перенесенных соматических заболеваний.

Но расстройства памяти также могут иметь и более серьезное происхождение: органические поражения головного мозга и психические заболевания.

Итак, можно выделить следующие главные причины нарушения памяти:

• общие астенические состояния, как следствие стрессов и переутомления, соматических заболеваний и сезонного гиповитаминоза;

• алкоголизм: нарушение памяти вследствие не только поражений в структурах головного мозга, но и общих нарушений, связанных с токсическим действием алкоголя на печень и сопутствующим гиповитаминозом;

• острые и хронические нарушения кровообращения головного мозга: атеросклероз мозговых сосудов, инсульт, спазм сосудов головного мозга и другие, возрастные нарушения;

• черепно-мозговые травмы;

• опухоли головного мозга;

• болезнь Альцгеймера;

• психические заболевания;

• врожденная умственная отсталость, как связанная с генетическими нарушениями (например, синдром Дауна), так и по причине патологических состояний во время беременности и родов.

Виды нарушения памяти

По количественному признаку выделяют:

1. Амнезии: полное отсутствие воспоминаний на события, произошедшие в определенный период времени.

2. Гипомнезии: частичное снижение памяти (может быть временным и постоянным).

3. Гипермнезии: аномальное усиление памяти, вследствие которого человек способен запоминать и воспроизводить множество событий и информации на длительный период. Как правило, усиливается способность к восприятию цифр.

Амнезия, в сою очередь, может быть частичной (касается только определенного периода времени) и общей (потеря почти всех воспоминаний).

Виды амнезий:

• Ретроградная амнезия: выпадение памяти на события до начала заболевания (или травмы);

• Антероградная амнезия: исчезновение памяти в периоде после начала заболевания;

• Ретроантероградная амнезия: исчезновение памяти в период до и после начала заболевания;

• Фиксационная амнезия: отсутствие способности к запоминанию текущих событий. При этом память на события более раннего периода сохраняется;

• Прогресирующая амнезия: постепенная потеря памяти. При этом события происшедшие в более раннем периоде, сохраняются дольше;

• Тотальная амнезия: полное выпадение из памяти всей информации, в том числе и информации о собственной персоне;

• Истерическая амнезия: частичное удаление из памяти человека неприятных и компрометирующих событий.

Отдельно выделяют качественные нарушение памяти, вследствие которых нарушается как временное восприятие реально имевших место событий, так и заполнение провалов памяти вымышленными воспоминаниями.