- •Физические основы полупроводниковой электроники.
- •Зонная теория твёрдого тела.
- •Распределение носителей зарядов по энергетическим уровням в полупроводниках.
- •Уравнение электронейтральности.
- •Неравновесные процессы в полупроводниках.
- •Непрямые процессы в объёме и на поверхности полупроводника в условиях динамической неравновесности.
- •Квазиуровни и квазипотенциалы Ферми.
- •Теория р-n перехода
- •2.1)Структура р-n перехода в состоянии термодинамического равновесия.
- •2.2)Работа р-n перехода при внешнем воздействии.
- •2.3)Методы создания электронно-дырочных переходов.
- •2.4)Вольт-амперная характеристика р-n перехода.
- •Полупроводниковые диоды.
- •3.1) Выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки.
- •Параметры
- •[Править]Свойства диодов Шоттки
- •3.2) Переходные процессы в диодах с р-n переходом.
- •Биполярный транзистор.
- •4.1) Структура и принцип работы.
- •4.2) Статистическая модель биполярного транзистора. Распределение концентрации носителей в области базы, эмиттера, коллектора. Математическая модель Эберса-Молла.
- •4.3) Параметры биполярного транзистора.
- •4.4) Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •4.6) Работа транзистора на нагрузку.
- •4.7) Квазистатический режим работы транзистора.
- •4.8) Типы биполярных транзисторов.
- •5.2) Основные параметры полевых транзисторов.
- •6) Переключающие приборы .Тиристоры.
- •6.1) Основные особенности конструкции и классификации тиристоров.
- •[Править]Вольтамперная характеристика тиристора
- •6.2) Тринистор –управляемый динистор. Вах тринистора , зависимость параметров от тока управления . Симисторы ,конструкция и вах.
- •7) Компоненты оптоэлектроники .
- •7.1) Механизм генерации излучения в полупроводниках .
Полупроводниковые диоды.
3.1) Выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки.
Выпрямительные диоды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный. Обычно к быстродействию, ёмкости p-n перехода и стабильности параметров выпрямительных диодов не предъявляют специальных требований.[источник не указан 168 дней]
Основные параметры выпрямительных диодов:
среднее прямое напряжение Uпр.ср. при указанном токе Iпр.ср.;
средний обратный ток Iобр.ср. при заданных значениях обратного напряжения Uобр и температуры;
допустимое амплитудное значение обратного напряжения Uобр.макс.;
средний прямой ток Iпр.ср.;
частота без снижения режимов.
Частотный диапазон выпрямительных диодов невелик. При преобразовании промышленного переменного тока рабочая частота составляет 50 Гц, предельная частота выпрямительных диодов не превышает 20 кГц.
По максимально допустимому среднему прямому току диоды делятся на три группы: диоды малой мощности (Iпр.ср. ≤ 0,3 А), диоды средней мощности (0,3 А < Iпр.ср. < 10 А) и мощные (силовые) диоды (Iпр.ср. ≥ 10 А).
В состав параметров диодов входят диапазон температур окружающей среды (для кремниевых диодов обычно от -60 до +125 °С) и максимальная температура корпуса.
Среди выпрямительных диодов следует особо выделить диоды Шотки, создаваемые на базе контакта металл-полупроводник и отличающиеся более высокой рабочей частотой (для 1 МГц и более), низким прямым падением напряжения (менее 0,6 В).
Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).
В основе работы стабилитрона лежат два механизма:
Лавинный пробой p-n перехода
Туннельный пробой p-n перехода (Эффект Зенера (англ.)русск. в англоязычной литературе)
Несмотря на схожие результаты действия, эти механизмы различны, хотя и присутствуют в любом стабилитроне совместно, но преобладает только один из них. У стабилитронов до напряжения 5,6 вольт преобладает туннельный пробой с отрицательным температурным коэффициентом, выше 5,6 вольт доминирующим становится лавинный пробой с положительным температурным коэффициентом. При напряжении, примерно равном 5,6 вольт, оба эффекта уравновешиваются, поэтому выбор такого напряжения стабилизации является одним из способов снижения его зависимости от температуры[1].
Пробойный режим не связан с инжекцией неосновных носителей заряда. Поэтому в стабилитроне инжекционные явления, связанные с накоплением и рассасыванием носителей заряда при переходе из области пробоя в область запирания и обратно, практически отсутствуют. Это позволяет использовать их в импульсных схемах в качестве фиксаторов уровней и ограничителей.
Виды стабилитронов:
прецизионные — обладают повышенной стабильностью напряжения стабилизации, для них вводятся дополнительные нормы на временную нестабильность напряжения и температурный коэффициент напряжения (например: 2С191, КС211, КС520);
двусторонние — обеспечивают стабилизацию и ограничение двухполярных напряжений, для них дополнительно нормируется абсолютное значение несимметричности напряжения стабилизации (например: 2С170А, 2С182А);
быстродействующие — имеют сниженное значение барьерной ёмкости (десятки пФ) и малую длительность переходного процесса(единицы нс), что позволяет стабилизировать и ограничивать кратковременные импульсы напряжения (например: 2С175Е, КС182Е, 2С211Е).
На принципиальных электрических схемах позиционное обозначение стабилитронов - VD (ГОСТ 2.710-81), а в англоязычных странах - ZD.
Существуют микросхемы линейных регуляторов напряжения с двумя выводами, которые имеют такую же схему включения, что и стабилитрон, и зачастую, такое же обозначение на электрических принципиальных схемах[2].
|
|
