- •Физические основы полупроводниковой электроники.
- •Зонная теория твёрдого тела.
- •Распределение носителей зарядов по энергетическим уровням в полупроводниках.
- •Уравнение электронейтральности.
- •Неравновесные процессы в полупроводниках.
- •Непрямые процессы в объёме и на поверхности полупроводника в условиях динамической неравновесности.
- •Квазиуровни и квазипотенциалы Ферми.
- •Теория р-n перехода
- •2.1)Структура р-n перехода в состоянии термодинамического равновесия.
- •2.2)Работа р-n перехода при внешнем воздействии.
- •2.3)Методы создания электронно-дырочных переходов.
- •2.4)Вольт-амперная характеристика р-n перехода.
- •Полупроводниковые диоды.
- •3.1) Выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки.
- •Параметры
- •[Править]Свойства диодов Шоттки
- •3.2) Переходные процессы в диодах с р-n переходом.
- •Биполярный транзистор.
- •4.1) Структура и принцип работы.
- •4.2) Статистическая модель биполярного транзистора. Распределение концентрации носителей в области базы, эмиттера, коллектора. Математическая модель Эберса-Молла.
- •4.3) Параметры биполярного транзистора.
- •4.4) Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •4.6) Работа транзистора на нагрузку.
- •4.7) Квазистатический режим работы транзистора.
- •4.8) Типы биполярных транзисторов.
- •5.2) Основные параметры полевых транзисторов.
- •6) Переключающие приборы .Тиристоры.
- •6.1) Основные особенности конструкции и классификации тиристоров.
- •[Править]Вольтамперная характеристика тиристора
- •6.2) Тринистор –управляемый динистор. Вах тринистора , зависимость параметров от тока управления . Симисторы ,конструкция и вах.
- •7) Компоненты оптоэлектроники .
- •7.1) Механизм генерации излучения в полупроводниках .
4.4) Статические характеристики биполярных транзисторов.
Статическими характеристиками называются зависимости между входными и выходными токами и напряжениями транзистора при отсутствии нагрузки. Каждая из схем включения транзистора характеризуется четырьмя семействами статических характеристик:
1. Входные характеристики – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянстве напряжения на выходе:
|
|
2. Выходные характеристики – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при фиксированном значении входного тока:
|
(3.23) |
3. Характеристика обратной связи по напряжению:
|
(3.24) |
4. Характеристика передачи по току:
|
(3.25) |
Наиболее часто на практике используют входные и выходные характеристики, которые обычно приводятся в справочной литературе и представляют собой усредненные зависимости большого числа однотипных транзисторов. Две последние характеристики применяют реже и, к тому же, они могут быть построены из входных и выходных характеристик.
3.4.1. Статические характеристики для схемы с общей базой
3.4.2 Статические характеристики для схемы с общим эмиттером
3.4.1. Статические характеристики для схемы с общей базой |
1. Семейство входных статических характеристик (рис. 3.8) представляет собой зависимость
.
При
Uкб=0 входная
характеристика представляет собой
прямую ветвь вольт-амперной характеристики
эмиттерного перехода. При Uкб<0 данная
характеристика смещается немного выше
оси абсцисс, т. к. при отсутствии
входного сигнала E1=0 через
запертый коллекторный переход протекает
маленький обратный ток Iк0,
который создает на объемном сопротивлении
базовой области rб падение
напряжения, приложенное к эмиттерному
переходу в прямом направлении (рис. 3.9).
Именно это падение напряжения и
обусловливает протекание через эмиттерный
переход маленького прямого тока и
смещение вверх входной характеристики
(рис. 3.8 б).
Рис. 3.8. Входные характеристики схемы с общей базой
При Uкб<0 коллекторный переход смещается в прямом направлении, через него протекает прямой ток и, следовательно, падение напряжения на сопротивлении базы rб изменит полярность на противоположную, что вызовет при отсутствии входного сигнала протекание через эмиттерный переход маленького обратного тока и, следовательно, смещение входной характеристики вниз (рис. 3.8 ).
2. Семейство выходных статических характеристик (рис. 3.9) представляет собой зависимости
.
Рис. 3.9. Выходные характеристики схемы с общей базой

;
;
.