- •Физические основы полупроводниковой электроники.
- •Зонная теория твёрдого тела.
- •Распределение носителей зарядов по энергетическим уровням в полупроводниках.
- •Уравнение электронейтральности.
- •Неравновесные процессы в полупроводниках.
- •Непрямые процессы в объёме и на поверхности полупроводника в условиях динамической неравновесности.
- •Квазиуровни и квазипотенциалы Ферми.
- •Теория р-n перехода
- •2.1)Структура р-n перехода в состоянии термодинамического равновесия.
- •2.2)Работа р-n перехода при внешнем воздействии.
- •2.3)Методы создания электронно-дырочных переходов.
- •2.4)Вольт-амперная характеристика р-n перехода.
- •Полупроводниковые диоды.
- •3.1) Выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки.
- •Параметры
- •[Править]Свойства диодов Шоттки
- •3.2) Переходные процессы в диодах с р-n переходом.
- •Биполярный транзистор.
- •4.1) Структура и принцип работы.
- •4.2) Статистическая модель биполярного транзистора. Распределение концентрации носителей в области базы, эмиттера, коллектора. Математическая модель Эберса-Молла.
- •4.3) Параметры биполярного транзистора.
- •4.4) Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •4.6) Работа транзистора на нагрузку.
- •4.7) Квазистатический режим работы транзистора.
- •4.8) Типы биполярных транзисторов.
- •5.2) Основные параметры полевых транзисторов.
- •6) Переключающие приборы .Тиристоры.
- •6.1) Основные особенности конструкции и классификации тиристоров.
- •[Править]Вольтамперная характеристика тиристора
- •6.2) Тринистор –управляемый динистор. Вах тринистора , зависимость параметров от тока управления . Симисторы ,конструкция и вах.
- •7) Компоненты оптоэлектроники .
- •7.1) Механизм генерации излучения в полупроводниках .
Параметры
Напряжение стабилизации — значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации. Пробивное напряжение диода, а значит, напряжение стабилизации стабилитрона зависит от толщины p-n-перехода или от удельного сопротивления базы диода. Поэтому разные стабилитроны имеют различные напряжения стабилизации (от 3 до 400 В).
Температурный коэффициент напряжения стабилизации — величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации. Значения этого параметра у различных стабилитронов различны. Коэффициент может иметь как положительные так и отрицательные значения для высоковольтных и низковольтных стабилитронов соответственно. Изменение знака соответствует напряжению стабилизации порядка 6В.
Дифференциальное сопротивление — величина, определяемая отношением приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот.
Максимально допустимая рассеиваемая мощность — максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается заданная надёжность.
Минимально допустимый ток стабилизации - минимальный ток, при котором гарантируется ввод p-n-перехода стабилитрона в режим устойчивого пробоя и, как следствие, стабильное значение напряжения стабилизации. При малых обратных токах стабилитрон работает на начальном участке вольт-амперной характеристики, где значение обратного напряжения неустойчиво и может колебаться в пределах от нуля до напряжения стабилизации.
Стаби́стор (ранее нормистор) — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока). Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации[1], которое составляет примерно 0,7 В. Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации. Некоторые типы стабисторов представляют собой единый набор с последовательным соединением отдельных элементов.
Стабисторам присущ отрицательный температурный коэффициент сопротивления, то есть напряжение на стабисторе при неизменном токе уменьшается с увеличением температуры. В связи с этим стабисторы используют для температурной компенсации стабилитронов с положительным коэффициентом напряжения стабилизации.
Основная часть стабисторов — кремниевые диоды. Кроме кремниевых стабисторов промышленность выпускает и селеновые поликристаллические стабисторы, которые отличаются простотой изготовления, а значит, меньшей стоимостью. Однако селеновые стабисторы имеют меньший гарантированный срок службы (1000 ч) и узкий диапазон рабочих температур.
Диод Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качествебарьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт.